DC전압을 AC전압으로 변환하기 위한 저부유 상호접속 인덕턴스 전력변환모듈과 전력변환모듈의 조합 및 전력변환방법 document_id 1019997000464

[청구항 1] dc전압을 ac전압으로 변환시키기 위한 저부유(low stray) 상호접속 인덕턴스 전력변환모듈로서, 상기 dc전압을 수신하기 위한 두 개의 dc전압단자들과 ac전압을 전달하기 위한 ac전압단자와 상기 ac전압단자를 통해 상기 dc전압단자들 사이에 직렬의 토템폴(totem pole)로서 연결된 한 쌍의 상기 스위칭부품들을 포함하는 하프브리지(half-bridge)와 상기 하프브리지를 디커플링(decoupling)하기 위한 디커플링수단을 포함하며, 상기 디커플링수단은 유전물질에 의해 분리된 인접하여 중첩된 적어도 두 개의 일련의 전극플레이트들을 포함하며, 상기 인접 전극플레이트들의 각각은 상기 dc단자들 중 다른 하나에 연결되는, 상기 저부유 상호접속 인덕턴스 전력변환모듈에 있어서, 상기 인접하여 중첩된 적어도 두 개의 일련의 전극플레이트들은 상기 하프브리지와 오버래핑 관계로 근접하게 연장하며 상기 전극플레이트들은 두 개의 전력 스위칭부품들과, dc단자들과, ac단자를 통해 축소단면 벨트형 폐쇄루프 도전경로를 형성하는, 전력변환모듈 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,세라믹재료로 형성된 베이스(base)를 포함하며, 이 베이스 상에는 전력 스위칭부품들이 장착되며; 상기 전력 스위칭부품들의 각각은 병렬로 장착된 전력 반도체장치들의 열(row)을 포함하며;상기 ac단자는 상기 베이스 상에 장착된 중앙 금속플레이트(central metal plate)를 포함하며;상기 두 개의 dc전압단자들의 각각은 상기 베이스 상에 장착된 측면 금속플레이트와, 상기 측면 금속플레이트 및 상기 디커플링수단 사이에 연결된 측면 수직금속벽들(lateral upright metal walls)을 포함하며, 상기 전력 스위칭부품들은 상기 ac전압단자의 중앙 금속플레이트를 거쳐 dc전압단자들의 측면 금속플레이트들 사이에 직렬의 토템폴연결되는,전력변환모듈. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 축소단면 벨트형 폐쇄루프 도전경로는 상기 중앙플레이트와, 상기 측면 금속플레이트들과, 상기 측면 수직금속벽들과, 상기 중첩된 전극플레이트들과, 전력 스위칭부품들에 의해 형성되며, 직사각형 단면갖는,전력변환모듈. [청구항 4] 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 전력 반도체장치들을 구동하기 위해서 상기 전력 반도체장치들에 가까운 상기 베이스 상에 장착된 드라이버들더 포함하는,전력변환모듈. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 반도체장치들은 게이트 정전용량 제어식 반도체장치들이며, 상기 드라이버들의 각각은,대응 반도체장치용 게이트신호를 수신하기 위한 단자와;상기 대응 반도체장치의 단자와 게이트 사이에 연결된 제 1 레지스터와;직렬로 연결된 전압 게이트 제어 스위치와 제 2 레지스터를 포함하며, 제 1 레지스터에 병렬로 연결된 회로부분과;상기 대응 반도체장치의 콜렉터 전압신호를 모니터하기 위한 대응 반도체장치의 콜렉터와 전압 게이트 제어스위치의 게이트 사이에 연결된 캐패시터와;전압 게이트 제어 스위치의 게이트와 단자 사이에 연결된 전압클램핑(voltage claming) 수단으로서, 작동 중에 상기 제 1 레지스터는 상기 콜렉터 전압신호의 강하에 앞서 상기 대응 반도체장치의 게이트전류를 제한하여 상기 콜렉터전류의 상승시간을 제한하며, 작동 중에 상기 제 1 레지스터 및 제 2 레지스터들은 상기 콜렉터전압의 상기 하강 동안에 상기 대응 반도체장치의 게이트전류를 제한하여 콜렉터전압의 강하시간을 제한하는, 상기 전압 클램핑수단포함하는,전력변환모듈. [청구항 6] 제 2 항 또는 제 3항에 있어서,상기 전력 반도체장치들을 제어하기 위한 제어보드를 포함하며, 상기 제어보드는 상기 전력 스위칭부품들이 장착된 베이스와 디커플링수단 사이배치되는,전력변환모듈. [청구항 7] 제 1 항, 제 2항, 또는 제 3항에 있어서,상기 벨트형 폐쇄루프 도전경로의 개구 단부들(open ends)을 폐쇄하기 위한 도전물질로 만들어진 벽들을 더 포함하며, 상기 개구 단부들의 각각은 상기 중앙플레이트와 상기 측면 금속플레이트들과 측면 금속벽들의 에지(edge)들에 의해서, 그리고 중첩된 금속플레이트들의 하부 에지에 의해 제한되며, 작동 중에, 전류는 부유 상호접속 인덕턴스에 관련된 전압스파이크들을 더 감소시키기 위하여 상기 도전벽들 내로 자기적유도되는,전력변환모듈. [청구항 8] 제 1 항, 제 2항, 또는 제 3항에 있어서,상기 축소단면 벨트형 폐쇄루프 도전경로를 둘러싸는 도전벽들을 포함하는 하우징(housing)을 더 포함하며, 작동 중에, 전류는 부유 상호접속 인덕턴스에 관련된 전압스파이크들을 더 감소시키기 위하여 상기 도전벽들 내로 자기적유도되는,전력변환모듈. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 하우징의 도전벽들 중 적어도 하나가 절연벽들 위에서금속성침착물의해형성되는,전력변환모듈. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,상기 하우징의 도전벽들은 함께 연결된 적어도 두 개의 부품들지는,전력변환모듈. [청구항 11] 제 8 항에 있어서,상기 하우징의 도전벽들과 상기dc단자들 중 하나 사이에 연결된 캐패시터를 더 포함하며, 상기 도전벽들은 전기접속을 목적으로 하나의 접속점제공하는,전력변환모듈. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 캐패시터는 상기 디커플링수단의 상부 전극플레이트에 인접하며, 유전물질에 의해 상기 상부 전극플레이트로부터 분리된상기도전벽들중하나벽에의해형성되는,전력변환모듈.