문맥 (context)
[청구항 1]
강유전체 메모리 소자에 있어서,
기판 상에 형성된 트랜지스터
상기 트랜지스터를 덮는 제1 층간절연막
상기 제1 층간절연막 내에 각각 형성되어 상기 트랜지스터의 소오스를 노출시키는 제1 콘택홀 및 상기 트랜지스터의 드레인을 노출시키는 제2 콘택홀
상기 제1 콘택홀을 통하여 상기 소오스와 접하는 비트라인
상기 제2 콘택홀을 통하여 상기 드레인과 연결되는 제1 전도막 패턴
상기 비트라인 및 상기 제1 전도막 패턴을 덮는 제2 층간절연막
상기 제2 층간절연막 상에 형성된 하부전극, 강유전체막 및 상부전극으로 이루어져 상기 트랜지스터와 중첩되는 캐패시터
상기 캐패시터를 덮는 제3 층간절연막
상기 제3 층간절연막 내에 형성되어 상기 캐패시터의 상부전극을 노출시키는 제3 콘택홀, 상기 제3 층간절연막 및 상기 제2 층간절연막 내에 형성되어 상기 제1 전도막 패턴을 노출시키는 제4 콘택홀; 및
상기 제3 콘택홀 및 상기 제4 콘택홀을 통하여 상기 제1 전도막 패턴과 상기 캐패시터의 상부전극을 연결시키는 제2 전도막 패턴
을 포함하는 강유전체 메모리 소자
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 제2 전도막 패턴을 덮는 제4 층간절연막;상기 제4 층간절연막 상에 형성되어 주변회로 영역에서는 금속배선으로서 역할을 하며 상기 강유전체 캐패시터가 형성된 메모리 중심영역에서는 방지막으로 역할하는 금속막; 및상기 금속막 상에 형성된페시베이션층더포함하는것을특징으로 하는강유전체 메모리 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
강유전체 메모리 소자에서 제2 전도막 패턴은 어떤 구성 요소들을 연결하는 역할을 수행하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제2 전도막 패턴이 어떤 구성 요소들을 연결하는 기능을 수행하는지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 제2 전도막 패턴의 연결 대상에 관한 기술적 구절을 추출한다.
- 상기 제3 콘택홀 및 상기 제4 콘택홀을 통하여 상기 제1 전도막 패턴과 상기 캐패시터의 상부전극을 연결시키는 제2 전도막 패턴
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3근거 선택
evidence_selection제2 전도막 패턴이 연결하는 두 대상인 '제1 전도막 패턴'과 '캐패시터의 상부전극'을 근거로 선택한다.
- 상기 제1 전도막 패턴과 상기 캐패시터의 상부전극을 연결시키는 제2 전도막 패턴
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4논리 통합
logical_integration제2 전도막 패턴은 제3 콘택홀과 제4 콘택홀을 매개로 하여 제1 전도막 패턴과 캐패시터의 상부전극을 전기적으로 연결함을 알 수 있다.
- 상기 제3 콘택홀 및 상기 제4 콘택홀을 통하여 상기 제1 전도막 패턴과 상기 캐패시터의 상부전극을 연결시키는 제2 전도막 패턴
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 제1 전도막 패턴과 캐패시터의 상부전극을 연결한다는 결론을 도출한다.
- 상기 제1 전도막 패턴과 상기 캐패시터의 상부전극을 연결시키는 제2 전도막 패턴
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 제1 전도막 패턴과 상기 캐패시터의 상부전극
최종 답변 (final_answer)
제1 전도막 패턴과 캐패시터의 상부전극
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제2 전도막 패턴을 이용하여 제1 전도막 패턴과 캐패시터의 상부전극을 전기적으로 연결함으로써 강유전체 메모리 소자의 회로 구성을 완성하는 기술에 관한 것이다.