반도체 장치 및 반도체 소자 탑재용 기판 및 이들의 제조 방법 document_id 1019997009932

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 오목부의 기판 벽면은 상기 오목부의 저면 방향으로 신장된 미리 정해진경사각도 범위내의구배구비하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 오목부의 기판 벽면의 경사 각도가 5∼40도의범위내인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 오목부의 기판 벽면의 경사 구조의 높이g와 그 수평 거리 l과의 비 l/g가, 1.5 ＜l/g ＜10의범위내인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 오목부가 볼록형의 프레스 성형에 의해구성되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 오목부가복수의단형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 7] 제5항에 있어서,상기 오목부에는, 상기 오목부를 더 스폿 페이싱(spot facing) 가공하여 형성된 반도체 소자를 수용하기 위한반도체 소자수용부설치되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 스폿 페이싱 가공된 반도체 소자 수용부의 깊이가, 탑재되어야 하는 반도체 소자의 두께보다 큰 것특징으로 하는반도체 장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 기판 표면에 위치하는 상기 외부 접속 단자부와,상기오목부내의상기내부접속단자부와의단차이상인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 오목부에 탑재된 반도체 소자의 단자와 상기 내부 접속 단자부를와이어본드접속한것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,반도체 소자의 단자를 상기 내부 접속 단자부에페이스다운직접접속한것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 배선은 상기 오목부의 각부(角部)를 제외한벽면영역설치되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 오목부가 상기 기판의 주평면의 대략 중심 위치에 형성되고, 상기 오목부 내에 반도체 소자를, 상기 반도체 소자 탑재용 기판의 두께 방향에 대해대략중앙탑재한것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 오목부 내에 반도체 소자를, 상기 기판의 두께 방향에 대해 중앙으로부터 상기 기판의 두께의 30% 이내로 오프셋하여탑재한것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 오목부가 저면 영역에 복수의 소자를 수용 가능한 넓이를 구비함과 동시에, 상기 복수의 소자에의 배선이 형성되는 것으로서, 상기 오목부에복수의반도체 소자및수동소자탑재한것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 배선은 모두 금속으로 구성된, 드로잉 가공 가능한 배선 구성체를 이용하여 형성되는 것이고, 상기 드로잉 가공 가능한 배선 구성체는, 상기 배선을 구성하는 제1 금속층과, 캐리어층으로서 기능하는 제2 금속층을 적어도 포함하는다층구조갖는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 오목부의 깊이는 탑재할 반도체 소자의 두께보다도 작고, 상기 오목부의 저면을 상기 반도체 소자 탑재용 기판의 두께 방향에 대해 중앙부로부터, 탑재해야 할 상기 반도체 소자의 두께의 0.5 내지 2.5배의 범위 내의 깊이로스폿페이싱가공한것을특징으로 하는반도체 소자 탑재용 기판. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 오목부의 깊이는 탑재할 반도체 소자의 두께보다도 작고, 또한 상기 오목부의 저면에 스폿 페이싱 가공을 실시한 것이며, 적어도 노출된 스폿 페이싱 저면이 부직포로 이루어지도록 프리 프레그를 경화시켜 형성되는수지층갖는것을특징으로 하는반도체 소자 탑재용 기판. [청구항 20] 제17항에 있어서,상기 오목부가 형성된 수지층의 이면에, 금속판을 접착하여 구성된 것인 것특징으로 하는반도체 소자 탑재용 기판. [청구항 27] 제17항에 있어서,상기 오목부의 기판 벽면은 상기 오목부의 저면 방향으로 신장한 미리 정해진경사각도 범위내의구배구비하는것을특징으로 하는반도체 소자 탑재용 기판. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 오목부의 기판 벽면의 경사 각도는 5∼40도의범위내인것을특징으로 하는반도체 소자 탑재용 기판. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 오목부의 기판 벽면의 경사 구조의 높이g와 그의 수평 거리 l과의 비 l/g는 1.5 ＜l/g ＜10의범위내인것을특징으로 하는반도체 소자 탑재용 기판. [청구항 30] 제17항에 있어서,상기 오목부는 볼록형의 프레스 성형에 의해구성되는것을특징으로 하는반도체 소자 탑재용 기판. [청구항 31] 제17항에 있어서,상기 오목부는복수의단형성되는것을특징으로 하는반도체 소자 탑재용 기판. [청구항 32] 제30항에 있어서,상기 오목부에는, 상기 오목부를 더 스폿 페이싱 가공하여 형성된 반도체 소자를 수용하기 위한반도체 소자수용부설치되는것을특징으로 하는반도체 소자 탑재용 기판. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 스폿 페이싱 가공된 반도체 소자 수용부의 깊이는 탑재되어야 할 반도체 소자의 두께보다 큰 것특징으로 하는반도체 소자 탑재용 기판. [청구항 34] 제17항에 있어서,상기 기판 표면부의 상기 외부 접속 단자부와,상기오목부내의상기내부접속단자부와의단차이상인것을특징으로 하는반도체 소자 탑재용 기판.