문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 웨이퍼, 패키징된 lsi 또는 인쇄 회로 기판(검사 대상 디바이스)을 검사하기 위한 접촉기에 있어서,
전기적 전도 경로인 상호연결 트레이스를 상부에 갖고 있는 유전체 기판과,
상기 유전체 기판상에 포토리소그라피 공정을 통해 형성된 접촉기로서, 상기 유전체 기판상에 수직하게 형성된 베이스 부분과, 일단부가 상기 베이스 부분상에 형성된 수평 부분과, 상기 수평 부분의 타단부에 수직하게 형성된 접촉 부분을 가진 접촉기
를 구비하며, 상기 접촉기의 수평 부분은 상기 접촉기가 상기 검사 대상 디바이스에 대해 가압되는 경우에 접촉력을 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 검사 접촉기
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 유전체 기판상에 상기 상호연결 트레이스 및 상기 접촉기에 전기적으로 연결되는상호연결부분더포함하는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 검사 접촉기.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 유전체 기판이특정의유전상수및투자율갖는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 검사 접촉기.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 상호연결 트레이스는 금속으로 제조되며, 침착, 증발, 스퍼터링 또는 도금 공정에 의해서형성되는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 검사 접촉기.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 접촉기는 상기 상호연결 트레이스상에 직접 형성되어그들간의전기적접속이루는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 검사 접촉기.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 접촉기는 금속으로 제조되며, 상기 상호연결 트레이스상에 포토 마스크를 형성한 후에 침착 공정에 의해서형성되는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 검사 접촉기.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 접촉기는 상기 상호연결 트레이스상에 적어도 3회의 포토리소그라피 공정을 반복하는 것에 의해서 형성되며, 상기 포토리소그라피 공정들 각각은 포토레지스트 코팅, 마스킹, 노출,포토레지스트스트리핑및전도성재료침착단계들포함하는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 검사 접촉기.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 접촉기의 상기 접촉 부분의 재료는 상기 접촉기 부분을 형성하는데 사용되는 재료가 아닌 다른재료포함하는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 검사 접촉기.
[청구항 9]
반도체 웨이퍼, 패키징된 lsi 또는 인쇄 회로 기판(검사 대상 디바이스)을 검사하기 위한 접촉기에 있어서,
전기적 전도 경로인 상호연결 트레이스를 상부에 갖고 있는 실리콘 기판과,
상기 실리콘 유전체 기판상에 포토리소그라피 공정을 통해 형성된 접촉기로서, 상기 실리콘 유전체 기판상에 수직하게 형성된 베이스 부분과, 일단부가 상기 베이스 부분상에 형성된 수평 부분과, 상기 수평 부분의 타단부에 수직하게 형성된 접촉 부분을 가진 접촉기
를 구비하며, 상기 접촉기의 수평 부분은 상기 접촉기가 상기 검사 대상 디바이스에 대해 가압되는 경우에 접촉력을 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 검사 접촉기
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 실리콘 유전체 기판상에 상기 상호연결 트레이스 및 상기 접촉기에 전기적으로 연결되는상호연결부분더포함하는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 검사 접촉기.
[청구항 11]
제9항에 있어서,상기 상호연결 트레이스는 금속으로 제조되며, 침착, 증발, 스퍼터링 또는 도금 공정에 의해서형성되는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 검사 접촉기.
[청구항 12]
제9항에 있어서,상기 접촉기는 상기 상호연결 트레이스상에 직접 형성되어그들간의전기적접속이루는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 검사 접촉기.
[청구항 13]
제9항에 있어서,상기 접촉기는 금속으로 제조되며, 상기 상호연결 트레이스상에 포토 마스크를 형성한 후에 침착 공정에 의해서형성되는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 검사 접촉기.
[청구항 14]
제9항에 있어서,상기 접촉기는 상기 상호연결 트레이스상에 적어도 3회의 포토리소그라피 공정을 반복하는 것에 의해서 형성되며, 상기 포토리소그라피 공정들 각각은 포토레지스트 코팅, 마스킹, 노출,포토레지스트스트리핑및전도성재료침착단계들포함하는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 검사 접촉기.
[청구항 15]
제9항에 있어서,상기 접촉기의 상기 접촉 부분의 재료는 상기 접촉기 부분을 형성하는데 사용되는 재료가 아닌 다른재료포함하는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 검사 접촉기.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 접촉기 구성 요소 중, 검사 대상 디바이스에 가압될 때 접촉력을 생성하는 부분은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1의 접촉기 구성 요소 중 검사 대상 디바이스 가압 시 접촉력을 생성하는 특정 부분을 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 접촉기의 구성 요소인 베이스 부분, 수평 부분, 접촉 부분을 확인한다.
- 상기 유전체 기판상에 포토리소그라피 공정을 통해 형성된 접촉기로서, 상기 유전체 기판상에 수직하게 형성된 베이스 부분과, 일단부가 상기 베이스 부분상에 형성된 수평 부분과, 상기 수평 부분의 타단부에 수직하게 형성된 접촉 부분을 가진 접촉기
- 상기 접촉기의 수평 부분은 상기 접촉기가 상기 검사 대상 디바이스에 대해 가압되는 경우에 접촉력을 생성하는 것을 특징으로 하는
-
3근거 선택
evidence_selection가압 시 접촉력을 생성한다는 기능적 설명이 포함된 구절을 선택한다.
- 상기 접촉기의 수평 부분은 상기 접촉기가 상기 검사 대상 디바이스에 대해 가압되는 경우에 접촉력을 생성하는 것을 특징으로 하는
-
4논리 통합
logical_integration접촉기의 수평 부분이 가압 시 접촉력을 생성한다는 문맥적 인과관계를 연결한다.
- 상기 접촉기의 수평 부분은 상기 접촉기가 상기 검사 대상 디바이스에 대해 가압되는 경우에 접촉력을 생성하는 것을 특징으로 하는
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답으로 '수평 부분'을 도출한다.
- 상기 접촉기의 수평 부분은 상기 접촉기가 상기 검사 대상 디바이스에 대해 가압되는 경우에 접촉력을 생성하는 것을 특징으로 하는
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6답변 생성
answer_generation추출된 핵심 구성 요소인 '수평 부분'을 최종 답변으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
검사 대상 디바이스에 가압될 때 접촉력을 생성하는 부분은 수평 부분이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 접촉기의 수평 부분이 검사 대상 디바이스 가압 시 접촉력을 생성하도록 설계된 반도체 웨이퍼 검사용 접촉기에 관한 기술이다.