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삼극형 전계 방출 에미터, 그 제조방법 및 이를 구비한 전계 방출 디스플레이 document_id 1019990030373

출원번호
1019990030373
분류
화학(C섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 삼극형 전계 방출 에미터에 있어서, 절연성 기판; 상기 기판 상에 형성된 캐소드 전극 상기 캐소드 전극 상에 정렬되어 형성된 에미터로서의 나노구조 상기 나노구조를 이웃하는 나노구조와 전기적으로 분리하는 절연체; 및 상기 절연체 상에서 상기 나노구조의 상단부에 근접하여 형성된 게이트전극 을 포함하여 이루어진 삼극형 전계 방출 에미터 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 나노구조와 상기 캐소드전극 사이에 형성된시드금속층더포함하는것을특징으로 하는삼극형 전계 방출 에미터. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 나노구조는나노튜브또는나노와이어또는이들의다발형성됨을특징으로 하는삼극형 전계 방출 에미터. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 나노튜브는 탄소 또는 질화붕소이며, 상기 나노와이어는 질화갈륨 또는 탄화규소 또는 탄화티타늄 임특징으로 하는삼극형 전계 방출 에미터. [청구항 11] 전계 방출 디스플레이에 있어서, 기판에 정렬된 나노구조와, 상기 나노구조를 이웃하는 소자와 전기적으로 분리하는 절연층과, 및 상기 절연층 상에서 상기 나노구조의 상단부에 근접하여 형성된 게이트전극을 포함하는 삼극형 전계 방출 에미터를 음극으로서 구비하고, 상기 나노구조로부터 발산된 전자에 여기되어 발광하는 형광체를 양극으로서 구비하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
삼극형 전계 방출 에미터의 구성 요소 중 나노구조와 캐소드 전극 사이에 추가로 형성될 수 있는 층은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    삼극형 전계 방출 에미터의 구성 요소 중 나노구조와 캐소드 전극 사이에 추가로 형성될 수 있는 층을 찾는 작업이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1에서 기본 구성(기판, 캐소드 전극, 나노구조, 절연체, 게이트전극)을 확인하고, 청구항 2에서 추가 구성 요소를 확인한다.

    • 상기 나노구조와 상기 캐소드전극 사이에 형성된시드금속층
  3. 3근거 선택evidence_selection

    나노구조와 캐소드 전극 사이의 위치 관계를 명시한 청구항 2의 구절을 선택한다.

    • 상기 나노구조와 상기 캐소드전극 사이에 형성된시드금속층
  4. 4논리 통합logical_integration

    청구항 2는 청구항 1을 인용하며, 나노구조와 캐소드 전극 사이에 '시드금속층'이 형성될 수 있음을 명시한다.

    • 상기 나노구조와 상기 캐소드전극 사이에 형성된시드금속층
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에서 요구하는 추가 형성 층은 시드금속층임을 도출한다.

    • 상기 나노구조와 상기 캐소드전극 사이에 형성된시드금속층
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 용어인 '시드금속층'을 최종 답변으로 생성한다.

    • 상기 나노구조와 상기 캐소드전극 사이에 형성된시드금속층
최종 답변 (final_answer)
시드금속층
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 삼극형 전계 방출 에미터의 구조를 정의하며, 특히 나노구조와 캐소드 전극 사이에 시드금속층을 추가하여 에미터의 성능을 최적화할 수 있는 구성을 포함한다.