반도체기판의 제조방법, 반도체박막의 제조방법 및 다층구조 document_id 1019990017525

[청구항 2] 제 1항에 있어서,수소어닐링은 수소를 함유하는 환원성분위기에서단결정실리콘기판열처리하는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 3] 제 2항에 있어서,상기 단결정실리콘기판은 cz실리콘웨이퍼인것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 4] 제 2항에 있어서,상기 단결정실리콘기판은 mcz실리콘웨이퍼인것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 5] 제 2항에 있어서,상기 표면층부분은, 단결정실리콘기판내의 결정에서 유래된 입자(cop:crystal originated particles), 흐름패턴결함(fpd: flow pattern defects) 또는 산화유도적층결함(osf:oxidation induced stacking faults)의 수가 동일한 기판의 임의의 다른 영역에서 보다 작은,결함층인것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 6] 제 2항에 있어서,수소어닐링은 800℃와 상기 제 1기판의 융점사이를 포함하는 온도에서 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 7] 제 2항에 있어서,수소어닐링은 900℃와 1350℃사이를 포함하는 온도에서 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 표면층부분내에 함유된 cop의 밀도는 0/㎤와 5×106/㎤사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 9] 제 1항에 있어서,상기 표면층부분내에 함유된 cop의 밀도는 0/㎤와 1×106/㎤사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 10] 제 1항에 있어서,상기 표면층부분내에 함유된 cop의 밀도는 0/㎤와 5×105/㎤사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 11] 제 8항 내지 제 10항중 어느 한 항에 있어서,상기cop의 밀도는 상기 표면층부분의 최외측표면으로부터 상기 분리층으로 연장하는 깊이의 영역내에서단위체적수인것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 12] 제 1항에 있어서,상기 표면층부분의 표면에서 단위웨이퍼당 cop의 수는0과500사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 13] 제 1항에 있어서,상기 표면층부분의 표면에서 단위웨이퍼당 cop의 수는0과100사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 14] 제 1항에 있어서,상기 표면층부분의 표면에서 단위웨이퍼당 cop의 수는0과10사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 15] 제 1항에 있어서,상기 표면층부분의 표면에서 단위면적당 cop의 수는 0/㎠와 1.6/㎠사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 16] 제 1항에 있어서,상기 표면층부분의 표면에서 단위면적당 cop의 수는 0/㎠와 0.5/㎠사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 17] 제 1항에 있어서,상기 표면층부분의 표면에서 단위면적당 cop의 수는 0/㎠와 0.05/㎠사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 18] 제 1항에 있어서,상기 표면층부분의 표면에서 단위면적당 osf의 수는 0/㎠와 10/㎠사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 19] 제 1항에 있어서,상기 표면층부분의 표면에서 단위면적당 fpd의 수는 0/㎠와 5×102/㎠사이에 포함되고, 더욱 바람직하게는 0/㎠와 1×102/㎠사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 20] 제 1항에 있어서,상기 표면층부분의 표면에서산소농도이하인것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 21] 제 5항에 있어서,상기 분리층은 상기 결함이 보다 적은층내형성된것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 22] 제 1항에 있어서,상기 분리층형성스텝은 1.0×1016/㎠ 내지 2.0×1017/㎠에 포함된 범위내에 있는 1회 주입량으로 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 23] 제 1항에 있어서,상기 분리층은 마이크로버블집합인것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 24] 제 1항에 있어서,상기 분리층형성스텝은 플라즈마이온주입에 의해 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 25] 제 1항에 있어서,상기 분리층형성스텝은 절연층이 상기 표면층부분위에 형성된 후 행해진 이온주입에 의해 행히지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 26] 제 1항에 있어서,상기 접착스텝은, 상기 제 1기판과 상기 제 2기판사이에 절연층을 개재시킴으로써, 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 27] 제 25항 또는 제 26항에 있어서,상기 절연층을 상기 표면층부분의 표면을 열산화함으로써 형성되는열산화막인것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 28] 제 1항에 있어서,상기 제 2기판은 단결정실리콘기판, 석영기판, 유리기판 및 화합물반도체기판으로 이루어진 군으로부터 선택된부재인것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 29] 제 1항에 있어서,상기 접착스텝은 실온과 400℃사이에 포함되는 온도에서의 열처리를 포함하는 처리스텝에 의해 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 30] 제 1항에 있어서,상기 이전스텝은, 상기 다층구조를 상기 분리층내에서, 상기 분리층과 상기 표면층부분 사이의 계면에서, 상기 분리층과 상기 제 1기판 사이의 계면에서, 또는 이들중 적어도 2개의 조합에 의해, 상기 다층구조를 분리함으로써 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 31] 제 1항에 있어서,상기 이전스텝은 400℃와 1000℃사이에 포함되는 온도에서 상기 다층구조를 열처리함으로써 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 32] 제 1항에 있어서,상기 이전스텝은 400℃와 600℃사이에 포함되는 온도에서 상기 다층구조를 열처리함으로써 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 33] 제 1항에 있어서,상기 이전스텝은 상기 다층구조의 측면에 대해 유체를 스프레이함으로써 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 34] 제 33항에 있어서,상기 유체는 물, 공기, 질소가스, 탄산가스 및 희가스로 이루어진 군으로부터 선택된부재인것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 35] 제 1항에 있어서,상기 이전스텝은 상기 다층구조에 인장력 및 전단력중 어느 하나를 인가함으로써 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 36] 제 1항에 있어서,상기 이전스텝후, 상기 제 2기판위에 중첩하는 상기 표면층부분위에 남아있는 상기 분리층을 제거하는 스텝을 부가하여구비한것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 37] 제 36항에 있어서,상기 분리층을 제거하는 상기 스텝은 수소함유환원성분위기에서 행해지는 열처리에 의해 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 38] 제 36항에 있어서,상기 분리층을 제거하는 상기 스텝은, 플루오르화수소산, 적어도 알콜 또는 과산화수소가 플루오르화수소산에 첨가된 혼합용액, 완충플루오르화수소산, 및 적어도 알콜 또는 과산화수소가 완충 플루오르화수소산에 첨가된 혼합용액으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 부재내에 상기 분리층을 침지시킴으로써, 상기 분리층은 비전해습식화학에칭이 선택적으로 행해져 제거되는에칭스텝인것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 39] 제 36항에 있어서,상기 분리층을 제거하는 상기 스텝은 상기 제 2기판 위에 남아있는 상기 분리층을 연마함으로써 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 40] 제 36항에 있어서,상기 분리층을 제거하는 상기 스텝은 화학기계적 연마에 의해 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 41] 제 38항, 제 39항, 제 40항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2기판위에 남아있는 상기 분리층을 연마 또는 에칭에 의해 제거하는 상기 스텝후, 상기 제 2기판위에 이전된 상기 제 1기판의 상기 표면층부분이수소함유환원성분위기열처리되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 42] 제 1항에 있어서,상기 제 2기판위에 이전된 상기 제 1기판의 상기 표면층부분은, 이것의 바깥쪽 표면으로부터 측정된 상기 표면층부분의 깊이에 따라 단위웨이퍼당 cop의 수가 감소되는 경향이 있는 것특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 43] 제 1항에 있어서,상기 이전스텝 후, 수소함유환원성분위기에서 상기 제 2기판위에 이전된 상기 제 1기판의 상기 표면층부분을 열처리하는 스텝을 부가하여구비한것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 44] 제 43항에 있어서,열처리는 800℃와 상기 제 1기판의 융점사이에 포함되는 온도에서 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 45] 제 43항에 있어서,열처리는 900℃와 1350℃사이의 온도에서 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 46] 제 37항 또는 제 43항에 있어서,열처리는 상기 제 2기판위에 이전된 상기 제 1기판의 상기 표면층부분의 표면을 실리콘옥사이드에 대향하여 배치함으로써 행해지는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 47] 제 1항 또는 제 43항에 있어서,상기 이전스텝후, 상기 표면층부분의 표면에서 단위웨이퍼당 함유된 cop의 수는0과100사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 48] 제 1항 또는 제 43항에 있어서,상기 이전스텝후, 상기 표면층부분의 표면에서 단위웨이퍼당 함유된 cop의 수는0과10사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 49] 제 1항 또는 제 43항에 있어서,상기 이전스텝후, 상기 표면층부분의 표면에서 단위면적당 함유된 cop의 수는 0/㎠와 0.5/㎠사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 50] 제 1항 또는 제 43항에 있어서,상기 이전스텝후, 상기 표면층부분의 표면에서 단위면적당 함유된 cop의 수는 0/㎠와 0.05/㎠사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 52] 제 51항에 있어서,제 1열처리온도는 실온과 500℃사이에 포함되는 반면, 제 2열처리온도는 800℃와실리콘의융점사이포함되는것을특징으로 하는반도체기판의 제조공정. [청구항 54] 제 53항에 있어서,수소어닐링은 수소를 함유하는 환원성 분위기에서상기표면층부분열처리하는것을특징으로 하는반도체박막의 제조공정. [청구항 55] 제 54항에 있어서,열처리는 800℃내지 실리콘의 융점을 포함하는 온도범위내에서 행해지는것을특징으로 하는반도체박막의 제조공정. [청구항 56] 제 53항에 있어서,상기 분리스텝후, 상기 표면층부분의 표면에서 단위웨이퍼당 함유된 cop의 수는0과100사이포함되는것을특징으로 하는반도체박막의 제조공정. [청구항 57] 제 53항에 있어서,상기 분리스텝후, 상기 표면층부분의 표면에서 단위웨이퍼당 함유된 cop의 수는0과10사이포함되는것을특징으로 하는반도체박막의 제조공정. [청구항 58] 제 53항에 있어서,상기 분리스텝후, 상기 표면층부분의 표면에서 단위면적당 함유된 cop의 수는 0/㎠와 0.5/㎠사이포함되는것을특징으로 하는반도체박막의 제조공정. [청구항 59] 제 53항에 있어서,상기 분리스텝후, 상기 표면층부분의 표면에서 단위 면적당 함유된 cop의 수는 0/㎠와 0.05/㎠사이포함되는것을특징으로 하는반도체박막의 제조공정.