반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템, 장치 및 방법 document_id 1019990049633

[청구항 1] 반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템(semiconductor device cluster processing system)에 있어서, ① 진공 압력 레벨로 계속 유지될 수 있는 내부 용적을 규정하며, 복수개의 포트(port)를 갖는 이송 챔버(transfer chamber)와, ② 디바이스를 포트들 간에 이송시키기 위한 이송 챔버 내의 디바이스 이송 메카니즘(device transfer mechanism)과, ③ 처리 중에 반도체 디바이스들을 제각기 보유지지할 수 있는 복수개의 처리 튜브(processing chamber) ― 상기 처리 튜브들의 각각은 상기 처리 튜브와 상기 이송 챔버간의 압력을 차단하기 위한 압력 차단문(pressure-isolating door)을 통하여 상기 이송 챔버의 포트들 중의 하나에 각각 연결됨 ― 와, ④ 상기 이송 챔버의 포트들 중의 하나를 주변 분위기로 연결시키며 두개의 압력 차단문 즉 제 1 및 제 2 압력 차단문을 가진 로드/언로드 챔버(load/unload chamber) ― 상기 제 1 압력 차단문은 상기 로드/언로드 챔버와 상기 주변 분위기간에서 상기 디바이스를 이송시키기 위한 것이고 상기 제 2 압력 차단문은 상기 로드/언로드 챔버와 상기 이송 챔버간에서 상기 디바이스를 이송시키기 위한 것이며, 상기 제 1 및 제 2 압력 차단문은 상호 협동하여 상기 로드/언로드 챔버내의 진공 압력이 상기 이송 챔버에 대한 압력 차단문의 개방시 상기 이송 기구내의 압력에 근사하도록 일치될 수 있거나 상기 주변 분위기에 대한 압력 차단문의 개방시 상기 주변 분위기의 압력에 근사하도록 일치될 수 있게 함 ― 를 구비하는 반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템은 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 메카니즘구비하는반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 반도체 디바이스는 석영 캐리어(quartz carrier)내에 수직으로 장착되어 고온에서 상기 디바이스가 휘어지는 새깅(sagging) 현상감소시키는반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 로드/언로드 챔버는 상기 디바이스로부터 수소와 산소를 정화시키기(purging) 위한 처리 챔버작용하는반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 처리 튜브들 중의 적어도 하나는 석영 또는 실리콘 탄화물(silicon carbide)로 구성되는 내벽을 더 포함하여 상기 튜브로부터 상기 튜브내에서 처리되고 있는 디바이스로의 가스 방출감소시키는반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 처리 튜브들 중의 적어도 하나는 원형 저항 코일 가열기구비하는반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 이송 챔버의 진공 압력 레벨은인반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 처리 튜브내에 상기 디바이스를 삽입하거나 상기 처리 튜브로부터 상기 디바이스를 제거하는 동안 상기 처리 튜브의 온도를 상기 이송 챔버의 온도와 일치시키는 장치구비하는반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템. [청구항 9] 반도체 디바이스의 바람직하지 못한 오염물을 최소화하면서 상기 반도체 디바이스를 처리하기 위한 장치에 있어서, ① 처리 단계를 상기 반도체 디바이스의 처리에 적용하는데 적합한 복수개의 처리 챔버 ― 상기 처리 챔버들의 각각은 상기 디바이스를 상기 처리 챔버내로 또는 상기 처리 챔버로부터 이송하는 때에 이송 챔버와 일치하도록 하는 압력을 발생시키기 위한 진공 펌프를 가짐 ― 와, ② 특정 압력에서 작동하며 적어도 하나의 디바이스를 적어도 두개의 처리 챔버간에서 이송시키기 위한 이송 챔버와, ③ 상기 이송 챔버와 선택된 처리 챔버간에서 상기 디바이스를 이송시키기 위한 이송 메카니즘 을 구비하는 반도체 디바이스 처리 장치 [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 반도체 디바이스 처리 장치는 로드/언로드 챔버를 더 구비하며, 상기 로드/언로드 챔버는,상기 로드/언로드 챔버내의 압력을 상기 이송 챔버의 압력과 일치하도록 낮추는 펌프와,내부 및 외부 압력 차단문을 구비하고, 상기 압력 차단문들의 각각은 상호 협동하여 상기 로드/언로드 챔버내의 압력이 외부 압력 차단문의 개방시 주변 환경의 압력과 일치될 수 있고상기내부압력차단문의개방시상기이송챔버의압력일치될수하는반도체 디바이스 처리 장치. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 반도체 디바이스 처리 장치가 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 메카니즘구비하는반도체 디바이스 처리 장치. [청구항 12] 제 9 항에 있어서,상기 처리 챔버들 중의 적어도 하나는 석영 또는 실리콘 탄화물로 된 내벽더 포함하는반도체 디바이스 처리 장치. [청구항 13] 제 9 항에 있어서,상기 처리 튜브들 중의 적어도 하나는 원형 저항 코일 가열기더 포함하는반도체 디바이스 처리 장치. [청구항 14] 제 9 항에 있어서,상기 처리 챔버내에 상기 디바이스를 삽입하거나 상기 처리 챔버로부터 상기 디바이스를 제거하는 동안 상기 처리 챔버의 온도를 상기 이송 챔버의 온도와 일치시키는 장치구비하는반도체 디바이스 처리 장치.