냉음극전계방출소자,냉음극전계방출형표시장치,및그들의제조방법 document_id 1019990029943

[청구항 45] (a) 절연성 기체 상에 형성된 패턴된 전극층, (b) 절연성 기체 및 전극층 상에 형성된 층간 절연층, (c) 상기 층간 절연층 상에 형성된, 제1 도전체층으로 이루어지는 게이트 전극, 및 (d) 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하는 개구부의 바닥부에 위치하는 상기 전극층 상에 배설된, 기둥형 형상을 가지는 에미터 전극 으로 이루어지는 냉음극 전계 방출 소자로서, 상기 에미터 전극은 게이트 전극을 층간 절연층 상에 형성한 후, 최소한 층간 절연층을 관통하여, 바닥부에 전극층이 노출된 개구부를 형성하고, 이어서 상기 개구부의 측벽에 절연재료로 이루어지는 사이드월을 형성함으로써 개구부의 직경을 축소하고, 그 후, 개구부 내면을 포함하는 전면에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막한 후, 상기 제2 도전체층을 에치 백하고, 이어서, 최소한 사이드월의 상부를 제거함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 냉음극 전계 방출 소자 [청구항 46] 제45항에 있어서,에미터 전극의 선단면과 게이트 전극에 형성된 개구부의 에지부를 연결하는 선분 상에사이드월존재하지않는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출 소자. [청구항 47] 제46항에 있어서,게이트 전극에 형성된 개구부의 단부는 층간 절연층에 형성된개구부의상단부돌출되어있는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출 소자. [청구항 48] 제45항에 있어서,제2 도전체층의 에치 백에 의해 에미터 전극의 선단면에는 예각부가 형성되고, 상기 예각부는 선단면의 중앙부에 형성된 오목부로부터 선단면의 주위부로 향하는 면과,에미터전극의측면구성되어있는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출 소자. [청구항 49] 제45항에 있어서,에미터 전극의 선단면에는 예각부가 형성되고, 상기 예각부는 선단면의 중심부를 향해 돌출된 첨단면으로 구성되어 있고,이러한 에미터 전극은 개구부 내면을 포함하는 전면에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막한 후, 전면에 마스크 재료층을 형성하고, 상기 마스크 재료층을 부분적으로 제거함으로써 층간 절연층에 형성된 개구부 상방의 제2 도전체층 상에 마스크 재료층을 남기고, 이어서 상기 제2 도전체층을 에치 백한 후, 최소한 사이드월의 상부를 제거함형성된것을특징으로 하는냉음극 전계 방출 소자. [청구항 50] 제49항에 있어서,제2 도전체층의 에칭 레이트가 마스크 재료층의 에칭 레이트보다 높은 에칭 조건으로,제2도전체층을에치백하는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출 소자. [청구항 51] (a) 절연성 기체 상에 형성된 패턴된 전극층, (b) 절연성 기체 및 상기 전극층 상에 형성된 층간 절연층, (c) 상기 층간 절연층 상에 형성된 도전체층으로 이루어지는 게이트 전극, 및 (d) 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하는 개구부의 바닥부에 위치하는 상기 전극층 상에 배설된, 기둥형 형상을 가지는 에미터 전극 으로 이루어지는 냉음극 전계 방출 소자로서, 에미터 전극은 게이트 전극을 층간 절연층 상에 형성한 후, 최소한 층간 절연층을 관통하여, 바닥부에 전극층이 노출된 개구부를 형성하고, 이어서 상기 개구부의 측벽 면을 포함하는 전면에 절연재료층을 형성함으로써 개구부의 직경을 축소하고, 그 후 개구부 내를 포함하는 절연재료층 상에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막한 후, 상기 제2 도전체층을 에치 백함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 냉음극 전계 방출 소자 [청구항 52] 제51항에 있어서,제2 도전체층의 에치 백에 의해 에미터 전극의 선단면에는 예각부가 형성되고, 상기 예각부는 선단면의 중앙부에 형성된 오목부로부터 선단면의 주위부로 향하는 면과,에미터전극의측면구성되어있는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출 소자. [청구항 53] 제51항에 있어서,에미터 전극의 선단면에는 예각부가 형성되고, 상기 예각부는 선단면의 중앙부를 향해 돌출된 첨단면으로 구성되어 있고,상기 에미터 전극은 개구부 내를 포함하는 절연재료층 상에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막한 후, 전면에 마스크 재료층을 형성하고, 상기 마스크 재료층을 부분적으로 제거함으로써 층간 절연층에 형성된 개구부 상방의 제2 도전체층 상에 마스크 재료층을 남기고, 이어서 상기 제2 도전체층을 에치 백함형성된것을특징으로 하는냉음극 전계 방출 소자. [청구항 54] 제53항에 있어서,제2 도전체층의 에칭 레이트가 마스크 재료층의 에칭 레이트보다 높은 에칭 조건으로,제2도전체층을에치백하는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출 소자. [청구항 55] (a) 절연성 기체 상에 형성된 패턴된 전극층, (b) 절연성 기체 및 전극층 상에 형성된 층간 절연층, (c) 상기 층간 절연층 상에 형성된, 제1 도전체층으로 이루어지는 게이트 전극, 및 (d) 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하는 제2 개구부의 바닥부에 위치하는 상기 전극층 상에 배설된, 기둥형 형상을 가지는 에미터 전극 으로 이루어지는 냉음극 전계 방출 소자로서, 에미터 전극은 게이트 전극을 층간 절연층 상에 형성한 후, 전면에 절연막을 형성하고, 이어서 상기 절연막을 관통하여, 바닥부에 게이트 전극층이 노출된 제1 개구부를 형성하고, 그 후 상기 제1 개구부의 측벽에 제1 절연재료로 이루어지는 제1 사이드월을 형성하여 제1 개구부의 직경을 축소한 후, 직경이 축소된 제1 개구부 하방의 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하여, 바닥부에 전극층이 노출된 제2 개구부를 형성하고, 이어서 제1 사이드월 상 및 제2 개구부의 측벽에 제2 절연재료로 이루어지는 제2 사이드월을 형성하여, 제1 개구부의 직경을 더욱 축소하고, 또한 제2 개구부의 직경을 축소한 후, 제1 및 제2 개구부 내면을 포함하는 전면에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막하고, 상기 제2 도전체층을 에치 백한 후, 제1 사이드월을 제거하고, 또한 최소한 제2 사이드월의 상부를 제거함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 냉음극 전계 방출 소자 [청구항 56] (a) 절연성 기체 상에 형성된 패턴된 전극층, (b) 절연성 기체 및 상기 전극층 상에 형성된 층간 절연층, (c) 상기 층간 절연층 상에 형성된, 제1 도전체층으로 이루어지는 게이트 전극, (d) 게이트 전극의 상방에 절연막을 통해 형성된 수속 전극, (e) 수속 전극 및 절연막을 관통하는 제1 개구부와 연통(連通)되고, 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하는 제2 개구부, 및 (f) 상기 제2 개구부의 바닥부에 위치하는 상기 전극층 상에 배설된, 기둥형 형상을 가지는 에미터 전극 으로 이루어지는 냉음극 전계 방출 소자로서, 에미터 전극은 게이트 전극을 층간 절연층 상에 형성한 후, 전면에 절연막을 형성하고, 그 후 절연막 상에 수속 전극을 형성하고, 이어서 상기 수속 전극 및 상기 절연막을 관통하여, 바닥부에 게이트 전극층이 노출된 제1 개구부를 형성하고, 그 후 상기 제1 개구부의 측벽에 제1 절연재료로 이루어지는 제1 사이드월을 형성하여 제1 개구부의 직경을 축소한 후, 직경이 축소된 제1 개구부 하방의 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하여, 바닥부에 전극층이 노출된 제2 개구부를 형성하고, 이어서 제1 사이드월 상 및 제2 개구부의 측벽에 제2 절연재료로 이루어지는 제2 사이드월을 형성하여, 제1 개구부의 직경을 더욱 축소하고, 또한 제2 개구부의 직경을 축소한 후, 제1 및 제2 개구부 내면을 포함하는 전면에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막하고, 상기 제2 도전체층을 에치 백한 후, 제1 사이드월을 제거하고, 또한 최소한 제2 사이드월의 상부를 제거함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 냉음극 전계 방출 소자 [청구항 57] (a) 절연성 기체 상에 형성된 패턴된 전극층, (b) 절연성 기체 및 상기 전극층 상에 형성된 층간 절연층, (c) 상기 층간 절연층 상에 형성된, 제1 도전체층으로 이루어지는 게이트 전극, (d) 게이트 전극의 상방에 절연막을 통해 형성된 수속 전극, (e) 수속 전극 및 절연막을 관통하는 제1 개구부와 연통되고, 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하는 제2 개구부, 및 (f) 상기 제2 개구부의 바닥부에 위치하는 상기 전극층 상에 배설된, 기둥형 형상을 가지는 에미터 전극 으로 이루어지는 냉음극 전계 방출 소자로서, 에미터 전극은 게이트 전극을 층간 절연층 상에 형성한 후, 전면에 절연막을 형성하고, 그 후 절연막 상에 수속 전극을 형성하고, 또한 전면에 제2 절연막을 형성하고, 이어서 상기 제2 절연막, 수속 전극 및 절연막을 관통하여, 바닥부에 게이트 전극층이 노출된 제1 개구부를 형성하고, 그 후 상기 제1 개구부의 측벽에 제1 절연재료로 이루어지는 제1 사이드월을 형성하여 제1 개구부의 직경을 축소한 후, 직경이 축소된 제1 개구부 하방의 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하여, 바닥부에 전극층이 노출된 제2 개구부를 형성하고, 이어서 제1 사이드월 상 및 제2 개구부의 측벽에 제2 절연재료로 이루어지는 제2 사이드월을 형성하여, 제1 개구부의 직경을 더욱 축소하고, 또한 제2 개구부의 직경을 축소한 후, 제1 및 제2 개구부 내면을 포함하는 전면에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막하고, 상기 제2 도전체층을 에치 백한 후, 제1 사이드월을 제거하고, 또한 최소한 제2 사이드월의 상부를 제거함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 냉음극 전계 방출 소자 [청구항 58] 제55항 내지 제57항 중 어느 한항에 있어서,에미터 전극의 선단면과 게이트 전극에 형성된 제2 개구부의 단부를 연결하는 선분 상에사이드월존재하지않는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출 소자. [청구항 59] 제55항 내지 제57항 중 어느 한항에 있어서,게이트 전극에 형성된 제2 개구부의 단부는 층간 절연층에 형성된제2개구부의상단부돌출되어있는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출 소자. [청구항 60] 제55항 내지 제57항 중 어느 한항에 있어서,제2 도전체층의 에치 백에 의해 에미터 전극의 선단면에는 예각부가 형성되고, 상기 예각부는 선단면의 중앙부에 형성된 오목부로부터 선단면의 주위부로 향하는 면과,에미터전극의측면구성되어있는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출 소자. [청구항 61] 제55항 내지 제57항 중 어느 한항에 있어서,에미터 전극의 선단면에는 예각부가 형성되고, 상기 예각부는 선단면의 중심부를 향해 돌출된 첨단면으로 구성되어 있고,이러한 에미터 전극은 제1 및 제2 개구부 내면을 포함하는 전면에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막한 후, 전면에 마스크 재료층을 형성하고, 상기 마스크 재료층을 부분적으로 제거함으로써 층간 절연층에 형성된 제2 개구부 상방의 제2 도전체층 상에 마스크 재료층을 남기고, 이어서 상기 제2 도전체층을 에칭한 후, 제1 사이드월을 제거하고, 또한 최소한 제2 사이드월의 상부를 제거함형성된것을특징으로 하는냉음극 전계 방출 소자. [청구항 62] 제61항에 있어서,제2 도전체층의 에칭 레이트가 마스크 재료층의 에칭 레이트보다 높은 에칭 조건으로,제2도전체층을에치백하는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출 소자. [청구항 63] 복수의 화소로 구성되고, 각 화소는 복수의 냉음극 전계 방출 소자로 이루어지고, 각 냉음극 전계 방출 소자는 (a) 절연성 기체 상에 형성된 패턴된 전극층, (b) 절연성 기체 및 상기 전극층 상에 형성된 층간 절연층, (c) 상기 층간 절연층 상에 형성된, 제1 도전체층으로 이루어지는 게이트 전극, 및 (d) 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하는 개구부의 바닥부에 위치하는 전극층 상에 배설된, 기둥형 형상을 가지는 에미터 전극 으로 이루어지고, 각 화소는, 또한 (e) 에미터 전극에 대향하여 투명 기판 상에 형성된 제2 전극층 및 형광체층 으로 이루어지는 냉음극 전계 방출형 표시 장치로서, 에미터 전극은 게이트 전극을 층간 절연층 상에 형성한 후, 최소한 층간 절연층을 관통하여, 바닥부에 전극층이 노출된 개구부를 형성하고, 이어서 상기 개구부의 측벽에 절연재료로 이루어지는 사이드월을 형성함으로써 개구부의 직경을 축소하고, 그 후, 개구부 내면을 포함하는 전면에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막한 후, 상기 제2 도전체층을 에치 백함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 냉음극 전계 방출형 표시 장치 [청구항 64] 제63항에 있어서,에미터 전극의 선단면과 게이트 전극에 형성된 개구부의 에지부를 연결하는 선분 상에사이드월존재하지않는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출형 표시 장치. [청구항 65] 제64항에 있어서,게이트 전극에 형성된 개구부의 단부는 층간 절연층에 형성된 개구부의 상단부로부터상방돌출되어있는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출형 표시 장치. [청구항 66] 제63항에 있어서,제2 도전체층의 에치 백에 의해 에미터 전극의 선단면에는 예각부가 형성되고, 상기 예각부는 선단면의 중앙부에 형성된 오목부로부터 선단면의 주위부로 향하는 면과,에미터전극의측면구성되어있는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출형 표시 장치. [청구항 67] 제66항에 있어서,에미터 전극의 선단면에는 예각부가 형성되고, 상기 예각부는 선단면의 중심부를 향해 돌출된 첨단면으로 구성되어 있고,이러한 에미터 전극은 개구부 내면을 포함하는 전면에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막한 후, 전면에 마스크 재료층을 형성하고, 상기 마스크 재료층을 부분적으로 제거함으로써 층간 절연층에 형성된 개구부 상방의 제2 도전체층 상에 마스크 재료층을 남기고, 이어서 상기 제2 도전체층을 에치 백한 후, 최소한 사이드월의 상부를 제거함형성된것을특징으로 하는냉음극 전계 방출형 표시 장치. [청구항 68] 제67항에 있어서,제2 도전체층의 에칭 레이트가 마스크 재료층의 에칭 레이트보다 높은 에칭 조건으로,제2도전체층을에치백하는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출형 표시 장치. [청구항 69] 복수의 화소로 구성되고, 각 화소는 복수의 냉음극 전계 방출 소자로 이루어지고, 각 냉음극 전계 방출 소자는 (a) 절연성 기체 상에 형성된 패턴된 전극층, (b) 절연성 기체 및 상기 전극층 상에 형성된 층간 절연층, (c) 상기 층간 절연층 상에 형성된, 제1 도전체층으로 이루어지는 게이트 전극, 및 (d) 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하는 개구부의 바닥부에 위치하는 전극층 상에 배설된, 기둥형 형상을 가지는 에미터 전극 으로 이루어지고, 각 화소는, 또한 (e) 에미터 전극에 대향하여 투명 기판 상에 형성된 제2 전극층 및 형광체층 으로 이루어지는 냉음극 전계 방출형 표시 장치로서, 에미터 전극은 게이트 전극을 층간 절연층 상에 형성한 후, 최소한 층간 절연층을 관통하여, 바닥부에 전극층이 노출된 개구부를 형성하고, 이어서 상기 개구부의 측벽 면을 포함하는 전면에 절연재료층을 형성함으로써 개구부의 직경을 축소하고, 그 후, 개구부 내부 및 절연재료층 상에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막한 후, 상기 제2 도전체층을 에치 백함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 냉음극 전계 방출형 표시 장치 [청구항 70] 제69항에 있어서,제2 도전체층의 에치 백에 의해 에미터 전극의 선단면에는 예각부가 형성되고, 상기 예각부는 선단면의 중앙부에 형성된 오목부로부터 선단면의 주위부로 향하는 면과,에미터전극의측면구성되어있는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출형 표시 장치. [청구항 71] 제69항에 있어서,에미터 전극의 선단면에는 예각부가 형성되고, 상기 예각부는 선단면의 중심부를 향해 돌출된 첨단면으로 구성되어 있고,이러한 에미터 전극은 개구부 내부 및 절연재료층 상에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막한 후, 전면에 마스크 재료층을 형성하고, 상기 마스크 재료층을 부분적으로 제거함으로써 층간 절연층에 형성된 개구부 상방의 제2 도전체층 상에 마스크 재료층을 남기고, 이어서 상기 제2 도전체층을 에치 백함형성된것을특징으로 하는냉음극 전계 방출형 표시 장치. [청구항 72] 제71항에 있어서,제2 도전체층의 에칭 레이트가 마스크 재료층의 에칭 레이트보다 높은 에칭 조건으로,제2도전체층을에치백하는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출형 표시 장치. [청구항 73] 복수의 화소로 구성되고, 각 화소는 복수의 냉음극 전계 방출 소자로 이루어지고, 각 냉음극 전계 방출 소자는 (a) 절연성 기체 상에 형성된 패턴된 전극층, (b) 절연성 기체 및 상기 전극층 상에 형성된 층간 절연층, (c) 상기 층간 절연층 상에 형성된, 제1 도전체층으로 이루어지는 게이트 전극, 및 (d) 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하는 제2 개구부의 바닥부에 위치하는 전극층 상에 배설된, 기둥형 형상을 가지는 에미터 전극 으로 이루어지고, 각 화소는, 또한 (e) 에미터 전극에 대향하여 투명 기판 상에 형성된 제2 전극층 및 형광체층 으로 이루어지는 냉음극 전계 방출형 표시 장치로서, 에미터 전극은 게이트 전극을 층간 절연층 상에 형성한 후, 전면에 절연막을 형성하고, 이어서 상기 절연막을 관통하여, 바닥부에 게이트 전극이 노출된 제1 개구부를 형성하고, 그 후 상기 제1 개구부의 측벽에 제1 절연재료로 이루어지는 제1 사이드월을 형성하여 제1 개구부의 직경을 축소한 후, 직경이 축소된 제1 개구부 하방의 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하여, 바닥부에 전극층이 노출된 제2 개구부를 형성하고, 이어서 제1 사이드월 상 및 제2 개구부의 측벽에 제2 절연재료로 이루어지는 제2 사이드월을 형성하여, 제1 개구부의 직경을 더욱 축소하고, 또한 제2 개구부의 직경을 축소한 후, 제1 및 제2 개구부 내면을 포함하는 전면에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막하고, 상기 제2 도전체층을 에치 백한 후, 제1 사이드월을 제거하고, 또한 최소한 제2 사이드월의 상부를 제거함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 냉음극 전계 방출형 표시 장치 [청구항 74] 복수의 화소로 구성되고, 각 화소는 복수의 냉음극 전계 방출 소자로 이루어지고, 각 냉음극 전계 방출 소자는 (a) 절연성 기체 상에 형성된 패턴된 전극층, (b) 절연성 기체 및 상기 전극층 상에 형성된 층간 절연층, (c) 상기 층간 절연층 상에 형성된, 제1 도전체층으로 이루어지는 게이트 전극, 및 (d) 게이트 전극 상방에 절연막을 통해 형성된 수속 전극, (e) 수속 전극 및 절연막을 관통하는 제1 개구부와 연통되고, 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하는 제2 개구부, 및 (f) 상기 제2 개구부의 바닥부에 위치하는 상기 전극층 상에 배설된, 기둥형 형상을 가지는 에미터 전극 으로 이루어지고, 각 화소는, 또한 (g) 에미터 전극에 대향하여 투명 기판 상에 형성된 제2 전극층 및 형광체층 으로 이루어지는 냉음극 전계 방출형 표시 장치로서, 에미터 전극은 게이트 전극을 층간 절연층 상에 형성한 후, 전면에 절연막을 형성하고, 이어서 절연막 상에 수속 전극을 형성한 후, 상기 수속 전극 및 상기 절연막을 관통하여, 바닥부에 게이트 전극이 노출된 제1 개구부를 형성하고, 그 후 상기 제1 개구부의 측벽에 제1 절연재료로 이루어지는 제1 사이드월을 형성하여 제1 개구부의 직경을 축소한 후, 직경이 축소된 제1 개구부 하방의 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하여, 바닥부에 전극층이 노출된 제2 개구부를 형성하고, 이어서 제1 사이드월 상 및 제2 개구부의 측벽에 제2 절연재료로 이루어지는 제2 사이드월을 형성하여, 제1 개구부의 직경을 더욱 축소하고, 또한 제2 개구부의 직경을 축소한 후, 제1 및 제2 개구부 내면을 포함하는 전면에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막하고, 상기 제2 도전체층을 에치 백한 후, 제1 사이드월을 제거하고, 또한 최소한 제2 사이드월의 상부를 제거함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 냉음극 전계 방출형 표시 장치 [청구항 75] 복수의 화소로 구성되고, 각 화소는 복수의 냉음극 전계 방출 소자로 이루어지고, 각 냉음극 전계 방출 소자는 (a) 절연성 기체 상에 형성된 패턴된 전극층, (b) 절연성 기체 및 상기 전극층 상에 형성된 층간 절연층, (c) 상기 층간 절연층 상에 형성된, 제1 도전체층으로 이루어지는 게이트 전극, 및 (d) 게이트 전극 상방에 절연막을 통해 형성된 수속 전극, (e) 수속 전극 및 절연막을 관통하는 제1 개구부와 연통되고, 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하는 제2 개구부, 및 (f) 상기 제2 개구부의 바닥부에 위치하는 상기 전극층 상에 배설된, 기둥형 형상을 가지는 에미터 전극 으로 이루어지고, 각 화소는, 또한 (g) 에미터 전극에 대향하여 투명 기판 상에 형성된 제2 전극층 및 형광체층 으로 이루어지는 냉음극 전계 방출형 표시 장치로서, 에미터 전극은 게이트 전극을 층간 절연층 상에 형성한 후, 전면에 절연막을 형성하고, 이어서 절연막 상에 수속 전극을 형성한 후, 전면에 제2 절연막을 형성하고, 이어서 상기 제2 절연막, 수속 전극 및 절연막을 관통하여, 바닥부에 게이트 전극이 노출된 제1 개구부를 형성하고, 그 후 상기 제1 개구부의 측벽에 제1 절연재료로 이루어지는 제1 사이드월을 형성하여 제1 개구부의 직경을 축소한 후, 직경이 축소된 제1 개구부 하방의 게이트 전극 및 층간 절연층을 관통하여, 바닥부에 전극층이 노출된 제2 개구부를 형성하고, 이어서 제1 사이드월 상 및 제2 개구부의 측벽에 제2 절연재료로 이루어지는 제2 사이드월을 형성하여, 제1 개구부의 직경을 더욱 축소하고, 또한 제2 개구부의 직경을 축소한 후, 제1 및 제2 개구부 내면을 포함하는 전면에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막하고, 상기 제2 도전체층을 에치 백한 후, 제1 사이드월을 제거하고, 또한 최소한 제2 사이드월의 상부를 제거함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 냉음극 전계 방출형 표시 장치 [청구항 76] 제73항 내지 제75항 중 어느 한항에 있어서,에미터 전극의 선단면과 게이트 전극에 형성된 제2 개구부의 에지부를 연결하는 선분 상에제2사이드월존재하지않는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출형 표시 장치. [청구항 77] 제73항 내지 제75항 중 어느 한항에 있어서,게이트 전극에 형성된 제2 개구부의 단부는 층간 절연층에 형성된제2개구부의상단부돌출되어있는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출형 표시 장치. [청구항 78] 제73항 내지 제75항 중 어느 한항에 있어서,제2 도전체층의 에치 백에 의해 에미터 전극의 선단면에는 예각부가 형성되고, 상기 예각부는 선단면의 중앙부에 형성된 오목부로부터 선단면의 주위부로 향하는 면과,에미터전극의측면구성되어있는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출형 표시 장치. [청구항 79] 제73항 내지 제75항 중 어느 한항에 있어서,에미터 전극의 선단면에는 예각부가 형성되고, 상기 예각부는 선단면의 중심부를 향해 돌출된 첨단면으로 구성되어 있고,이러한 에미터 전극은 제1 및 제2 개구부 내면을 포함하는 전면에 제2 도전체층을 물리적 또는 화학적 기상 성장법으로 성막한 후, 전면에 마스크 재료층을 형성하고, 상기 마스크 재료층을 부분적으로 제거함으로써 층간 절연층에 형성된 제2 개구부 상방의 제2 도전체층 상에 마스크 재료층을 남기고, 이어서 상기 제2 도전체층을 에치 백한 후, 제1 사이드월을 제거하고, 또한 최소한 제2 사이드월의 상부를 제거함형성된것을특징으로 하는냉음극 전계 방출형 표시 장치. [청구항 80] 제79항에 있어서,제2 도전체층의 에칭 레이트가 마스크 재료층의 에칭 레이트보다 높은 에칭 조건으로,제2도전체층을에치백하는것을특징으로 하는냉음극 전계 방출형 표시 장치.