문맥 (context)
[청구항 1]
종속접속되며, 최종단의 지연회로의 출력이 최초단의 입력에 귀환되는 복수의 지연회로를 구비하는 주파수 가변발생회로에 있어서,
상기 복수의 지연회로의 각각은 지연량 가변의 지연회로이고 또한 차동 증폭회로 및 정귀환회로를 가지며,
상기 차동증폭회로는 극성이 상호 반전하고 있는 차동신호를 입력하여 증폭하고, 상기 정귀환회로는 입력단자 및 출력단자가 상호 교차하여 접속되며, 또한 상기 차동증폭회로의 출력단자는 접속되는 2개의 증폭회로를 가지며,
상기 차동증폭회로는 제1의 증폭회로 요소에 의해 구성되고,
상기 정귀환회로를 구성하는 2개의 증폭회로가 제2의 증폭회로 요소에 의해 구성되고,
상기 제 1 및 제 2의 증폭회로 요소의 각각은 pmos 트랜지스터와 nmos 트랜지스터를 직렬로 접속하여 이루어지는 상보형 증폭회로이며, 상기 상보형 증폭회로는 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 게이트 전극을 서로 접속함으로써 형성되는 입력단자와 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 드레인 전극을 서로 접속함으로써 형성되는 출력단자를 구비하고,
상기 지연회로의 각각은 상기 상보형 증폭회로의 소스전류를 제어하기 위한 제어용 mos트랜지스터를 가지고, 상기 제어용 mos트랜지스터와 상기 상보형 증폭회로의 각각이 전원공급단자와 접지 단자 사이에 직렬로 접속되며,
상기 차동증폭회로의 상기 상보형증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos트랜지스터의 각각의 전압전류 변환 이득이 상기 정귀환회로의 상기 상보형 증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 각각의 전압 전류 변환이득보다도 큰 것을 특징으로 하는 주파수 가변 발진회로
[청구항 2]
청구항 1에 있어서,상기 차동증폭회로의 상기 상보형 증폭회로의 상기pmos 트랜지스터 및 nmos트랜지스터의 각각의 게이트 폭이 상기 정귀환 회로의 상기 pmos트랜지스터 및 nmos트랜지스터의 각각의 게이트 폭보다도 큰 것특징으로 하는주파수가변 발진 회로.
[청구항 3]
입력되는 기준신호와 비교신호를 비교하여 위상차를 출력하는 위상비교기와, 상기 위상차를 제 1의 전류로 바꾸는 챠지펌프와, 상기 제 1의 전류를 정전용량으로 충전하여 충전전압을 출력신호로 하는 루프 필터와, 상기 루프 필터의 출력신호에 따라 주파수를 바꾸고 상기 비교신호를 출력하는 주파수 가변 발진회로와, 상기 루프 필터의 출력신호를 전류로 변환하기 위한 전압전류변환회로를 구비하는 위상동기회로에 있어서,
상기 위상 동기회로는 상기 위상 비교기, 상기 챠지 펌프, 상기 루프 필터 및 상기 주파수가변발진회로를 이용하여 귀환 루프를 형성하고 있으며,
상기 주파수 가변발진회로는 종속접속되며, 최종단의 지연회로의 출력이 최초단의 지연회로의 입력에 귀환되는 복수의 지연회로를 구비하고,
상기 복수의 지연회로의 각각은 지연량 가변의 지연회로이며, 또한 차동증폭회로 및 정귀환회로를 가지며, 상기 차동증폭회로는 극성이 상호 반전되고 잇는 파동신호를 입력하여 증폭하고, 상기 정귀환회로는 그 입력단자 및 출력단자가 상호 교차하여 접속되며, 또한 상기 차동증폭회로의 출력단자에 접속되는 2개의 증폭회로를 구비하고,
상기 차동증폭회로는 제1의 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 상기 정귀환회로를 구성하는 2개의 증폭회로가 제 2의 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 상기 제 1 및 제 2의 증폭회로 요소의 각각은 pmos 트랜지스터와 nmos 트랜지스터를 직렬로 접속하여 이루어지는 상보형 증폭회로이며, 상기 상보형 증폭회로는 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 게이트 전극을 서로 접속함으로써 형성되는 입력단자와, 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 드레인 전극을 서로 접속함으로써 형성되는 출력단자를 구비하고,
상기 지연회로의 각각은 상기 상보형 증폭회로의 소스 전류를 제어하기 위한 제어용 mos트랜지스터를 가지며, 상기 제어용 mos트랜지스터와 상기 상보형 증폭회로의 각각이 전원공급단자와 접지단자와의 사이데 직렬로 접속되며,
상기 전압전류 변환회로는 루프필터의 출력신호를 게이트전극으로 입력하고 드레인 전극으로부터 전류를 출력하는 제1의 mos 트랜지스터와, 드레인 전극을 상기 제1의 mos 트랜지스터의 소스전극에 접속하며 또한 게이트ㆍ소스간 전압을 드레인ㆍ소스간 전압보다도 높게 한 제2의 mos 트랜지스터를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 위상동기회로
[청구항 4]
청구항 3에 있어서,상기제2의 mos 트랜지스터의 게이트 전극 및 소스 전극이전원공급단자와접지단자간접속되어있는것을특징으로 하는위상동기회로.
[청구항 5]
"입력되는 기준신호와 비교신호를 비교하여 위상차를 출력하는 위상비교기와,
상기 위상차를 제1의 전류로 바꾸는 챠지 펌프와,
상기 위상차를 제2의 전류로 바꾸어 출력신호로 하는 보조 챠지 펌프와,
상기 제1의 전류를 정전용량으로 충전하여 충전전압을 출력신호로 하는 루프 필터와,
상기 루프 필터의 출력신호와 상기 보조 챠지 펌프의 출력신호를 가산한 신호에 따라 주파수를 바꾸고 상기 비교신호를 출려하는 주파수가변발진회로를 구비하는 위상동기회로에 있어서,
상기 위상동기회로는 상기 위상 비교기, 상기 챠지 펌프, 상기 보조 챠지 펌프, 상기 루프 필터 및 상기 주파수 가변 발진회로를 이용하여 귀환 루프를 형성하고 있으며,
상기 주파수 가변발진회로는, 종속접속되며, 최종단의 지연회로의 출력이 최초단의 지연회로의 입력에 귀환되는 복수의 지연회로를 구비하고,
상기 복수의 지연회로의 각각은 지연량 가변의 지연회로이며, 또한 차동 증폭회로 및 정귀환회로를 가지며, 상기 차동 증폭회로는 극성이 상호 반전되고 있는 차동신호를 입력하여 증폭하고, 상기 정귀환회로는 그 입력단자 및 출력단자가 상호 교차하여 접속되며, 또한 상기 차동 증폭회로의 출력단자에 접속되는 2개의 증폭회로를 구비하고,
상기 차동증폭회로는 제1의 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 상기 정귀환 회로를 구성하는 2개의 증폭회로가 제 2의 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 상기 제 1및 제 2의 증폭회로 요소의 각각은 pmos 트랜지스터와 nmos트랜지스터를 직렬로 접속하여 이루어지는 상보형 증폭회로이며, 상기 상보형 증폭회로는 상기 pmos트랜지스터 및 nmos트랜지스터의 게이트 전극을 서로 접속함으로써 형성되는 입력단자와, 상기 pmos트랜지스터 및 mos트랜지스터의 드레인 전극을 상호 접속함으로써 형성되는 출력단자를 구비하고,
상기 지연회로의 각각은 상기상보형 증폭회로의 소스 전류를 제어하기 위한 제어용 mos 트랜지스터를 가지며, 상기 제어용 mos 트랜지스터와 상기 상보형 증폭회로의 각각이 전원공급단자와 접지단자의 사이에 직렬로 접속되며,
상기 위상 비교기는 상기 주파수 가변발진회로의 발진 주파수를 상승시키기 위한 제어신호(이하""up 신호""라고 함)와 하강시키기 위한 제어신호(이하 ""dn 신호""라고 함)와 각각의 반전신호(이하, 상기순으로 ""upb 신호"", ""dnb 신호""라고 함)를 전기 위상찰서 출력하는 것이며,
상기 보조 챠지 펌프는,
제1의 정전류원과,
제2의 정전류원과,
up신호와 upb신호를 출력하여 제1의 정전류원의 전류를 바꾸는 제1의 차동회로와,
dn신호와 dnb신호를 입력하여 제2의 정전류원의 전류를 바구는 제 2의 차동회로와,
dn신호가 유효할 때 제2의 차동회로가 전류를 출력하는 전류를 복제하는 커런트 미러회로로 이루어지며,
up신호가 유효할 때 제 2의 차동회로가 전류를 출력하는 단자와 커런트 미러 회로가 복제전류를 출력하는 단자를 이어서 이루어지는 단자가 보조 퍄지 펌프의 전기 출력신호를 출력하는 단자인 것을 특징으로 하는 위상동기회로."
[청구항 6]
청구항 5에 있어서,상기 보조 챠지 펌프는 상기 제1의 정전류원 및 상기 제2의 정전원 및 상기 제2의 정전류 전류를 상기 루프 필터의 출력신호에 비례하여 변화시키는수단갖는것을특징으로 하는위상동기회로.
[청구항 7]
반도체 기판상에 집적화된 제 1 집적회로와 다른 반도체 기판상에 집적화한 제 2 집적회로와의 사이의 데이터 송신을 행하기 위해 제 1 집적회로에 설치한 클럭동기회로에 있어서,
상기 제 2 집적회로로 데이터의 송신을 행하는 제 1 출력회로와,
상기 제 2 집적회로로 클럭을 송신하는 제 2 출력회로와,
상기 제 2 집적회로로부터의 데이터의 수신을 행하는 입력회로와,
상기 제 1 출력회로로 데이터를 공급하는 데이터 발생회로와,
상기 입력회로로부터의 데이터를 입력하는 취입회로와,
타이밍을 제어하기 위한 클럭을 상기 데이터 발생회로와 상기 취입회로에 공급하고 또한 상기 클럭을 제 2 출력회로에 공급하는 클럭 공급회로를 구비하고,
상기 클럭공급회로는 위상비교기를 가지며, 또한, 상기 제 1 집적회로내의 기준신호를 상기 위상비교기의 한쪽의 입력단자에 입력하고, 상기 위상비교기의 다른쪽의 입력단자에 상기 제 2 출력회로로부터 출력된 상기 클럭을 입력하는 위상 동기회로인 것을 특징으로 하는 클럭동기회로
[청구항 8]
청구항 7에 있어서,상기 위상동기회로는, 입력되는 기준신호와 비교신호를 비교하여 위상차를 출력하는 위상비교기와, 상기 위상차를 제 1 전류로 바꾸는 챠지 펌프와, 상기 제 1 전류를 정전용량으로 충전하고 충전 전압을 출력신호로 하는 루프필터와, 상기 루프필터의 출력신호에 따라 주파수를 바꾸고 상기 비교신호를 출력하는 주파수 가변 발진회로를 구비하고, 상기 위상동기회로는 상기 위상비교기, 상기 챠지 펌프, 상기 루프 필터 및 상기 주파수 가변 발진회로를 이용하여 귀환 루프를 형성하고 있으며, 상기 주파수가변 발진회로는, 종속접속되며, 최종단의 지연회로의 출력이 최초단의 지연회로의 입력에 귀환되는 복수의 지연회로를 구비하고, 상기 복수의 지연회로의 각각은 지연량 가변의 지연회로이며, 또한 차동 증폭회로 및 정귀환회로를 가지며, 상기 차동증폭회로는 극성이 상호 반전하고 있는 차동신호를 입력하여 증폭하고, 상기 정귀환회로는 그 입력단자 및 출력단자가 상호 교차하여 접속되며, 또한 상기 차동 증폭횔의 출력단자에 접속되는 2개의 증폭회로를 가지며, 상기 차동증폭회로는 제 1 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 상기 정귀환회로를 구성하는 2개의 증폭회로가 제 2 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 상기 제 1 및 제 2 증폭회로 요소의 각각은 pmos 트랜지스터와 nmos트랜지스터를 직렬로 접속하여 이루어지는 상보형 증폭회로이며, 상기 상보형 증폭회로는 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 게이트 전극을 서로 접속함으로써 형성되는 입력단자와, 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 드레인 전극을 상호 접속함으로써 형성되는 출력단자를 구비하고, 상기 지연회로의 각각은 상기 상보형증폭회로의 소스전류를 제어하기 위한 제어용 mos 트랜지스터를 구비하고, 상기 제어용 mos 트랜지스터와 상기 상보형증폭회로의 각각이 전원공급단자와 접속단자 간에 직렬로 접속되며, 상기 제 2 출력회로는 상기 위상비교기의 상기 비교신호를 입력하는 입력단자와 상기 주파수 가변 발진회로의 출력단자와의사이배치되는것을특징으로 하는클럭동기회로.
[청구항 9]
청구항 7에 있어서,상기 위상동기회로는, 입력되는 기준신호와 비교신호를 비교하여 위상차를 출력하는 위상비교기와, 상기 위상차를 제 1 전류로 바꾸는 챠지 펌프와, 상기 제 1 전류를 정전용량으로 충전하고 충전전압을 출력신호로 하는 루프 필터와, 상기 루프 필터의 출력신호에 따라 주파수를 바꾸고 상기 비교신호를 출력하는 주파수 가변발진회로를 구비하고, 상기 위상동기회로는 상기 위상비교기, 상기 챠지 펌프, 상기 루프 필터 및 상기 주파수 가변 발진회로를 이용하여 구환 루프를 형성하고 있으며, 상기 주파수 가변 발진회로는, 종속접속되며, 최종단의 지연회로의 출력이 최초단의 지연회로의 입력으로 귀환되는 복수의 지연회로를 구비하고, 상기 복수의 지연회로의 각각은 지연량 가변의 지연회로이며, 또한 차동증폭회로 및 정귀환회로를 가지며, 상기 차동 증폭회로는 극성이 상호 반전하고 있는 차동신호를 입력하여 증폭하고, 상기 정귀환 회로는 입력단자 및 출력단자가 상호 교차하여 접속되며, 또한 상기 차동 증폭회로의 출력단자에 접속되는 2개의 증폭회로를 가지며, 상기 차동증폭회로는 제 1 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 상기 정귀환회로를 구성하는 2개의 증폭회로가 제 2 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 상기 제 1 및 제 2 증폭회로 요소의 각각은 pmos 트랜지스터와 nmos 트랜지스터를 직렬로 접속하여 이루어지는 상보형증폭회로이며, 상기 상보형증폭회로는 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 게이트 전극을 서로 접속함으로써 형성되는 입력단자와, 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos트랜지스터의 드레인 전극을 서로 접속함으로써 형성되는 출력단자를 구비하고, 상기 복수의 지연회로의 각각은 상기 pmos 트랜지스터의 소스 전류를 제어하기 위한 제어용 pmos 트랜지스터와 상기 nmos 트랜지스터이 소스 전류를 제어하기 위한 제어용 nmos 트랜지스터를 가지며, 상기 제어용 pmos 트랜지스터와 상기 제어용 nmos 트랜지스터와 상보형증폭회로의 각각이 전원공급단자와 접지단자 간에 직렬로 접속되며, 상기 제 2 출력회로는 상기 위상 비교기의 상기 비교신호를 입력하는입력단자와상기주파수가변발진회로의출력단자의사이배치되는것을특징으로 하는클럭동기회로.
[청구항 10]
종속접속되며, 최종단의 지연회로의 출력이 최초단의 지연회로의 입력으로 귀환되는 복수의 지연회로를 구비하고,
상기 복수의 지연회로의 각각은 지연량 가변의 지연회로이며, 또한 차동 증폭회로 및 정귀환회로를 가지며, 상기 차동증폭회로는 극성이 상호 반전하고 있는 차동신호를 입력하여 증폭하고, 상기 정귀환회로는 그 입력단자 및 출력단자가 상호 교차하여 접속되며, 또한 상기 차동증폭회로의 출력단자에 접속되는 2개의 증폭회로를 가지며,
상기 차동증폭회로는 제 1 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 상기 귀환회로를 구성하는 2개의 증폭회로가 제 2 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 상기 제 1 및 제 2 증폭회로 요소의 각각은 pmos 트랜지스터와 mos 트랜지스터를 직렬로 접속하여 이루어지는 상보형증폭회로이며, 상기 상보형증폭회로는 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 게이트 전극을 서로 접속함으로써 형성되는 입력단자와, 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 드레인 전극을 서로 접속함으로써 형성되는 출력단자를 구비하고,
상기 지연회로의 각각은 상기 상보형증폭회로의 소스 전류를 제어하기 위한 제어용 mos 트랜지스터를 가지며, 상기 제어용 mos 트랜지스터는 상기 차동증폭회로 및 상기 정귀환 회로를 구성하는 상기 상보형증폭회로에 공통으로 설치되며, 상기 제어용 mos 트랜지스터와 상기 상보형 증폭회로가 전원공급단자와 접지단자간에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 주파수 가변발진회로
[청구항 11]
청구항 10에 있어서,상기 지연회로의 각각은 상기 제어용 mos 트랜지스터로 하고, 상기 pmos 트랜지스터의 소스 전류를 제어하기 위한 제어용 pmos 트랜지스터와 상기 nmos 트랜지스터의 소스 전류를 제어하기 위한 제어용 nmos 트랜지스터를 가지며, 상기 제어용 pmos 트랜지스터와 상기 제어용 nmos 트랜지스터와 상보형증폭회로의 각각이 전원공급단자와 접지단자 간에직렬접속되어있는것을특징으로 하는주파수 가변 발진회로.
[청구항 12]
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,상기 차동증폭회로의 상기 상보형증폭회로의 상기pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 각각의 전압전류변환 이득이 상기 정귀환 회로의 상기 상보형증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 각각의 전압 전류 변환이득보다도 큰 것특징으로 하는주파수 가변 발진회로.
[청구항 13]
청구항 12에 있어서,상기 차동증폭회로의 상기 상보형증폭회로의 상기pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 각각의 게이트 폭이 상기 정귀환 회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 게이트 폭보다도 큰 것특징으로 하는주파수 가변 발진회로.
[청구항 14]
입력하는 기준신호와 비교신호를 비교하여 위상차를 출력하는 위상차 비교기와,
상기 위상차를 제 1 전류로 바꾸는 챠지 펌프와,
상기 제 1 전류를 정전용량으로 충전하고 충전전압을 출력신호로 하는 루프 필터와,
상기 루프 필터의 출력신호에 따라 주파수를 바꾸고 상기 비교신호를 출력하는 주파수 가변 발진회로와,
상기 루프 필터의 출력신호를 전류로 변환하기 위한 전압전류 변환회로를 구비하는 위상동기회로에 있어서,
상기 위상 동기회로는 상기 위상 비교기, 상기 챠지 펌프, 상기 루프 필터 및 상기 주파수 가변 발진회로를 이용하여 귀환 루프를 형성하고 있으며,
상기 주파수 가변발진회로는,
종속접속되며, 최종단의 지연회로의 출력이 최초단의 지연회로의 입력으로 귀환되는 복수의 지연회로를 구비하고,
상기 복수의 지연회로의 각각은 지연량 가변의 지연회로이며, 또한 차동 증폭회로 및 정귀환 회로를 가지며, 상기 차동 증폭회로는 극성이 상호 반전하고 있는 차동신호를 입력하여 증폭하고, 상기 정귀환회로는 그 입력단자 및 출력단자가 상호 교차하여 접속되며, 또한 상기 차동증폭회로의 출력단자에 접속되는 2개의 증폭회로를 가지며,
상기 차동증폭회로는 제 1 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 상기 정귀환회로를 구성하는 2개의 증폭회로가 제 2 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 상기 제 1 및 제 2 증폭회로 요소의 각각은 pmos 트랜지스터와 nmos 트랜지스터를 직렬로 접속하여 이루어지는 상보형증폭회로이며, 상기 상보형증폭회로는 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 게이트 전극을 서로 접속함으로써 형성되는 입력단자와, 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 드레인 전극을 서로 접속함으로써 형성되는 출력단자를 구비하고,
상기 지연회로의 각각은 상기 상보형증폭회로의 소스전류를 제어하기 위한 제어용 mos 트랜지스터를 가지며, 상기 제어용 mos 트랜지스터는 상기 차동 증폭회로 및 상기 정귀환회로를 구성하는 상기 상보형증폭회로에 공통으로 설치되며, 상기 제어용 mos 트랜지스터와 상기 상보형 증폭회로가 전원 공급단자와 접지단자 간에 접속되며,
상기 전압전류변환회로는 루프 필터의 출력신호를 게이트 전극으로 출력하여 드레인 전극으로부터 전류를 출력하는 제 1 mos 트랜지스터와, 드레인 전극을 상기 제 1 mos트랜지스터의 소스 전극에 접속하고 또한 게이트ㆍ소스 간 전압을 드레인ㆍ소스간 전압보다도 높게 한 제 2 mos 트랜지스터를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 위상동기회로
[청구항 15]
청구항 14에 있어서,상기제 2 mos 트랜지스터의 게이트 전극 및 소스 전극이전원공급단자와접지단자간접속되어있는것을특징으로 하는위상동기회로.
[청구항 16]
"입력되는 기준신호와 비교신호를 비교하여 위상차를 출력하는 위상비교기와,
상기 위상차를 제 1 전류로 바꾸는 챠지 펌프와,
상기 위상차를 다른 제 2 전류로 바꾸어 출력신호로 하는 보조 챠지 펌프와,
상기 제 1 전류를 정전용량으로 충전하여 충전전압을 출력신호로 하는 루프 필터와,
상기 루프 필터의 출력신호와 상기 보조 챠지 펌프의 출력신호를 가산한 신호에 따라 주파수를 바꾸고 상기 비교신호를 출력하는 주파수 가변 발진회로와,
상기 루프 필터의 출력신호를 전류로 변환하기 위한 전압전류 변환회로를 구비하는 위상동기회로에 있어서,
상기 위상동기회로는 상기 위상 비교기, 상기 챠지 펌프, 상기 보조 챠지 펌프, 상기 루프 필터 및 상기 주파수 가변 발진회로를 이용하여 귀환 루프를 형성하고 있으며,
상기 주파수 가변 발진회로는,
종속접속되며, 최종단의 지연회로의 출력이 최초단의 지연회로의 출력으로 귀환되는 복수의 지연회로를 구비하며,
상기 복수의 지연회로의 각각은 지연량 가변의 지연회로이며, 또한 차동증폭회로 및 정귀환회로를 가지며, 상기 차동증폭회로는 극성이 상호 반전하고 있는 차동신호를 입력하여 증폭하고, 상기 정귀환회로는 그 입력단자 및 제 1 출력단자가 상호 교차하여 접속되며, 또한 상기 차동증폭회로의 출력단자에 접속되는 2개의 증폭회로를 구비하고,
상기 차동증폭회로는 제 1 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 상기 정귀환 회로를 구성하는 2개의 증폭회로가 제 2 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 상기 제 1 및 제 2 증폭회로 요소의 각각은 pmos 트랜지스터와 nmos 트랜지스터를 직렬로 접속하여 이루어지는 상보형증폭회로이며, 상기 상보형증폭회로는 상기 pmos트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 게이트전극을 서로 접속함으로써 형성되는 입력단자와, 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 드레인 전극을 서로 접속함으로써 형성되는 출력단자를 구비하고,
상기 지연회로의 각각은 상기 상보형증폭회로의 소스전류를 제어하기 위한 제어용 mos 트랜지스터를 가지며, 상기 제어용 mos 트랜지스터는 상기 차동증폭회로 및 상기 정귀환회로를 구성하는 상기 상보형증폭회로에 공통으로 설치되며, 상기 제어용 mos 트랜지스터와 상기 상보형증폭회로가 전원공급단자와 접지단자 간에 직렬로 접속되며,
상기 위상비교기는 상기 주파수 가변 발진회로의 발진주파수를 상승시키기 위한 제어신호(이하 ""up 신호""라고 함)와 하강시키기 위한 제어신호(이하 ""dn 신호""라고 함)와 각각의 반전신호(이하, 상기순으로 ""upb 신호, dnb 신호""라고 함)를 상기 위상차로서 출력하는 것이며,
상기 보조 챠지 펌프는,
제 1 정전류원과,
제 2 정전류원과,
up신호와 upb신호를 입력하여 제 1 정전류원의 전류를 바꾸는 제 1 차동회로와,
dn신호와 dnb신호를 입력하여 제 2 정전류원의 전류를 바꾸는 제 2 차동회로와,
dn신호가 유효할 때 제 2 차동회로가 출력하는 전류를 복제하는 커런트밀러회로로 이루어지며,
up신호가 유효할 때 제 2 차동회로가 전류를 출력하는 단자와 커런트밀러 회로가 복제전류를 출력하는 단자를 연결하여 이루어지는 단자가 보조 챠지 펌프의 상기 출력신호를 출력하는 단자인 것을 특징으로 하는 위상동기회로."
[청구항 17]
청구항 16에 있어서,상기 보조 챠지 펌프는 상기 제 1 정전류원 및 상기 제 2 정전류원의 전류를 상기 루프 필터의 출력신호에 비례하여 변화시키는수단갖는것을특징으로 하는위상동기회로.
[청구항 18]
종속접속되며, 최종단의 지연회로의 출력이 최초단의 지연회로의 입력에 귀환되는 복수의 지연회로를 구비하고,
상기 복수의 지연회로의 각각은 지연량 가변의 지연회로이며, 또한 차동증폭회로 및 정귀환회로로 이루어지며, 상기 차동증폭회로는 2개의 제 1 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 극성이 상호 반전하고 있는 차동신호를 입력하여 증폭하고, 상기 정귀환회로는 2개의 제 2 증폭회로 요소에 의해 구성되며, 그 입력단자 및 출력단자가 상호 교차하여 접속되며 또한 상기 차동증폭회로의 출력단자에 접속되며,
상기 제 1 증폭회로 요소 및 제 2 증폭회로 요소의 각각은 pmos 트랜지스터와 nmos 트랜지스터를 직렬로 접속하여 이루어지는 상보형증폭회로이며, 상기 상보형증폭회로는 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 게이트 전극을 서로 접속함으로써 형성되는 입력단자와, 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 드레인 전극을 서로 접속함으로써 형성되는 출력단자를 구비하고,
상기 지연회로의 각각은 상기 상보형증폭회로의 소스전류를 제어하기 위한 제어용 mos 트랜지스터를 가지며, 상기 제어용 mos 트랜지스터와 상기 상보형증폭회로의 각각이 전원공급단자와 접지단자 간에 직렬로 접속되며,
상기 정귀환회로의 상기 상보형증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 한쪽이 온상태이고 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 다른 쪽이 오프상태이며,
상기 차동증폭회로의 상기 상보형 증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 각각의 게이트 폭이 상기 정귀환회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 각각의 게이트 폭보다도 큰 것을 특징으로 하는 주파수 가변발진회로
[청구항 19]
청구항 18에 있어서,상기 차동증폭회로의 상기 상보형증폭회로의 상기pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 각각의 전압전류 변환 이득이 상기 정귀환회로의 상기 상보형증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 각각의 전압전류 변환이득보다도 큰 것특징으로 하는주파수 가변 발진회로.
[청구항 20]
청구항 18 또는 청구항 19에 있어서,상기 제어용mos 트랜지스터는 상기 상보형증폭회로의 출력의 상태에 따라 그전류변동하는것을특징으로 하는주파수 가변 발진회로.
[청구항 21]
청구항 18 또는 청구항 19에 있어서,상기 제어용mos 트랜지스터를 흐르는 전류는 상기 상보형증폭회로의 출력이 과도상태에 있는지 안정상태에 있는지에 따라변화하는것을특징으로 하는주파수 가변 발진회로.
[청구항 22]
청구항 18 또는 청구항 19에 있어서,상기 제어용mos트랜지스터는 상기 상보형증폭회로의 출력이 안정상태에 있을 때 전류가최소되는것을특징으로 하는주파수 가변 발진회로.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
주파수 가변발진회로에서 차동증폭회로의 상보형 증폭회로가 가지는 전압전류 변환 이득과 정귀환회로의 상보형 증폭회로가 가지는 전압전류 변환 이득 사이의 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation주파수 가변발진회로 내 차동증폭회로의 상보형 증폭회로와 정귀환회로의 상보형 증폭회로가 가지는 전압전류 변환 이득 사이의 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1 및 청구항 12, 19 등에서 차동증폭회로의 상보형 증폭회로와 정귀환회로의 상보형 증폭회로에 관한 이득 정보를 추출한다.
- 상기 차동증폭회로의 상기 상보형증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos트랜지스터의 각각의 전압전류 변환 이득이 상기 정귀환회로의 상기 상보형 증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 각각의 전압 전류 변환이득보다도 큰 것
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3근거 선택
evidence_selection두 회로 요소의 전압전류 변환 이득을 직접 비교하고 있는 구절을 선택한다.
- 상기 차동증폭회로의 상기 상보형증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos트랜지스터의 각각의 전압전류 변환 이득이 상기 정귀환회로의 상기 상보형 증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 각각의 전압 전류 변환이득보다도 큰 것
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4논리 통합
logical_integration차동증폭회로의 상보형 증폭회로 이득이 정귀환회로의 상보형 증폭회로 이득보다 크다는 관계를 도출한다.
- 상기 차동증폭회로의 상기 상보형증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos트랜지스터의 각각의 전압전류 변환 이득이 상기 정귀환회로의 상기 상보형 증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 각각의 전압 전류 변환이득보다도 큰 것
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대해 차동증폭회로의 이득이 정귀환회로의 이득보다 크다는 결론을 내린다.
- 상기 차동증폭회로의 상기 상보형증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos트랜지스터의 각각의 전압전류 변환 이득이 상기 정귀환회로의 상기 상보형 증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 각각의 전압 전류 변환이득보다도 큰 것
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 차동증폭회로의 상기 상보형증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos트랜지스터의 각각의 전압전류 변환 이득이 상기 정귀환회로의 상기 상보형 증폭회로의 상기 pmos 트랜지스터 및 nmos 트랜지스터의 각각의 전압 전류 변환이득보다도 큰 것
최종 답변 (final_answer)
차동증폭회로의 상보형 증폭회로가 가지는 전압전류 변환 이득이 정귀환회로의 상보형 증폭회로가 가지는 전압전류 변환 이득보다 크다.
핵심 해석 (core_interpretation)
주파수 가변발진회로에서 차동증폭회로의 상보형 증폭회로가 정귀환회로의 상보형 증폭회로보다 더 큰 전압전류 변환 이득을 갖도록 설계되어 있다.