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전자원 및 화상 형성 장치 제조 방법, 및 그 제조 장치 document_id 1020000007247

출원번호
1020000007247
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 10] 제9항에 있어서,상기 전압 제어 회로는 상기 제한되어질 주파수 대역을 상기 전자원의임피던스변동에따라서변화시키는전자원 제조 장치. [청구항 11] 제9항 또는 제10항에 있어서,상기 전압 제어 회로는 로우 패스 필터 회로포함하는전자원 제조 장치. [청구항 12] 제9항 또는 제10항에 있어서,상기 전압 제어 회로는 캐패시턴스 성분과 저항 성분포함하는전자원 제조 장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 제한되어질 주파수 대역은 상기 전자원의 임피던스 변동에 따라 변화되는 화상 형성 장치제조하기 위한장치. [청구항 15] 제13항 또는 제14항에 있어서,상기 전압 제어 회로는 로우 패스 필터 회로를 포함하는 화상 형성 장치제조하기 위한장치. [청구항 16] 제13항 또는 제14항에 있어서,상기 전압 제어 회로는 캐패시턴스 성분과 저항 성분을 포함하는 화상 형성 장치제조하기 위한장치. [청구항 17] 제13항에 있어서,상기제1 및 제2 배선은 서로 거의 수직이며, 상기 제1 및 제2 배선 사이에 절연층이 배치되는 화상 형성 장치제조하기 위한장치. [청구항 18] 제13항에 있어서,쌍의 도전성 부재 사이에 도전성 막이 배치되는 화상 형성 장치제조하기 위한장치. [청구항 19] 제13항에 있어서,쌍의 도전성 부재 사이에 탄소막이 배치되는 화상 형성 장치제조하기 위한장치. [청구항 31] 제9항에 있어서,상기 주파수 대역은 8 ×106 hz 보다도 큰 주파수대역인전자원 제조 장치. [청구항 32] 제13항에 있어서,상기 주파수 대역은 8 ×106 hz 보다도 큰 주파수 대역인 화상 형성 장치제조하기 위한장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전자원 제조 장치에서 전압 제어 회로가 제한되어질 주파수 대역을 변화시키는 기준은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    전자원 제조 장치에서 전압 제어 회로의 제한 주파수 대역을 변화시키는 기준이 무엇인지 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 10에서 전압 제어 회로가 제한되어질 주파수 대역을 변화시키는 조건에 대한 정보를 추출한다.

    • 상기 전압 제어 회로는 상기 제한되어질 주파수 대역을 상기 전자원의임피던스변동에따라서변화시키는전자원 제조 장치
  3. 3근거 선택evidence_selection

    주파수 대역의 변화 기준을 명시한 '전자원의 임피던스 변동' 구절을 선택한다.

    • 상기 전자원의임피던스변동에따라서변화시키는전자원 제조 장치
  4. 4논리 통합logical_integration

    전압 제어 회로가 주파수 대역을 변화시키는 기준은 전자원의 임피던스 변동임을 논리적으로 연결한다.

    • 상기 전압 제어 회로는 상기 제한되어질 주파수 대역을 상기 전자원의임피던스변동에따라서변화시키는전자원 제조 장치
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 대한 답변으로 '전자원의 임피던스 변동'을 도출한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 근거를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
상기 전자원의 임피던스 변동
핵심 해석 (core_interpretation)
전자원의 임피던스 상태 변화에 대응하여 전압 제어 회로의 제한 주파수 대역을 가변적으로 조절하는 기술적 특징을 나타냄.