개선된 광검출기, 및 상기 광검출기를 사용하여 광 신호를 전기 신호로 변환하기 위한 장치 document_id 1019990039975

[청구항 1] 표면상에 감광 영역을 갖는 반도체 기판; 및 상기 기판의 전표면상에 배치되고 실리콘 질화물의 제1 층 및 상기 제1 층과 접촉하는 제2 유전체 층을 포함하는 반사-방지 필터 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제2 층nan은상기영역접촉하는것을특징으로 하는광검출기. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 영역은 pn 접합을 포함하며, 상기 제2 층은 상기 접합과 접촉하여누설전류감소시키는것을특징으로 하는광검출기. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 영역은 pn접합포함하는것을특징으로 하는광검출기. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 영역은제1 유형의 반도체 재료의 제1 영역, 및 상기 제1 영역과 pn 접합을 형성하는 제2 유형의 반도체 재료의 제2 영역을 포함하며, 상기 광검출기는 상기 접합 양단에 역바이어스 전압을 인가하기 위한 수단을 더 포함하며, 상기 제1 영역은 상기 역바이어스 전압에서 일측의 접합 공핍 폭의 두배 미만 정도 이격되는 적어도 두부분갖는것을특징으로 하는광검출기. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기제1 및 제2 층은 650 및 790㎚ 파장에서의 광 반사를 최소화시키는 데 거의 최적화되는두께갖는것을특징으로 하는광검출기. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제1 층은 7000±500å 범위의 두께를 가지며, 상기 제2 층은 2400 내지 2850å범위의두께갖는것을특징으로 하는광검출기. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 코팅은 상기 실리콘 질화물 층상에 투명한 패키지 층을 더 포함하며, 상기 패키지 층은 약 1.52 내지 1.57범위의굴절률갖는것을특징으로 하는광검출기. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 제2 층은 실리콘 이산화물함유하는것을특징으로 하는광검출기. [청구항 19] 제1 유형의 반도체 재료의 제1 영역, 상기 제1 영역과 pn 접합을 형성하는 제2 유형의 반도체 재료의 제2 영역, 및 상기 접합 양단에 역바이어스 전압을 인가하기 위한 수단 을 포함하되, 상기 제1 영역은 상기 역바이어스 전압에서 일측의 접합 공핍 폭의 두배 미만 정도 이격되는 적어도 두 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 광전 다이오드 [청구항 20] 제19항에 있어서,부분은 상기 역바이어스 전압에서일측의접합 공핍폭이상만큼이격되는것을특징으로 하는광전 다이오드. [청구항 21] 제19항에 있어서,부분은 15㎛미만정도이격되는것을특징으로 하는광전 다이오드. [청구항 22] 제19항에 있어서,상기 광전 다이오드는 상기 제1 영역의 두 부분들 간에 제3 영역을 포함하며, 상기 제3 영역은 제2 유형의 고농도반도체재료포함하는것을특징으로 하는광전 다이오드. [청구항 23] 제22항에 있어서,부분은 n+ 재료를 함유하고 상기 제3 영역은 p+재료함유하는것을특징으로 하는광전 다이오드. [청구항 24] 제21항에 있어서,부분은 p+ 재료를 함유하고 상기 제3 영역은 n+재료함유하는것을특징으로 하는광전 다이오드. [청구항 25] 제19항에 있어서,및 제2 영역상에 반사-방지 필터를 더 포함하며, 상기 필터는 실리콘 질화물의 제1 층 및 상기 제1 층과 접촉하는제2유전체층포함하는것을특징으로 하는광전 다이오드. [청구항 26] 제19항에 있어서,상기제1 및 제2 영역은표면접합형성하는것을특징으로 하는광전 다이오드. [청구항 27] 제19항에 있어서,상기제1 및 제2 영역은매립형접합형성하는것을특징으로 하는광전 다이오드. [청구항 28] 디스크의 표면으로부터 기록되어 있는 정보를 판독하기 위한 장치에 있어서, 상기 표면에 방사선을 공급하기 위한 수단, 및 상기 공급 수단에 의해 공급되어 상기 디스크에 의해 변형되는 방사선을 감지하기 위한 광전 다이오드 를 포함하되, 상기 광전 다이오드는 제1 유형의 반도체 재료의 제1 영역, 상기 제1 영역과 pn 접합을 형성하는 제2 유형의 반도체 재료의 제2 영역, 및 상기 접합 양단에 역바이어스 전압을 인가하기 위한 수단을 포함하며, 상기 제1 영역은 약 5 내지 15㎛ 범위의 공간 만큼 이격되는 적어도 두 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 광전 다이오드 [청구항 29] 제28항에 있어서,상기 광전 다이오드는 상기 제1 영역의 두 부분들 간에 제3 영역을 더 포함하며, 상기 제3 영역은 제2 유형의 고농도반도체재료포함하는것을특징으로 하는광전 다이오드. [청구항 30] 제29항에 있어서,부분은 n+ 재료를 포함하고 상기 제3 영역은 p+재료포함하는것을특징으로 하는광전 다이오드. [청구항 31] 제29항에 있어서,부분은 p+ 재료를 포함하고 상기 제3 영역은 n+재료포함하는것을특징으로 하는광전 다이오드. [청구항 32] 제28항에 있어서,및 제2 영역상에 반사-방지 필터를 더 포함하며, 상기 필터는 실리콘 질화물의 제1 층과 상기 제1 층과 접촉하는제2유전체층포함하는것을특징으로 하는광전 다이오드. [청구항 33] 광 신호를 전기 신호로 변환하기 위한 장치에 있어서, 상기 표면에 광을 공급하기 위한 수단, 및 광 신호에 응답하여 전기 신호를 공급하는 광검출기 영역, 및 상기 전기 신호를 처리하기 위한 회로 영역을 갖는 반도체 기판 -상기 회로 영역은 cmos 소자만을 포함함- 을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치 [청구항 34] 제33항에 있어서,광검출기 영역상에 반사-방지 필터를 더 포함하며, 상기 필터는 실리콘 질화물의 제1 층 및 상기 제1 층과 접촉하는제2유전체층포함하는것을특징으로 하는장치. [청구항 35] 제34항에 있어서,상기 회로 영역은 폴리실리콘 게이트 층을 가지며, 상기 필터는 폴리실리콘 층을 마스크로서 사용하여 상기 광검출기 영역상에 형성되며, 상기 폴리실리콘 층은상기폴리실리콘 게이트층함께형성되는것을특징으로 하는장치. [청구항 36] 제33항에 있어서,폴리실리콘 게이트 층을 갖는 상기 회로 영역에 캐패시터를 더 포함하며, 상기 캐패시터는 제1 및 제2 폴리실리콘 게이트 층을 포함하고, 상기 제1 폴리실리콘 층은 상기 폴리실리콘 층과 함께 형성되며, 상기 필터는 제3 폴리실리콘 층을 마스크로서 사용하여 상기 광검출기 영역상에 형성되며, 상기 제2 및 제3 폴리실리콘 층은 동일한처리단계형성되는것을특징으로 하는장치.