문맥 (context)
[청구항 3]
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 외부 베이스 영역과 접속된 적어도 하나의 베이스 콘택은단일에미터전극용배치된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 4]
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 에미터 전극과 상기 컬렉터 플러그 영역 상에 형성된코발트 실리사이드더포함하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 5]
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 외부 베이스 영역은 평면에서 볼때상기에미터전극형성된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 6]
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전체 표면 상에 형성된 층간 유전체, 상기 에미터 전극의 각각의 부분 상에 형성된 콘택 홀, 상기 층간 유전체 내의 외부 베이스 영역 및 컬렉터 플러그 영역, 상기 콘택 홀 내에 매립된 금속 플러그, 및 상기 층간 유전체상에 형성되고 상기 플러그와 접속된배선층더포함하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 7]
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 에미터 전극은 폴리실리콘을 포함하고 상기 플러그는텅스텐포함하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 8]
제2항에 있어서,상기 에피텍셜층은 그 내부에 상기 매립층과 상기 에피텍셜층의 중간에 있는 불순물 농도를 갖는제2도전형페데스탈컬렉터갖는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 외부 베이스 영역과 접속된 적어도 하나의 베이스 콘택은단일에미터전극용배치되는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 11]
제9항 또는 제10항에 있어서,상기 컬렉터 플러그 영역은 상기 제2 웰 영역 내에 형성된 트렌치의 하부에 형성된확산층인것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 에미터 전극의 양측 바깥쪽에서 상기 외부 베이스 영역 내에 배치된 상기 외부 베이스 영역과 접속된 한쌍의베이스콘택더포함하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 14]
제12항에 있어서,쌍의 에미터 전극 사이에 있는 상기 외부 베이스 영역 내에 배치된 상기 외부 베이스 영역과 접속된베이스콘택더포함하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 15]
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 컬렉터 플러그 영역은 상기 제2 도전형 영역 내에 형성된 트렌치의 하부에 형성된확산층인것을특징으로 하는반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 장치에서 에미터 전극과 컬렉터 플러그 영역 상에 형성되어 있는 물질은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation반도체 장치의 에미터 전극과 컬렉터 플러그 영역 상에 형성된 물질이 무엇인지 찾는 과업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4에서 에미터 전극과 컬렉터 플러그 영역 상에 형성된 물질에 대한 언급을 추출한다.
- 상기 에미터 전극과 상기 컬렉터 플러그 영역 상에 형성된코발트 실리사이드더포함하는것을특징으로 하는반도체 장치
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 위치(에미터 전극 및 컬렉터 플러그 영역)와 일치하는 근거 구절을 선택한다.
- 상기 에미터 전극과 상기 컬렉터 플러그 영역 상에 형성된코발트 실리사이드
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4논리 통합
logical_integration추출된 근거를 바탕으로 해당 영역에 형성된 물질이 '코발트 실리사이드'임을 확인한다.
- 상기 에미터 전극과 상기 컬렉터 플러그 영역 상에 형성된코발트 실리사이드
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 코발트 실사이드를 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 답변 형식을 사용하여 최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
코발트 실리사이드
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 반도체 장치의 에미터 전극과 컬렉터 플러그 영역 상에 코발트 실사이드를 형성하여 구조적 특성을 갖는 반도체 장치에 관한 것이다.