문맥 (context)
[청구항 12]
제11항에 있어서,복수의 상기 이온 주입 저지막은, 적어도 상기 제어 전극들의 대향측에서 연장하고, 또한 적어도 상기 제어 전극과 실질적으로 동일한높이연장하는것을특징으로 하는반도체 구조체.
[청구항 13]
제12항에 있어서,복수의 상기 제어 전극이 제공되고, 상기 이온 주입 저지막은적어도상기제어 전극사이의개구내연장하는것을특징으로 하는반도체 구조체.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 이온 주입 저지막은 상기 제어 전극 사이의 상기 개구 내에서 연장할 뿐만 아니라, 또한 상기 제어 전극의 에지부위쪽연장하는것을특징으로 하는반도체 구조체.
[청구항 15]
제12항에 있어서,상기 이온 주입 저지막은 상기 제어 전극에셀프얼라인되는것을특징으로 하는반도체 구조체.
[청구항 16]
제11항에 있어서,복수의 상기 이온 주입 저지막이 상기 제어 전극의 대향측 위쪽에서 연장하여 상기 이온 주입 저지막이상기제어 전극위쪽위치하도록하는것을특징으로 하는반도체 구조체.
[청구항 17]
제16항에 있어서,복수의 상기 제어 전극이 제공되고, 상기 제어 전극 사이의 개구 내에서 연장하며 또한 상기 제어 전극 위쪽에서 연장하는 층간 절연막이 제공되고, 상기 이온 주입 저지막은상기제어 전극사이의상기개구내의상기층간 절연막위쪽연장하는것을특징으로 하는반도체 구조체.
[청구항 18]
제11항에 있어서,상기 이온 주입 저지막의 상기 재료는절연 재료인것을특징으로 하는반도체 구조체.
[청구항 19]
제18항에 있어서,상기 이온 주입 저지막의 상기 재료는금속산화물포함하는것을특징으로 하는반도체 구조체.
[청구항 25]
제24항에 있어서,상기 이온 주입 저지막이 접지되어 상기 이온 주입 저지막이접지전위하는것을특징으로 하는반도체 구조체.
[청구항 27]
제26항에 있어서,복수의 상기 게이트 전극이 제공되고, 상기 이온 주입 저지막은적어도상기게이트 전극사이의개구내연장하는것을특징으로 하는반도체 메모리 셀 구조체.
[청구항 28]
제27항에 있어서,상기 이온 주입 저지막은 상기 게이트 전극 사이의 상기 개구 내에서 연장할 뿐만 아니라, 또한 상기 게이트 전극의 에지부위쪽연장하는것을특징으로 하는반도체 메모리 셀 구조체.
[청구항 29]
제27항에 있어서,상기 이온 주입 저지막은, 상기 게이트 전극 사이의 상기 개구 내에서 연장할 뿐만 아니라, 또한 상기 반도체 활성 영역 내에 형성되며 상기 개구 아래에 위치하는 그루브 내에서 연장하여, 상기 이온 주입 저지막의 하부가상기제1확산영역의대향측위치되는것을특징으로 하는반도체 메모리 셀 구조체.
[청구항 30]
제27항에 있어서,상기 이온 주입 저지막은 패시베이션막에 의해상기게이트 전극분리되는것을특징으로 하는반도체 메모리 셀 구조체.
[청구항 31]
제26항에 있어서,상기 이온 주입 저지막은 상기 게이트 전극에셀프얼라인되는것을특징으로하는반도체 메모리 셀 구조체.
[청구항 32]
제26항에 있어서,복수의 상기 게이트 전극이 제공되고, 상기 게이트 전극 사이의 개구 내에서 연장하며 또한 상기 게이트 전극 위에서 연장하는 층간 절연체가 제공되고, 상기 이온 주입 저지막은 상기 게이트 전극 사이의 상기 개구 내의 상기 층간 절연체 위에서 연장하여 상기 이온 주입 저지막이 상기 게이트 전극의 대향측에서 연장하도록 하며, 상기 이온 주입 저지막은상기게이트 전극위위치하는것을특징으로 하는반도체 메모리 셀 구조체.
[청구항 34]
제33항에 있어서,상기 이온 주입 저지막은, 상기 반도체 활성 영역 내에 형성되며 상기 개구 아래에 위치하는 그루브 내에서 연장할 뿐만 아니라,상기제어 전극사이의상기개구내연장하는것을특징으로 하는반도체 구조체.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제17항의 반도체 구조체에서 이온 주입 저지막이 연장되는 위치와 그 하부에 존재하는 구성 요소 간의 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제17항을 바탕으로 이온 주입 저지막의 연장 위치와 그 하부에 존재하는 구성 요소(층간 절연막) 간의 공간적 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction제17항에서 이온 주입 저지막은 제어 전극 사이의 개구 내에서 연장하며, 층간 절연막은 제어 전극 사이의 개구 내에서 연장하고 제어 전극 위쪽에서 연장한다.
- 상기 제어 전극 사이의 개구 내에서 연장하며 또한 상기 제어 전극 위쪽에서 연장하는 층간 절연막이 제공되고, 상기 이온 주입 저지막은상기제어 전극사이의상기개구내의상기층간 절연막위쪽연장하는것을특징으로 하는반도체 구조체
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3근거 선택
evidence_selection이온 주입 저지막이 층간 절연막의 '위쪽'에서 연장된다는 구절을 핵심 근거로 선택한다.
- 상기 이온 주입 저지막은상기제어 전극사이의상기개구내의상기층간 절연막위쪽연장하는것을특징
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4논리 통합
logical_integration이온 주입 저지막이 층간 절연막 위쪽에서 연장되므로, 층간 절연막은 이온 주입 저지막의 하부에 위치하게 된다.
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5결론 도출
conclusion_formulation이온 주입 저지막은 제어 전극 사이의 개구 내에서 층간 절연막의 상부에 위치하여 연장되는 관계를 가진다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 이온 주입 저지막이 층간 절연막의 위쪽에서 연장된다는 점을 명시하여 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제17항에 따르면, 이온 주입 저지막은 제어 전극 사이의 개구 내에서 층간 절연막의 위쪽에서 연장된다. 따라서 층간 절연막은 이온 주입 저지막의 하부에 위치하는 관계를 가진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
이온 주입 저지막과 층간 절연막이 제어 전극 사이의 개구 내에서 수직적으로 적층되어, 이온 주입 저지막이 층간 절연막 상부에 위치하도록 구성된 구조적 관계를 나타낸다.