반도체 기판의 열적 산화 공정 및 복수의 결정 방위의 동시적 열적 산화 공정 document_id 1019990039495

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판이 실리콘, 게르마늄 혹은 그 조성물포함하는반도체 기판의 열적 산화 공정. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,단계②에서 상기 반도체 기판을 약 750℃와 약 850℃ 사이의 온도가열하는반도체 기판의 열적 산화 공정. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,단계①이 상기 반도체 기판을 바이어스(bias)되지 않은 등방성 염소 플라즈마에 노출시키는 단계포함하는반도체 기판의 열적 산화 공정. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,단계②가 희생 산화물을 생성하는 단계포함하는반도체 기판의 열적 산화 공정. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판이 게이트 산화물을 구비한 게이트를 더 포함하고, 상기 공정이 단계 ① 이전에 상기 게이트를 상기 게이트 산화물 내에 언더컷(undercut)을 형성하는 에칭 공정에 노출시키는 단계를 더 포함하고, 단계 ②가 상기 언더컷을 보수하는 산화물층 성장 단계더 포함하는반도체 기판의 열적 산화 공정. [청구항 7] 제 2 항에 있어서,상기 반도체 기판이 그 내부에 제 1 확산 영역을 구비하고, 단계 ②가 상기 제 2 온도에서 상기 기판을 가열하여 상기 제 1 확산 영역 위에 보호성 산화물층을 성장시키는 단계를 더 포함하되, 상기 제 2 온도는 약 650°c와 약 750°c 사이의 범위 내의온도인반도체 기판의 열적 산화 공정. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 공정이,③ 반도체 기판 내에 제 2 확산 영역을 생성하는 단계와,④ 상기 보호성 산화물층을 제거하는 단계더 포함하는반도체 기판의 열적 산화 공정. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 복수의 결정 방위가 실리콘, 게르마늄 혹은 그 조성물포함하는복수의 결정 방위의 동시적 열적 산화 공정. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 염소 플라즈마가 바이어스되지 않은 등방성 염소플라즈마인복수의 결정 방위의 동시적 열적 산화 공정. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 공정은,③ 제 2 확산 영역을 생성하는 단계와,④ 상기 보호 산화층을 제거하는 단계포함하는반도체 기판의 열적 산화 공정.