문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 캐패시터는 상기 드레인을 하부전극으로 이용하여,상기 드레인 상에 두께가 10nm 이하가 되도록 형성된 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 두께 및 폭이 1000nm 이하가 되도록 형성된상부 전극구비한것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 3]
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 유전체층은 sio2로 형성되고, 상기 상부 전극은 폴리 실리콘을 포함한금속형성된것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 캐패시터는, 상기 드레인 상에 두께 및 폭이 1000nm 이하가 되도록 형성된 하부전극;상기 하부전극 상에 두께가 10nm 이하가 되도록 형성된 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 두께 및 폭이 1000nm 이하가 되도록 형성된상부 전극구비한것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 5]
제1항 또는 제4항에 있어서,상기 하부 전극은 폴리 실리콘을 포함한 금속으로 형성되고, 상기 유전체층은 sio2로 형성되며, 상기 상부 전극은 폴리 실리콘을 포함한금속형성된것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 캐패시터는 상기 드레인을 하부전극으로 이용하여,상기 드레인 상에 두께가 10nm 이하가 되도록 형성된 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 두께 및 폭이 1000nm 이하가 되도록 형성된상부 전극구비한것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 8]
제6항 또는 제7항에 있어서,상기 유전체층은 sio2로 형성되고, 상기 상부 전극은 폴리 실리콘을 포함한금속형성된것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 9]
제6항에 있어서,상기 캐패시터는, 상기 드레인 상에 두께 및 폭이 1000nm 이하가 되도록 형성된 하부전극;상기 하부전극 상에 두께가 10nm 이하가 되도록 형성된 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 두께 및 폭이 1000nm 이하가 되도록 형성된상부 전극구비한것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 10]
제6항 또는 제9항에 있어서,상기 하부 전극은 폴리 실리콘을 포함한 금속으로 형성되고, 상기 유전체층은 sio2로 형성되며, 상기 상부 전극은 폴리 실리콘을 포함한금속형성된것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 캐패시터는 상기 드레인의 측면에, 두께가 10nm 이하의 유전체층 혹은 트렌치; 및 상기 유전체층 혹은 트렌치 측면에 위치하는 측면 전극;을 형성하여 상기 드레인및상기금속전극을각각상기캐패시터의전극사용하는것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 유전체층은 전자빔 직접 묘화법을 이용하여 상기 10nm 이하의 선폭을 만든 후 플라즈마 산화 공정을 통하여 형성된 산화막으로 형성되거나 혹은 spm 을 통해 형성된산화막제작되는것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 14]
제11항 또는 제12항에 있어서,상기 유전체층은 sio2로 형성되고, 상기 측면 전극은 폴리 실리콘을 포함한금속형성된것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 15]
제11항에 있어서,상기 캐패시터는, 상기 드레인의 중간에 상기 드레인을 양분하는 선폭 10nm 이하의 유전체층 혹은 트렌치;를 구비하고, 이유전체층혹트렌치의양쪽드레인들을각각상기캐패시터의전극사용하는것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 16]
제11항 또는 제15항에 있어서,상기 유전체층nan은형성된것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 18]
제17항에 있어서,상기 캐패시터는 상기 드레인의 측면에, 두께가 10nm 이하의 유전체층 혹은 트렌치; 및 상기 유전체층 혹은 트렌치 측면에 위치하는 측면 전극;을 형성하여 상기 드레인및상기금속전극을각각상기캐패시터의전극사용하는것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 19]
제18항에 있어서,상기 유전체층은 전자빔 직접 묘화법을 이용하여 상기 10nm 이하의 선폭을 만든 후 플라즈마 산화 공정을 통하여 형성된 산화막으로 형성되거나 혹은 spm 을 통해 형성된산화막제작되는것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 20]
제17항 또는 제18항에 있어서,상기 유전체층은 sio2로 형성되고, 상기 측면 전극은 폴리 실리콘을 포함한금속형성된것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 21]
제17항에 있어서,상기 캐패시터는, 상기 드레인의 중간에 상기 드레인을 양분하는 선폭 10nm 이하의 유전체층 혹은 트렌치;를 구비하고, 이유전체층혹은트렌치의양쪽드레인들을각각상기캐패시터의전극사용하는것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 22]
제21항에 있어서,상기 유전체층은 전자빔 직접 묘화법을 이용하여 상기 10nm 이하의 선폭을 만든 후 플라즈마 산화 공정을 통하여 형성된 산화막으로 형성되거나 혹은 spm 을 통해 형성된산화막제작되는것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
[청구항 23]
제17항 또는 제21항에 있어서,상기 유전체층nan은형성된것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리에서 드레인의 측면에 형성된 캐패시터의 구성 요소와 각 전극으로 사용되는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation드레인의 측면에 형성된 캐패시터의 구성 요소와 각 전극으로 사용되는 구성 요소를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 12를 통해 드레인 측면 캐패시터의 구성 요소인 유전체층(또는 트렌치)과 측면 전극을 확인한다.
- 상기 캐패시터는 상기 드레인의 측면에, 두께가 10nm 이하의 유전체층 혹은 트렌치; 및 상기 유전체층 혹은 트렌치 측면에 위치하는 측면 전극;을 형성하여 상기 드레인및상기금속전극을각각상기캐패시터의전극사용하는것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리
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3근거 선택
evidence_selection캐패시터의 구성 요소와 전극 사용 관계를 명시한 구절을 선택한다.
- 상기 드레인및상기금속전극을각각상기캐패시터의전극사용하는것을특징으로 하는휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리
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4논리 통합
logical_integration구성 요소는 유전체층(또는 트렌치)과 측면 전극이며, 전극은 드레인과 금속 전극이 사용됨을 결합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation캐패시터의 구성 요소는 유전체층(또는 트렌치) 및 측면 전극이며, 전극으로는 드레인과 금속 전극이 사용된다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 구성 요소와 전극 정보를 포함하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
캐패시터의 구성 요소는 두께가 10nm 이하인 유전체층 혹은 트렌치와 그 측면에 위치하는 측면 전극이며, 각 전극으로는 드레인과 금속 전극이 사용된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
휘발성 단일전자 트랜지스터 메모리에서 드레인 측면에 유전체층(또는 트렌치)과 측면 전극을 형성하여 드레인과 금속 전극을 캐패시터의 전극으로 활용하는 기술에 관한 것이다.