문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역은 각 영역 내에서의 각 계면이 각각 균일한포텐셜장벽갖는것을특징으로 하는막형상 복합 구조체.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 제 2 영역은 상기 금속층의 전 영역에 대하여 원하는 패턴에 따라서부분적설치되어있는것을특징으로 하는막형상 복합 구조체.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 중간층은 상기 반도체층과 금속층 사이에 최대지름이 100㎚ 이하인섬형상체존재하고있는것을특징으로 하는막형상 복합 구조체.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 중간층은 상기 반도체층과 금속층 사이에 폭 100㎚이하의띠형상체존재하고있는것을특징으로 하는막형상 복합 구조체.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 반도체 단결정 기판이고 상기 중간층은 상기 반도체 단결정 기판표면의 테라스상에부분적형성되어있는것을특징으로 하는막형상 복합 구조체.
[청구항 13]
제 1 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 영역에는각각탄도전자주입되는것을특징으로 하는막형상 복합 구조체.
[청구항 14]
제 13 항에 있어서,상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역은 쇼트키 장벽높이 이상의 바이어스 전압을 인가했을 때의 탄도전자에 기초한 탄도전자전류가 다른 것특징으로 하는막형상 복합 구조체.
[청구항 15]
제 1 항에 있어서,고집적화 소자용 구조체인 것을특징으로 하는막형상 복합 구조체.
[청구항 16]
제 1 항에 기재된 막형상 복합 구조체와,상기 막형상 복합 구조체의 상기 제 1 및 제 2 영역에 각각 탄도전자를 주입하도록 상기 금속층에 터널전류를 흐르게 하는 탐침을 구비한 고집적화 기능소자에 있어서,상기 금속층에 쇼트키 장벽높이 이상의 바이어스 전압을 인가했을 때의 상기 제 1 영역과 제 2 영역 사이에서 다른 탄도전자전류에 기초하여제어하는것을특징으로 하는고집적화 기능소자.
[청구항 19]
제 18 항에 있어서,및 제 2 쇼트키 전류를 흐르게 하는 수단은 상기 제 1 및 제 2 영역에 각각 탄도전자를 주입하도록 상기 금속층에 터널 전류를 흐르게 하는탐침구비하는것을특징으로 하는고집적화 기능소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
고집적화 기능소자에서 제 1 영역과 제 2 영역 사이의 탄도전자전류를 제어하기 위해 금속층에 인가하는 바이어스 전압의 조건은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation고집적화 기능소자에서 제 1 영역과 제 2 영역 사이의 탄도전자전류를 제어하기 위해 금속층에 인가해야 하는 바이어스 전압의 조건을 찾는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 16에서 고집적화 기능소자의 동작 방식과 금속층에 인가되는 바이어스 전압에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 금속층에 쇼트키 장벽높이 이상의 바이어스 전압을 인가했을 때의 상기 제 1 영역과 제 2 영역 사이에서 다른 탄도전자전류에 기초하여제어하는것을특징으로 하는고집적화 기능소자
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '바이어스 전압의 조건'을 직접적으로 명시하고 있는 청구항 16의 구절을 선택한다.
- 상기 금속층에 쇼트키 장벽높이 이상의 바이어스 전압을 인가했을 때
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4논리 통합
logical_integration금속층에 쇼트키 장벽높이 이상의 바이어스 전압을 인가하면, 제 1 영역과 제 2 영역 사이에서 서로 다른 탄도전자전류가 발생하여 이를 통해 제어가 가능함을 연결한다.
- 상기 금속층에 쇼트키 장벽높이 이상의 바이어스 전압을 인가했을 때의 상기 제 1 영역과 제 2 영역 사이에서 다른 탄도전자전류에 기초하여제어하는것
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5결론 도출
conclusion_formulation금속층에 인가하는 바이어스 전압의 조건은 '쇼트키 장벽높이 이상'임을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 조건을 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
쇼트키 장벽높이 이상의 바이어스 전압
핵심 해석 (core_interpretation)
고집적화 기능소자에서 금속층에 쇼트키 장벽높이 이상의 바이어스 전압을 인가함으로써, 제 1 영역과 제 2 영역 간의 서로 다른 탄도전자전류를 이용하여 전류를 제어하는 기술이다.