반도체장치용 칩 스케일 표면 장착 패키지 및 그 제조공정 document_id 1019990055093

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,웨이퍼의 뒷면에 도전기판을 부착하기전에 반도체 웨이퍼를 얇게 만드는단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,반도체 웨이퍼를 얇게 만드는 단계는 웨이퍼의 뒷면을 연마하는단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,반도체 웨이퍼를 얇게 만드는 단계는 웨이퍼의 뒷면을 랩핑하는단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,반도체 웨이퍼를 얇게 만드는 단계는 웨이퍼의 뒷면을 에칭하는단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,웨이퍼의 뒷면에 도전기판을 부착하는 단계는 도전시멘트를 이용하는단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,도전기판은 구리 및 알루미늄으로 구성된 기에서 선택된재료로이루어지는것을특징으로 하는공정. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,라이브선을 따라 웨이퍼를 절단하는 단계는톱질단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,라이브선을 따라 웨이퍼를 절단하는 단계는포토리소그래피패턴및에칭단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,금속층을 형성하는 단계는 제 1 금속 부층을 스퍼터링하는 단계 및 상기 제 1 금속 부층위에 제 2 금속 부층을 스퍼터링하는단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,제 1 금속 부층은 티타늄으로 이루어지고,제2금속부층알루미늄으로이루어지는것을특징으로 하는공정. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,제 1 금속층을 형성하는 단계는 제 2 금속 부층상에 제 3 금속 부층을 도금하는단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,제 3 금속 부층은니켈로이루어지는것을특징으로 하는공정. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,제 1 금속층을 형성하는 단계는 제 3 금속 부층상에 제 4 금속 부층을 도금하는단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,제 4 금속 부층은금으로이루어지는것을특징으로 하는공정. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,금속층을 형성하는 단계는:다이의 정면, 다이스의 측단부, 및 도전기판의 노출부상에 금속 부층을 디포지션하는 단계;마스크층을 디포지션하는 단계;상기 마스크층을 패턴하는 단계;상기 금속 부층의 제 1 부분을 노출시키는 개구부를 형성하기 위해 상기 마스크층의 일부를 제거하는 단계;상기 금속 부층의 제 1 부분을 제거하는 단계; 및상기 마스크층의 잔여부분을 제거하는 단계로 이루어지고,상기 마스크층의 잔여부분은 금속 부층의 제 2 부분을 덮고 있으며, 금속 부측의 제 2 부분은도전기판및다이의측단부접촉하고있는것을특징으로 하는공정. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,금속 부층을 디포지션하는 단계는스퍼터링단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 18] 제 16 항에 있어서,금속층을 형성하는 단계는 금속 부층위에 제 2 금속 부층을 도금하는단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 19] 제 1 항에 있어서,금속층의 적어도 일부상에 적어도 하나의 솔더 포스트를 형성하는단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 20] 제 1 항에 있어서,금속층의 적어도 일부상에 적어도 하나의 솔더 볼을 형성하는단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,적어도 하나의 솔더 볼을 형성하는 단계는스크린 프린팅단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 22] 제 20 항에 있어서,적어도 하나의 솔더 볼을 형성하는 단계는솔더 제팅단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 23] 제 1 항에 있어서,금속층의 적어도 일부상에 적어도 하나의 도전 폴리머 볼을 형성하는단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 24] 제 1 항에 있어서,라이브선을 따라 도전기판을 절단하는 단계는톱질단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 25] 제 1 항에 있어서,다이스를 분리하기 위해 제 1 및 제 2 절단부에 수직방향으로 도전기판과 웨이퍼를 절단하는단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,웨이퍼 및 도전기판을 절단하는 단계는포토리소그래피패턴및에칭단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 27] 제 1 항에 있어서,반도체장치는 mosfet이고, 다이의 정면은 소스 연결패드 및 게이트 연결패드로 이루어지며, 도전기판은 다이의 뒷면상에서 드레인 단자와 접촉하고 있고, 금속층의 드레인부는 도전기판과 접촉하며, 금속층은 또한 소스 연결패드와 접촉하는 소스부 및 게이트 연결패드와 접촉하는 게이트부를 포함하고, 금속층의 소스, 게이트, 및 드레인부는서로전기적절연되어있는것을특징으로 하는공정. [청구항 28] 제 1 항에 있어서,반도체장치는 mosfet으로이루어지는것을특징으로 하는공정. [청구항 29] 제 1 항에 있어서,반도체장치는다이오드로이루어지는것을특징으로 하는공정. [청구항 30] 제 1 항에 있어서,반도체장치는 jfet으로이루어지는것을특징으로 하는공정. [청구항 31] 제 1 항에 있어서,반도체장치는바이폴러트랜지스터로이루어지는것을특징으로 하는공정. [청구항 32] 제 1 항에 있어서,반도체장치는 ic로이루어지는것을특징으로 하는공정. [청구항 35] 제 34 항에 있어서,웨이퍼를 절단하는 단계에 의해 형성된 제 1 커프는 도전기판을 절단하는 단계에 의해 형성된 제 2 커프보다 너비가 더 넓은 것특징으로 하는공정. [청구항 36] 제 34 항에 있어서,웨이퍼를 절단하는 단계는톱질단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 37] 제 34 항에 있어서,도전기판을 절단하는 단계는톱질단계포함하는것을특징으로 하는공정. [청구항 39] 제 38 항에 있어서,연결패드와 전기적 접촉하는제2금속층포함하는것을특징으로 하는패키지. [청구항 40] 제 38 항에 있어서,금속층은 적어도 2개의 금속 부층으로 이루어지고, 제 2 금속 부층이제1금속부층위에놓이는것을특징으로 하는패키지. [청구항 41] 제 40 항에 있어서,제 1 금속 부층은 스퍼터링되고,제2금속부층도금되는것을특징으로 하는패키지. [청구항 42] 제 39 항에 있어서,금속층과 접촉하는 적어도 하나의 제 1 솔더 포스트 및 제 2 금속층과 접촉하는적어도하나의제2솔더 포스트포함하는것을특징으로 하는패키지. [청구항 43] 제 39 항에 있어서,금속층과 접촉하는 적어도 하나의 제 1 솔더 볼 및 제 2 금속층과 접촉하는적어도하나의제2솔더볼포함하는것을특징으로 하는패키지. [청구항 44] 제 39 항에 있어서,금속층과 접촉하는 적어도 하나의 제 1 도전 폴리머 볼 및 제 2 금속층과 접촉하는적어도하나의제2도전폴리머볼포함하는것을특징으로 하는패키지. [청구항 45] 제 38 항에 있어서,도전판은 다이의 너비(x1)보다 큰너비갖는것을특징으로 하는패키지. [청구항 46] 제 38 항에 있어서,다이는수직파워이루어지는것을특징으로 하는패키지. [청구항 47] 제 38 항에 있어서,다이는다이오드로이루어지는것을특징으로 하는패키지. [청구항 48] 제 38 항에 있어서,다이는바이폴러트랜지스터로이루어지는것을특징으로 하는패키지. [청구항 49] 제 38 항에 있어서,다이는 jfet으로이루어지는것을특징으로 하는패키지. [청구항 50] 제 38 항에 있어서,다이는 ic로이루어지는것을특징으로 하는패키지. [청구항 52] 제 51 항에 있어서,소스 금속층과 접촉하는 적어도 하나의 솔더 포스트, 게이트 금속층과 접촉하는 적어도 하나의 솔더 포스트, 및 드레인 금속층과 접촉하는적어도하나의솔더 포스트포함하는것을특징으로 하는패키지. [청구항 53] 제 51 항에 있어서,소스 금속층과 접촉하는 적어도 하나의 솔더 볼, 게이트 금속층과 접촉하는 적어도 하나의 솔더 볼, 및 드레인 금속층과 접촉하는적어도하나의솔더볼포함하는것을특징으로 하는패키지. [청구항 54] 제 51 항에 있어서,소스 금속층과 접촉하는 적어도 하나의 도전 폴리머 볼, 게이트 금속층과 접촉하는 적어도 하나의 도전 폴리머 볼, 및 드레인 금속층과 접촉하는적어도하나의도전폴리머볼포함하는것을특징으로 하는패키지. [청구항 56] 제 55 항에 있어서,도전기판의 단부를 다이의 단부 너머 측부상으로연장되는것을특징으로 하는패키지. [청구항 57] 제 55 항에 있어서,플랜지는 다이의 면에 수평한 방향으로 다이로부터 윗방향으로세로연장되는것을특징으로 하는패키지. [청구항 59] 제 58 항에 있어서,각각의 다이의 정면은 적어도 하나의 연결패드를 포함하고, 금속층은 연결패드로부터전기적절연되는것을특징으로 하는반도체 구조체. [청구항 60] 제 58 항에 있어서,연결패드와 전기적 접촉하는제2금속층포함하는것을특징으로 하는반도체 구조체.