문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 소스 콘택트는상기반도체기판연장되는것을특징으로 하는반도체 구조.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 반도체 기판은 소자 조작 중 접지되며, 상기 소스 콘택트는접지를상기소스영역연장시키는것을특징으로 하는반도체 구조.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 트랜치는 부분적으로 상기 에피택셜 층을 통해 연장되며 도핑된 싱커(sinker) 영역이상기소스콘택트를상기반도체기판연장시키는것을특징으로 하는반도체 구조.
[청구항 5]
제 3 항에 있어서,상기 트랜치는 상기 에피택셜 층을 통하여상기반도체기판연장시키는것을특징으로 하는반도체 구조.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 트랜지스터는 측방 확산 mos트랜지스터구성하는것을특징으로 하는반도체 구조.
[청구항 7]
제 6 항에 있어서,상기 드레인 영역은 과도 도핑된 영역과 상기 채널 영역으로 연장되는 약하게 도핑된표류영역포함하는것을특징으로 하는반도체 구조.
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,상기 게이트 전극 하부의 절연체가 상기 표류 영역 상부로 연장되며, 상기 절연체의 두께는 상기 채널 영역 상부에서 보다 상기 표류 영역 상부에서 더 큰 것특징으로 하는반도체 구조.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 도전성 물질은 폴리실리콘, 고융점(refractory) 금속, 및 고융점 금속 실리사이드로 이루어진군선택되는것을특징으로 하는반도체 구조.
[청구항 10]
제 9 항에 있어서,상기 게이트 전극은 도핑된폴리실리콘포함하는것을특징으로 하는반도체 구조.
[청구항 11]
제 9 항에 있어서,상기 드레인 영역, 상기 소스 영역, 및 상기 소스 콘택트에 대한금속콘택트들더포함하는것을특징으로 하는반도체 구조.
[청구항 12]
제 11 항에 있어서,하나의 금속 콘택트가 상기 소스 영역 및 상기 소스 콘택트에 대해형성되는것을특징으로 하는반도체 구조.
[청구항 13]
제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판은 상기 에피택셜 반도체 층 보다더과도핑된것을특징으로 하는반도체 구조.
[청구항 15]
제 14 항에 있어서,상기 도전성 물질은 폴리실리콘, 고융점(refractory) 금속, 및 고융점 금속 실리사이드로 이루어진군선택되는것을특징으로 하는소스 콘택트 구조.
지시문 (instruction)
본문의 내용을 파악하고 이를 바탕으로 질문에 답하라.
질문 (question)
제3항의 반도체 구조에서 소스 콘택트가 반도체 기판까지 연장될 때, 소스 영역과 접지 사이의 관계는 어떠하며 이를 위해 반도체 기판은 어떤 상태를 유지해야 하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제3항의 내용을 바탕으로 소스 콘택트가 기판까지 연장될 때 소스 영역과 접지의 관계 및 반도체 기판의 상태를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 소스 콘택트가 접지를 소스 영역으로 연장시킨다는 점과 반도체 기판이 소자 조작 중 접지된다는 정보를 추출한다.
- 상기 반도체 기판은 소자 조작 중 접지되며, 상기 소스 콘택트는 접지를 상기 소스 영역 연장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 구조
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3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 청구항 3의 구절을 선택한다.
- 상기 반도체 기판은 소자 조작 중 접지되며, 상기 소스 콘택트는 접지를 상기 소스 영역 연장시키는 것
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4논리 통합
logical_integration소스 콘택트가 접지를 소스 영역까지 연장시키므로 소스 영역은 접지와 연결된 상태가 되며, 이를 위해 기판은 소자 조작 중 접지 상태를 유지해야 한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation소스 영역은 접지와 연결(연장)되는 관계에 있으며, 반도체 기판은 소자 조작 중 접지된 상태를 유지해야 한다는 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation도출된 결론을 질문의 형식에 맞춰 정리하여 최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
소스 콘택트가 접지를 소스 영역까지 연장시키므로 소스 영역은 접지와 연결되는 관계에 있으며, 이를 위해 반도체 기판은 소자 조작 중 접지된 상태를 유지해야 한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
소스 콘택트를 통해 접지를 소스 영역까지 연장함으로써, 소자 조작 시 접지된 반도체 기판과 소스 영역 간의 전기적 연결을 확보하는 기술적 구성을 나타낸다.