플로팅확산영역에 인접한 최종 포텐셜웰을 갖는전하전송장치 document_id 1019990052058

[청구항 1] 챠지패킷들을 전달하는 전하전송장치에 있어서 제 1 폭을 가지며, 상기 챠지패킷들을 형성하는 전하량에 따라서 포텐셜레벨 이 변화되는 플로팅확산영역과 제 1 폭보다 큰 제 2 폭을 갖는 전달서브영역과, 상기 전달서브영역보다 상기 플로팅확산영역에 인접하고 상기 제 2 폭에서 상기 제 1 폭으로 감소된 경계서브영역을 포함하는 전하전송영역과; 그리고 상기 전하전송영역과 용량결합되어, 상기 전하전송영역내에 포텐셜웰들과 상기 포텐셜웰들사이의 포텐셜배리어를 생성하고, 구동신호에 응답하여 상기 포텐셜웰들을 통해 상기 챠지패킷들을 순차적으로 전달하는 복수개의 전하전송전극을 구비하고, 상기 경계서브영역은 나머지 위치들보다 상기 플로팅확산영역에 인접한 위치를 가지며, 최종 전하전송전극은 상기 복수개의 전하전송전극에 포함되고, 상기 경계서브영역과 용량결합되어, 상기 위치에 최종 포텐셜웰을 생성하고, 상기 구동신호에 응답하여 상기 챠지패킷들을 상기 포텐셜웰들중의 하나로부터 상기 최종 포텐셜웰을 통해 상기 플로팅확산영역으로 연속적으로 전달하는 것을 특징으로 하는 전하전송장치 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 경계서브영역은,상기 전달서브영역에 인접하고 상기 챠지패킷들에 대한 제 1 포텐셜배리어를 생성하는 제 1 포텐셜배리어서브영역과,상기 플로팅확산영역에 접하고 상기 최종 포텐셜웰을 생성하는 제 1 포텐셜웰서브영역과, 그리고상기 제 1 포텐셜배리어서브영역과 상기 제 1 포텐셜웰서브영역사이에 위치한중간서브영역가지는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 중간서브영역의 도펀트농도는 상기 제 1 포텐셜배리어서브영역의 도펀트농도보다 크고, 상기 제 1 포텐셜웰서브영역보다 작은 것특징으로 하는전하전송장치. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 중간서브영역내에 상기 챠지패킷들에 대한 제 2 포텐셜배리어가 생성되어, 각 상기 챠지패킷들이 상기 제 1 포텐셜웰서브영역내에 생성된상기최종포텐셜웰축적되는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 5] 제 3 항에 있어서,상기 중간서브영역내에 상기 최종 포텐셜웰보다 얕은 부가포텐셜웰이 생성되어, 각 상기 챠지패킷들을 구성하는 대부분의 전하가 상기 제 1 포텐셜웰서브영역내에 생성된상기최종포텐셜웰축적되는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 위치는 직사각형의 상면을 가지며, 상기 직사각형의 상면은 상기 제 1 폭보다 크고 상기 제 2 폭보다 작은제3폭가지는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 경계서브영역은,상기 전달서브영역에 인접하고 상기 챠지패킷들에 대한 제 1 포텐셜배리어를 생성하는 제 1 포텐셜배리어서브영역과,상기 플로팅확산영역에 접하고 상기 최종 포텐셜웰을 생성하는 상기 위치로서 제공하는 제 1 포텐셜웰서브영역과, 그리고상기 제 1 포텐셜배리어서브영역과 상기 제 1 포텐셜웰서브영역사이에 위치한중간서브영역가지는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 중간서브영역내에 상기 챠지패킷들에 대한 제 2 포텐셜배리어가 생성되어, 각 상기 챠지패킷들이 상기 제 1 포텐셜웰서브영역내에 생성된상기최종포텐셜웰축적되는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 위치는, 사다리꼴의 상면을 가지며, 상기 사다리꼴의 상면은, 단변과, 상기 단변과 평행하고 상기 단변보다 상기 플로팅확산영역에 인접한장변가지는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 경계서브영역은,상기 전달서브영역에 인접하고 상기 챠지패킷들에 대한 제 1 포텐셜배리어를 생성하는 제 1 포텐셜배리어서브영역과,상기 플로팅확산영역에 접하고 상기 최종 포텐셜웰을 생성하는 상기 위치로서 제공하는 제 1 포텐셜웰서브영역과, 그리고상기 제 1 포텐셜배리어서브영역과 상기 제 1 포텐셜웰서브영역사이에 위치한중간서브영역가지는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 중간서브영역내에 상기 챠지패킷들에 대한 제 2 포텐셜배리어가 생성되어, 각 상기 챠지패킷들이 상기 제 1 포텐셜웰서브영역내에 생성된상기최종포텐셜웰축적되는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 위치는, 삼각형의 상면을 가지며, 상기 삼각형의 상면은, 상기 플로팅확산영역에 접한 기준선과, 상기 기준선보다 상기 전달서브영역에 인접한정점가지는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 경계서브영역은,상기 전달서브영역에 인접하고 상기 챠지패킷들에 대한 제 1 포텐셜배리어를 생성하는 제 1 포텐셜배리어서브영역과,상기 플로팅확산영역에 접하고 상기 최종 포텐셜웰을 생성하는 상기 위치로서 제공하는 제 1 포텐셜웰서브영역과, 그리고상기 제 1 포텐셜배리어서브영역과 상기 제 1 포텐셜웰서브영역사이에 위치한중간서브영역가지는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 중간서브영역내에 상기 챠지패킷들에 대한 제 2 포텐셜배리어가 생성되어, 각 상기 챠지패킷들이 상기 제 1 포텐셜웰서브영역내에 생성된상기최종포텐셜웰축적되는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 15] 제 1 항에 있어서,상기 위치는 반타원형의 상면을 가지며, 상기 반타원형의 상면은, 상기 플로팅확산영역에 접한직선가지는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 경계서브영역은,상기 전달서브영역에 인접하고 상기 챠지패킷들에 대한 제 1 포텐셜배리어를 생성하는 제 1 포텐셜배리어서브영역과,상기 플로팅확산영역에 접하고 상기 최종 포텐셜웰을 생성하는 상기 위치로서 제공하는 제 1 포텐셜웰서브영역과, 그리고상기 제 1 포텐셜배리어서브영역과 상기 제 1 포텐셜웰서브영역사이에 위치한중간서브영역가지는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 중간서브영역내에 상기 챠지패킷들에 대한 제 2 포텐셜배리어가 생성되어, 각 상기 챠지패킷들이 상기 제 1 포텐셜웰서브영역내에 생성된상기최종포텐셜웰축적되는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 18] 제 1 항에 있어서,상기 전달서브영역 및 상기 경계서브영역상에 형성된 유전막을 추가로 구비하고, 상기 복수개의 전하전송전극은상기유전막내형성되는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 유전막은, 상기 포텐셜웰들위의 상기 복수개의 전하전송전극의 전하전송전극들과 상기 포텐셜웰들에 할당된 상기 전달서브영역사이에서 측정된 제 1 두께와, 상기 포텐셜배리어들위의 상기 복수개의 전하전송전극의 전하전송전극들과 상기 포텐셜배리어들에 할당된 상기 전달서브영역사이에서 측정된 제 2 두께를 가지며, 상기 제 1 두께는 상기 제 2 두께보다 큰 것특징으로 하는전하전송장치. [청구항 20] 제 18 항에 있어서,상기 복수개의 전하전송전극은 제 1 전극그룹과 제 2 전극그룹으로 분할되고, 상기 제 1 전극그룹의 전하전송전극들은 상기 제 2 전극그룹의 전하전송전극들과 교번하여, 각각이 상기 제 1 전극그룹의 상기 전하전송전극들중 하나와 이웃하는 상기 제 2 전극그룹의 상기 전하전송전극들중 하나로 구성되는 전하전송전극쌍을 형성하며, 상기 구동신호는 모든 다른 전하전송전극쌍에 인가되는 제 1 위상클럭과 나머지 전하전송전극쌍에 인가되는제2위상클럭갖는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 제 1 전극그룹의 상기 전하전송전극들과 상기 제 2 전극그룹의 상기 전하전송전극들은 상기 전하전송영역으로부터 동일한간격위치되는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 22] 제 20 항에 있어서,상기 제 1 그룹의 상기 전하전송전극들과 상기 제 2 전극그룹의 상기 전하전송전극들은 상기 전하전송영역으로부터 상이한간격위치되는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 23] 제 18 항에 있어서,상기 복수개의 전하전송전극은 제 1 전극그룹과 제 2 전극그룹으로 분할되고, 상기 제 1 전극그룹의 전하전송전극들은 상기 제 2 전극그룹의 전하전송전극들과 교번하고, 상기 구동신호는 상기 제 1 전극그룹의 전하전송전극들에 인가되는 제 1 위상클럭과 상기 제 2 그룹의 전하전송전극들에 인가되는제2위상클럭갖는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 24] 제 2 항에 있어서,상기 전달서브영역은,상기 챠지패킷들에 대한 상기 포텐셜배리어들 각각 생성하는 제 2 포텐셜배리어서브영역들과,상기 제 2 포텐셜배리어서브영역들과 교번하여 각각 상기 챠지패킷들을 축적하기 위한 포텐셜웰들을 생성하고, 제 2 포텐셜웰서브영역들중 하나가 상기 제 1 포텐셜배리어서브영역들에 인접하는상기제2포텐셜웰서브영역들포함하는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 25] 제 24 항에 있어서,상기 제 2 포텐셜웰서브영역들의 도펀트농도는 상기 제 2 포텐셜배리어서브영역들의 도펀트농도보다 큰 것특징으로 하는전하전송장치. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,상기 제 2 포텐셜웰서브영역들의 도펀트농도는, 상기 제 1 포텐셜웰서브영역들의 도펀트농도보다 작고 상기 중간서브영역의 도펀트농도보다 크며, 상기 제 2 포텐셜배리어서브영역들의 도펀트농도는 상기 중간서브영역의 도펀트농도보다 작은 것특징으로 하는전하전송장치. [청구항 27] 제 25 항에 있어서,제 2 포텐셜웰서브영역들과 상기 제 2 포텐셜배리어서브영역들의 도펀트농도는 상기 중간서브영역과 상기 제 1 포텐셜배리어서브영역의 도펀트농도와 각각 동일하며, 상기 제 1 포텐셜웰서브영역들의 도펀트농도는 상기 중간서브영역의 도펀트농도보다 큰 것특징으로 하는전하전송장치. [청구항 28] 제 25 항에 있어서,제 2 포텐셜배리어서브영역들과 상기 제 2 포텐셜웰서브영역들의 도펀트농도는 상기 제 1 포텐셜배리어서브영역과 상기 제 1 포텐셜웰서브영역의 도펀트농도와 각각 동일하며, 상기 중간서브영역의 도펀트농도는 상기 제 1 포텐셜배리어서브영역의 도펀트농도보다 크고 상기 제 1 포텐셜웰서브영역의 도펀트농도보다 작은 것특징으로 하는전하전송장치. [청구항 29] 제 18 항에 있어서,상기 경계서브영역과 상기 플로팅확산영역사이에 위치된 포텐셜배리어영역과, 그리고일정한 포텐셜레벨이 공급되어 상기 최종 포텐셜웰과 상기 플로팅확산영역사이에 상기 챠지패킷들에 대한 일정 포텐셜배리어를 생성하는 제 1 게이트전극을 추가로 구비하고,상기 제 1 포텐셜웰은, 상기 구동신호에 응답하여, 상기 포텐셜배리어영역의 전도대의 하측에지보다 높은 제 1 에너지레벨과 상기 포텐셜배리어영역의 전도대의 하측에지보다 낮은 제 2 에너지레벨사이에서 변화되는 전도대의 하측에지갖는것을특징으로 하는전하전송장치. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 플로팅확산영역에 대하여 상기 포텐셜배리어영역의 대향측에 위치되고 리셋레벨의 전원과 연결되는 드레인영역과, 그리고상기 플로팅확산영역과 상기 드레인영역사이의 영역위의 상기 유전막내에 형성되고, 리셋신호에 응답하여 상기 플로팅확산영역으로부터 상기 드레인영역으로 상기 각 상기 챠지패킷들을 방전시키는리셋전극을추가구비하는것을특징으로 하는전하전송장치.