문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,제 2 영역은 두꺼운 산화물의 제 2 영역을 정의하는 테이퍼된 에지를 갖는 윈도우에 이온을 수평으로 완만한 접합을 형성하는 산화물의 테이퍼된 에지를 통해 주입하여 형성된이온주입영역인것을특징으로 하는pn 접합.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,제 2 영역위에 그리고 테이퍼된 산화물층 위에서 확장되는 전도층은 두꺼운 산화물의 윈도우 위에 그리고 주입을 통하여 수평적으로 완만한 접합을 형성하는 테이퍼된 에지 위에 있는전도층인것을특징으로 하는pn 접합.
[청구항 4]
제 2 항에 있어서,제 2 영역 위에 그리고 테이퍼된 산화물층 위에서 확장되는 전도층은 두꺼운 산화물의 윈도우 위에 그리고 주입이 된 테이퍼된 에지가 후방으로 에칭된 후에 산화물층의 테이퍼된 에지 위에 있는전도층인것을특징으로 하는pn 접합.
[청구항 5]
제 2 항에 있어서,제 2 영역 위에 그리고 테이퍼된 산화물층 위에서 확장되는 전도층은 두꺼운 산화물의 윈도우 위에 그리고 주입이 된 테이퍼된 에지가 제 1 영역의 제 1 표면에서 pn 접합의 위치에 대략 이분의 일로 후방으로 에칭된 후에 산화물층의 테이퍼된 에지 위에 있는전도층인것을특징으로 하는pn 접합.
[청구항 13]
제 12 항에 있어서,채널 영역은 기판과는 상이한전기적특성갖는것을특징으로 하는다이오드.
[청구항 14]
제 12 항에 있어서,기판상에 복수의 페디스털을 갖고 복수의 페디스털을 대면하는 에지에서 최소 두께로 테이퍼되는 기판의 제 1 표면의 지역을 둘러싸는 제 2 산화물층, 제 2 산화물층의 테이퍼된 에지에 걸쳐 확장하는 제 2 다이오드 접점을 형성하는 전도층, 및 제 1 표면으로 확장하고 테이퍼된 산화물의 영역내에서 제거하는매입층더포함하는것을특징으로 하는다이오드.
[청구항 15]
제 14 항에 있어서,전도층은 페디스털사이의 선택된 영역내에 매입층을 갖는전기적접점내에있는것을특징으로 하는다이오드.
[청구항 16]
제 14 항에 있어서,매입층은 수평으로 완만한 접합으로 특징지어진 테이퍼된 산화물을 통하여 주입된층인것을특징으로 하는다이오드.
[청구항 17]
제 15 항에 있어서,제 2 산화물층의 테이퍼는 매입층과 기판사이의 접합으로 향한 주입후에후방이동하는것을특징으로 하는다이오드.
[청구항 19]
제 18 항에 있어서,매입층은 수평으로 완만한 접합으로 특징지어진 테이퍼된 산화물을 통하여 주입되는층인것을특징으로 하는다이오드.
[청구항 20]
제 19 항에 있어서,제 2 산화물층의 테이퍼는 매입층과 기판사이의 접합으로 주입후에후방이동하는것을특징으로 하는다이오드.
[청구항 21]
제 18 항에 있어서,채널 영역은 기판과는 상이한전기적특성갖는것을특징으로 하는다이오드.
[청구항 23]
제 22 항에 있어서,기판nan은제2다이오드연결형성하는것을특징으로 하는정류회로.
[청구항 24]
제 22 항에 있어서,다이오드가 제 1 과 제 2 다이오드 연결사이에 양과 음의 차동전압에 종속되는 회로는 출력을 정류한 전력 레벨을 제공하기 위한회로인것을특징으로 하는정류회로.
[청구항 25]
제 22 항에 있어서,다이오드는제 1 과 제 2 표면을 갖고 다이오드 연결중의 하나를 형성하는 제 1 전도성 타입의 반도체 기판;기판의 제 1 표면상의 복수의 페디스털;페디스털 사이의 기판상의 제 1 산화물층;측면 영역 아래에 그리고 기판의 제 1 표면상의 제 1 산화물층아래의 기판에 있는 채널 영역을 구비한 측면 영역을 갖는 페디스털;측면 영역 아래와 사이에 제 2 전도성 타입의 매입층을 갖는 기판; 및다른 다이오드 연결을 형성하고 페디스털상의 측면 영역과 측면 영역사이의 기판을 전기적으로 연결하는전도층포함하는것을특징으로 하는정류회로.
[청구항 26]
제 25 항에 있어서,채널 영역은 기판과는 상이한전기적특성갖는것을특징으로 하는정류회로.
[청구항 27]
제 25 항에 있어서,복수의 페디스털을 갖고 복수의 페디스털을 대면하는 에지에서 최소 두께로 테이퍼되는 기판의 제 1 표면의 지역을 둘러싸는 기판상의 제 2 산화물층, 제 2 산화물층의 테이퍼된 에지 위에서 확장되는 제 2 다이오드 접점을 형성하는 전도층, 및 제 1 표면으로 확장하고 테이퍼된 산화물의 영역내에서 제거하는매입층더포함하는것을특징으로 하는정류회로.
[청구항 28]
제 27 항에 있어서,전도층은 페디스털 사이의 선택된 영역내의 매입층을 갖는전기적접점내에있는것을특징으로 하는정류회로.
[청구항 29]
제 27 항에 있어서,매입층은 수평으로 완만한 접합으로 특징지어진 테이퍼된 산화물을 통하여 주입된층인것을특징으로 하는정류회로.
[청구항 30]
제 29 항에 있어서,제 2 산화물층의 테이퍼는 매입층과 기판사이의 접합으로 향하여 주입된 후에후방이동하는것을특징으로 하는정류회로.
[청구항 32]
제 31 항에 있어서,매입층은 수평으로 완만한 접합으로 특징지어진 테이퍼된 산화물을 통하여 주입된층인것을특징으로 하는정류회로.
[청구항 33]
제 32 항에 있어서,제 2 산화물층의 테이퍼는 매입층과 기판사이의 접합으로 향하여 주입된 후에후방이동하는것을특징으로 하는정류회로.
[청구항 34]
제 31 항에 있어서,채널 영역은 기판과 상이한전기적특성갖는것을특징으로 하는정류회로.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 25항에 따른 정류회로에서, 제 2 전도성 타입의 매입층이 위치하는 영역과 전도층이 포함하는 전기적 접점의 위치 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 25항을 바탕으로 제 2 전도성 타입의 매입층이 위치하는 영역과 전도층이 포함하는 전기적 접점의 위치 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 25항에서 매입층은 '측면 영역 아래와 사이에' 위치하며, 전도층은 '페디스털상의 측면 영역과 측면 영역 사이의 기판을 전기적으로 연결'하는 역할을 한다.
- 측면 영역 아래와 사이에 제 2 전도성 타입의 매입층을 갖는 기판; 및다른 다이오드 연결을 형성하고 페디스털상의 측면 영역과 측면 영역사이의 기판을 전기적으로 연결하는전도층
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3근거 선택
evidence_selection매입층의 위치(측면 영역 아래와 사이)와 전도층의 기능(측면 영역과 측면 영역 사이의 기판을 연결)을 명시한 구절을 선택한다.
- 측면 영역 아래와 사이에 제 2 전도성 타입의 매입층을 갖는 기판; 및다른 다이오드 연결을 형성하고 페디스털상의 측면 영역과 측면 영역사이의 기판을 전기적으로 연결하는전도층
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4논리 통합
logical_integration매입층은 측면 영역의 아래와 사이에 위치하고, 전도층은 측면 영역 사이의 기판을 연결함으로써 두 구성 요소는 측면 영역을 사이에 두고 공간적으로 연관되어 있다.
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5결론 도출
conclusion_formulation매입층은 측면 영역 아래와 사이에 위치하며, 전도층은 페디스털상의 측면 영역과 측면 영역 사이의 기판을 전기적으로 연결한다.
- 측면 영역 아래와 사이에 제 2 전도성 타입의 매입층을 갖는 기판; 및다른 다이오드 연결을 형성하고 페디스털상의 측면 영역과 측면 영역사이의 기판을 전기적으로 연결하는전도층
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 직접적인 답변을 작성한다.
- 측면 영역 아래와 사이에 제 2 전도성 타입의 매입층을 갖는 기판; 및다른 다이오드 연결을 형성하고 페디스털상의 측면 영역과 측면 영역사이의 기판을 전기적으로 연결하는전도층
최종 답변 (final_answer)
제 2 전도성 타입의 매입층은 측면 영역 아래와 사이에 위치하며, 전도층은 페디스털상의 측면 영역과 측면 영역 사이의 기판을 전기적으로 연결한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
정류회로 내에서 매입층은 측면 영역의 하부 및 사이에 배치되어 전기적 특성을 형성하고, 전도층은 측면 영역 사이의 기판을 연결하여 전기적 접점을 형성하는 구조적 관계를 가진다.