반도체 웨이퍼의 고속 열처리 시스템 document_id 1019990066070

[청구항 1] 반도체 웨이퍼의 고속 열처리 시스템에 있어서 상기 시스템은 내부에 배기덕트부(12) 및 히터안치부(13)를 갖는 통형상으로서 상면 소정위치에 상기 배기덕트부(12)와 연통되어 배기덕트부(12)내의 배기가스를 외부로 배출하는 가스배출구 (15)와, 하면 중앙부에 소정직경을 갖고 상기 히터안치부(13)와 연통되게 관통형성되는 웨이퍼이송공(16)과, 상기 웨이퍼이송공(16)의 내주면을 따라 상기 배기덕트부(12)와 연통되게 형성되는 배기가스흡입구(17)와, 상기 웨이퍼이송공(16)의 상부 내주면을 따라 형성되어 웨이퍼이송공(16)을 통과하는 웨이퍼(50)를 예열시키기 위한 예열부(14a)를 일체로 갖는 히터챔버본체(14)와, 하면부에 소정직경과 깊이를 갖고 형성되는 웨이퍼수납부(19)와, 상기 웨이퍼수납부(19)의 상면에 설치되어 발열하는 히터(20)와, 상기 웨이퍼수납부(19)의 상면에 연통되게 연결되어 웨이퍼수납부(19)에 가스를 주입하는 가스주입구(21)와, 상기 웨이퍼수납부(19)의 내주면에 설치되어 웨이퍼수납부(19)내의 온도를 측정하는 다수개의 온도감지수단(22)을 갖고 상기 히터챔버본체(14)의 히터안치부(13)내에 내장되는 세라믹보드(18)를 구비하는 히터챔버(11)와 소정크기를 갖는 평판으로서 상기 히터챔버(11)를 지지하는 지지플레이트(23)와 상기 지지플레이트(23)의 상면과 히터챔버(11)의 하면 사이에 수직으로 고정설치되어 상기 히터챔버(11)를 지지하는 복수개의 가이드봉(25)과 상기 복수개의 가이드봉(25)을 따라 상하작동되어 웨이퍼(50)를 이송하는 웨이퍼리프팅유닛(31)과 하면 중앙부에 내주면에 스크류가 형성된 스크류조립공(30)을 갖 고 상기 웨이퍼리프팅유닛(31)의 하면부에 장착되는 리프팅프레임(29)과 회전축에 상기 리프팅프레임(29)의 스크류조립공(30)과 조립되어 상기 웨이퍼리프팅유닛(31)을 상하작동시키기 위한 스크류(28)을 구비하고, 상기 지지프레이트(23)의 상면 중앙부에 설치되는 구동모터(27)와 상기 히터(20), 다수개의 온도감지수단(22)(37), 구동모터(27) 및 웨이퍼리프팅유닛(31)에 각각 전기적으로 연결되어 웨이퍼수납부 및 웨이퍼(50)의 하측 공간의 온도에 따라 상기 히터(20) 및 구동모터(27)의 작동을 제어하는 제어수단(38)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 고속 열처리 시스템 [청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 히터(20)는몰리브덴히터인것을특징으로 하는반도체 웨이퍼의 고속 열처리 시스템. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 히터(20)는 균일한 간접열로 웨이퍼(50)를 열처리하기 위하여 상기 세라믹 보드(18)의 상면에 설치되어세락믹보드가열하는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼의 고속 열처리 시스템. [청구항 4] 제 1항에 있어서,상기 웨이퍼리프팅유닛(31)은 소정크기를 갖는 평판으로서, 연부 소정위치에 관통형성되고 상기 가이드봉(25)과 각각 베어링결합되어 가이드봉(25)을 따라 작동되는 복수개의 가이드조립공(32c)과, 중앙부에 소정직경의 설치공(32b)을 갖는 이송플레이트(32)와; 소정직경과 길이를 갖는 파이프로서 상기 이송플레이트(32)의 설치공(32b)에 결합되어 수직으로 고정설치되는 관형축(35)과; 소정직경을 갖는 원판으로서 중앙부에 소정직경으로 관통형성되어 상기 관형축(35)과 조립되는 축결합공(33a)과, 하면의 상기 축결합공(33a) 연부를 따라 형성되는 기어부(33b)와, 외주면 하부를 따라 외향으로 돌출형성되어 상기 웨이퍼이송공(16)의 하단을 차단하는 걸림턱부(33c)를 갖고 상기 관형축(35)에 회전가능하게 베어링결합되는 회전반(33)과; 소정직경을 갖고 상면부의 내측 연부가 하방으로 소정폭 단층지게 형성된 링형상의 지지대본체(34a)와, 상기 지지대본체(34a)의 상면 단턱부에 장착되는 열전도율이 매우 낮은 사파이어링(34b)과, 상기 지지대본체(34a)의 하면부에 형성되어 상기 회전반(33)상에 고정설치되는 다수개의 레그(34d)를 구비하는 웨이퍼지지대(34)와; 회전축에 상기 회전반(33)의 기어부(33b)와 치합되는 기어부(36a)를 갖고 상기 이송플레이트(32)상에 고정설치되어 상기 회전반(33)을 회전시키는 구동모터(36)와; 이송플레이트(32)의 하부에 설치되어 웨이퍼(50)의 하측 온도를 감지하기 위한온도감지수단구성되는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼의 고속 열처리 시스템. [청구항 5] 제 1항 또는 제 4항에 있어서,상기 웨이퍼지지대(34)는 상기 지지대본체 (34a)의 상면에 내향으로 소정각도 경사지고 방사상으로 요부지게 형성되는 다수개의 안내홈(34e)과, 소정직경을 갖는 구형상으로서 상기 각각의 안내홈(34e)에 구름작동가능하게 배치되어 웨이퍼(50)를 지지하는 다수개의 세라믹볼(34f)을추가적포함하는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼의 고속 열처리 시스템. [청구항 6] 제 4항에 있어서,상기 온도감지수단(37)은 파이로메타(pyrometer)로서 상기 이송플레이트(32)의 하면에 고정설치되고, 상기 관형축(35)을 통하여 웨이퍼지지대 (34)의 지지대본체(34a) 하측에 배치되는 웨이퍼 하측의 온도를 감지하기 위한 파이로메타프로브구비하는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼의 고속 열처리 시스템. [청구항 7] 제 1항에 있어서,상기 제어수단(38)은 상기 온도감지수단(22)의 신호에 따라 상기 히터(20)의 발열을 제어하고, 상기 온도감지수단(37)의 신호에 따라 웨이퍼리프팅유닛(31)의상승속도제어하는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼의 고속 열처리 시스템. [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 웨이퍼수납부(19)는 웨이퍼(50)에 대한 열처리시 불순물이 웨이퍼(50)상에 떨어지는 것을 방지하기 위하여 내표면상에폴리실리콘 튜브피복되는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼의 고속 열처리 시스템. [청구항 9] 제 1항에 있어서,상기 시스템은 상기 웨이퍼리프팅유닛(31)이 고정되고, 상기 히터챔버(11)가 상하작동되어 상기 웨이퍼지지대(34)상에 탑재된 웨이퍼(50)에 대한 열처리를 실시할 수구성되는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼의 고속 열처리 시스템.