처리 중에 작업재의 원위치 방사율의 실시간 결정을 위한 시스템 및 방법 document_id 1020000016099

[청구항 20] 제19항에 있어서,상기 반사율 결정 수단은, 열처리 장치(22)의 가열 챔버(74) 내에서 열처리 이전에 웨이퍼의 반구형 지향 반사율을 측정하는측정수단포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 21] 제19항에 있어서,상기 반사율 결정 수단은, 방사원이 생성한 방사로 웨이퍼의 일부를 대체로 균일하게 조사하는, 적분구(62)와 광통신을 하는 상기 방사원(30)을 포함하는 방사 스테이지, 및 상기 웨이퍼로부터 반사된 방사를 수집하는수집수단포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 웨이퍼(w)가 반사한 방사의 세기를 측정하는 제1 세기 측정 수단(42)과, 상기 방사원(30)으로부터 방출된 방사의 세기를 측정하는 제2 세기 측정 수단(40)과, 상기 측정된 반사 방사의 세기, 및 측정된 방사원(30)으로부터의 방사의 세기 간의 선택된 수학적 관계를 결정하는 수단(50)과, 웨이퍼의 반사율과 상기 수학적 관계를 상관시키는 교정 곡선을 생성하는 생성 수단(50), 및 상기 교정 곡선으로부터 웨이퍼(w)의 반사율을 결정하는수단포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 23] 제19항에 있어서,상기 세기 결정 수단은, 상기 웨이퍼가 가열 챔버(74) 내에 배치될 때 웨이퍼를 조사하는 방사원(30, 31), 및 상기 챔버(74) 내의 웨이퍼로부터 반사된 방사의 세기를 측정하고, 상기 반사된 방사의 세기에 비례하는 출력 신호를 생성하는, 상기 방사원과 통신하는검출기포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 챔버 내 웨이퍼의 반사율을 상기 챔버 내 웨이퍼의 측정된 반사 방사의 세기와 상관시키는상관수단을추가포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 25] 제23항에 있어서,상기 반사율 결정 수단은 다음의 방정식에 따라 챔버(74) 내 웨이퍼(w)의 반사율을 결정하며, 여기서, r은 가열 챔버 내 웨이퍼의 반사율이고, k는 비례 상수이며, δvw는 챔버 내 웨이퍼로부터 반사되는방사세기인것을특징으로 하는시스템. [청구항 26] 제25항에 있어서,비례 상수k를 결정하는 결정 수단(50)을 추가로 포함하며, 상기 결정 수단은 열처리 장치(22)의 가열 챔버(74)를 통해 웨이퍼를 스위핑시키는 수단을 포함하고, 또한 상기 비례 상수 k는 상기 스위핑 동안에 웨이퍼로부터 반사되는 방사와, 상기 반사율 결정 수단으로부터 상기 가열 챔버 외부에서 결정된웨이퍼의반사율결정되는것을특징으로 하는시스템. [청구항 27] 제26항에 있어서,적어도 상기 비례 상수k로부터 처리 중에 웨이퍼의 반사율을 결정하는 수단과, 처리 중에 웨이퍼로부터 반사되는 방사의 세기를 측정하는 세기 측정 수단 (84, 86, 90, 96), 및 측정된 반사 방사 및 비례 상수로부터 실시간 웨이퍼 반사율을 결정하는 제2반사율 결정 수단(50)을추가포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 28] 제19항에 있어서,상기 가열 챔버 내에 웨이퍼가 배치될 때 웨이퍼를 조사하는 방사원(30, 31), 및 상기 웨이퍼가 가열 챔버 내에서 가열 챔버를 통해 이동함에 따라, 상기 웨이퍼로부터의 총 방사를 검출하는 검출기(90)를추가포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 29] 제28항에 있어서,상기 웨이퍼로부터의 전체 측정된 방사를 상기 웨이퍼 이외의 다른 소오스로부터 생성되는 방사와 상관시키는수단을추가포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 30] 제29항에 있어서,상기 웨이퍼로부터 방출되는 방사 및 방사율 중 적어도 하나로부터, 처리 중에 웨이퍼(w)의 온도를 결정하는온도결정수단을추가포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 챔버(74)에 열적으로 연결되어 상기 챔버를 가열하는 가열원 및 상기 가열 챔버로 웨이퍼를 이송하는 수단더 포함하는,표유 방사량 결정 시스템. [청구항 33] 제31항에 있어서,상기 가열 챔버(74)내 다수의 수직 위치를 통해 웨이퍼를 이동시키는 수단(82,84)을 더 포함하는데, 상기 검출기(96)는 상기 다수의 수직 위치 각각에서 상기 웨이퍼로부터 반사된 방사검출하는,표유 방사량 결정 시스템. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 검출기(36)는 입사되는 방사량에 비례하는 출력 신호를 발생시키며, 상기 방사량은 상기 가열 챔버 내의 총 방사량에 대응하여 상기 웨이퍼로부터 반사되며, 상기 총 방사량은 상기 웨이퍼로부터 방출된 방사 및 상기 가열 챔버 내의 표유 방사대응하는표유 방사량 결정 시스템. [청구항 35] 제34항에 있어서,상기 웨이퍼로부터 반사된 상기 방사는 상기 가열 챔버(74)내 웨이퍼의 수직 위치의 함수에 따라서 변화하고, 상기 제어 스테이지(50)는 상기 검출된 총 방사를 상기 웨이퍼의 수직 위치와 상관시켜 이로부터 반사된 총 방사를 상기 표유 방사상관시키는,표유 방사량 결정 시스템. [청구항 36] 제33항에 있어서,상기 검출기(36)는 상기 웨이퍼에 의해 방출된 방사에 비례하고, 상기 가열 챔버 내 표유 방사량에 비례하는 출력 신호를 발생시키며, 상기 표유 방사량은 상기 웨이퍼가 통상 저온으로 있을 때 상기 가열 챔버 내의 총 방사량이루는표유 방사량 결정 시스템. [청구항 37] 제33항에 있어서,상기 웨이퍼를 통상 저온으로 유지함으로써, 상기 웨이퍼가 상기 다수의 수직 위치를 통해 이동될 때 상기 가열 챔버에서 실질적으로 가열되지 않도록 하는 수단더 포함하는,표유 방사량 결정 시스템. [청구항 38] 제31항에 있어서,상기 가열 챔버 내에 배치된 웨이퍼에 의해 방출된 방사가 총 방사에 대해 아주 근소하게 되도록 함으로써, 상기 제어 스테이지(50)는 상기 가열 챔버(74)내의 총 방사중 표유 방사 성분을 결정하는 결정 수단을 포함하는데, 상기 제어 스테이지는 상기 가열 챔버내의 총 방사를 상기 총 방사중 표유 방사 성분상관시키는표유 방사량 결정 시스템. [청구항 39] 제31항에 있어서,상기 제어 스테이지(50)는 상기 검출기에 의해 검출된 방사를 상기 가열 챔버내에 존재하는 표유 방사와 상관시키는 수단포함하는,표유 방사량 결정 시스템. [청구항 40] 제31항에 있어서,처리중에 상기 가열 챔버내 표유 방사를 실시간으로 보상하는 수단더 포함하는,표유 방사량 결정 시스템. [청구항 41] 제31항에 있어서,상기 검출기(90)는 상기 챔버내에 배치된 웨이퍼로부터 반사되고 상기 가열 챔버 내의 총 방사의 세기에 비례하는 출력 신호를 발생시키며, 상기 총 방사는 웨이퍼에 의해 방출된 방사 및 표유 방사 성분을 포함하며, 상기 시스템은 하나 이상의 수직 웨이퍼 위치에서 상기 검출기에 의해 발생되는 출력 신호를 저장하여 상기 제어 스테이지가 상기 표유 방사 성분과 상기 총 방사를 상관시키도록 하는 수단더 포함하는표유 방사량 결정 시스템. [청구항 42] 제31항에 있어서,상기 가열 챔버(74)로 광을 도입하는 방사원(31)으로서, 상기 검출기(36)는 상기 가열 챔버 내의 총 방사의 세기에 비례하는 출력 신호를 발생시키며, 상기 총 방사는 상기 웨이퍼에 의해 방출되는 방사 및 상기 방사원에 의해 발생되고 상기 챔버로 도입되는 방사와 상기 웨이퍼에 의해 방출되고 상기 방사원에 의해 발생되는 방사 이외의 소스로부터의 방사를 포함하는 표유 방사를 포함하는 방사원(31)과, 다수의 수직 위치들 사이에서 상기 가열 챔버에서 상기 웨이퍼를 수직으로 이동시키는 수단 및, 웨이퍼 처리중에 총 방사중 표유 방사 부분을 보상하는 보상 수단더 포함하는,표유 방사량 결정 시스템. [청구항 43] 제31항에 있어서,상기 검출기(96)는 약 0.95㎛에서 중심을 둔 주파수 대역을 갖는 고온계포함하는,표유 방사량 결정 시스템. [청구항 44] 제32항에 있어서,상기 가열원은 통상일정한온도 가열원인, 표유 방사량 결정 시스템. [청구항 45] 제31항에 있어서,처리중 상기 웨이퍼의 방사율을 실시간으로 결정하는 수단더 포함하는,표유 방사량 결정 시스템. [청구항 46] 제31항에 있어서,상기 가열 챔버 내에서 처리된 웨이퍼의 반사율을 상기 가열 챔버 외부에서 결정하는 반사율 결정 수단(18, 30, 40, 42, 50)과, 상기 가열 챔버(74) 내에 배치될 때, 상기 웨이퍼로부터 반사된 방사의 세기를 결정하는 세기 결정 수단(84, 86, 90, 96)과, 상기 가열 챔버 외부에서 결정된 웨이퍼의 반사율을 상기 가열 챔버 내에서 결정된 웨이퍼의 반사 방사의 세기와 상관시켜 상기 챔버내에서 웨이퍼의 반사율을 결정하는 상관수단(50)과, 상기 가열 챔버 내에 존재하는 표유 방사를 정정하는 정정 수단(50)과, 처리중, 상기 열처리 장치내 표유 방사를 위하여 정정된 상관된 웨이퍼 반사율로부터 실시간으로 상기 웨이퍼의 방사율을 결정하는 방사율 결정 수단더 포함하는,표유 방사량 결정 시스템. [청구항 47] 제31항에 있어서,상기 가열 챔버의 외부에 배치되어 웨이퍼를 균일하고 반구형적으로 조사하는 방사 어셈블리를 더 포함하며, 상기 방사 어셈블리는: 적분구(62)와, 상기 적분구와 광학적으로 결합되는 방사원(30)으로서, 상기 적분구는 상기 웨이퍼의 일부를 균일하고 반구형적으로 조사하는, 방사원(30), 및, 상기 적분구에 광학적으로 결합되어 상기 웨이퍼로부터 반사된 방사를 검출하는 검출기(42)로서, 상기 검출기는 상기 반사된 방사의 세기에 비례하는 출력 신호를 발생시키는 검출기포함하는표유 방사량 결정 시스템. [청구항 48] 제47항에 있어서,상기 검출기(42)에 의해 검출된 상기 방사로부터 상기 웨이퍼의 반구형 지향 반사율을 결정하는 반사율 결정 수단더 포함하는표유 방사량 결정 시스템. [청구항 49] 제48항에 있어서,상기 반사율 결정 수단은 상기 방사원의 방사의 세기를 측정하는 소스 측정 수단(40)을 포함하며, 상기 방사율 결정 수단은 상기 웨이퍼로부터 반사된 상기 방사 및 상기 방사원의 측정된 방사로부터 웨이퍼의 반사율결정하는표유 방사량 결정 시스템. [청구항 50] 제48항에 있어서,상기 반사율 결정 수단은 상기 웨이퍼의 일부로부터 반사된 방사의 세기와 상기 방사원에 의해 방사된 세기의 비율을 결정하는 비율 결정 수단과, 상기 웨이퍼의 반사율을 상기 비율 결정 수단에 의해 결정된 상기 비율과 상관시키는 교정 곡선을 생성시키는 수단을 포함하며, 상기 반사율 결정 수단은 상기 교정 곡선으로부터 상기 웨이퍼의 반사율결정하는표유 방사량 결정 시스템. [청구항 51] 제48항에 있어서,상기 웨이퍼에 의해 반사된 방사의 세기를 결정하는 제 1 세기 측정 수단(42)과, 상기 방사원으로부터 방출된 방사의 세기를 측정하는 제 2 세기 측정 수단(40)과, 상기 반사된 방사의 측정 세기와 상기 방사원으로부터의 방사 사이의 선택된 수학적 관계를 결정하는 수단(50)과, 상기 웨이퍼의 반사율을 상기 수학적 관계와 상관시키는 교정 곡선을 생성시키는 생성 수단(50)과, 상기 교정 곡선으로부터 상기 웨이퍼의 반사율을 결정하는 수단더 포함하는표유 방사량 결정 시스템. [청구항 52] 제46항에 있어서,상기 세기 결정 수단은, 상기 가열 챔버 내에 배치되었을 때, 상기 웨이퍼를 조사하는 방사원(31)과, 상기 챔버 내에서 상기 웨이퍼로부터 반사된 방사의 세기를 측정하는 방사원과 연통하는 검출기(36)로서, 상기 검출기는 상기 반사된 방사의 세기에 비례하는 출력 신호를 발생시키는 검출기더 포함하는표유 방사량 결정 시스템. [청구항 53] 제52항에 있어서,상기 검출기의 상기 출력 신호에 응답하여 상기 웨이퍼로부터 반사된 방사의 세기에 비례하는 제 1 출력 신호를 발생시키는 수단더 포함하는표유 방사량 결정 시스템. [청구항 54] 제52항에 있어서,상기 챔버 내 상기 웨이퍼의 반사율을 상기 챔버내 상기 웨이퍼의 측정된 반사 방사의 세기와 상관시키는 상관 수단더 포함하는표유 방사량 결정 시스템. [청구항 55] 제52항에 있어서,상기 반사율 결정 수단은 다음 식에 따라서 상기 챔버 내의 웨이퍼의 반사율을 결정하며, 여기서, r은 가열 챔버 내 웨이퍼의 반사율이며, k는 비례상수이고, δvw는 상기 챔버내 웨이퍼로부터 반사되는 방사의세기인표유 방사량 결정 시스템. [청구항 56] 제55항에 있어서,상기 비례 상수k를 결정하는 결정 수단을 더 포함하며, 상기 결정 수단은 열 처리 장치의 가열 챔버를 통해서 상기 웨이퍼를 스위핑하는 수단을 포함하며, 상기 비례 상수 k는 상기 스위프 동안 웨이퍼로부터 반사된 방사 및 상기 반사율 결정 수단으로부터 상기 가열 챔버의 외부에서 결정된 상기 웨이퍼의 반사율결정되는표유 방사량 결정 시스템. [청구항 57] 제56항에 있어서,처리중에 최소한 비례상수 k로부터 웨이퍼의 반사율을 결정하는 수단과, 처리중에 상기 웨이퍼로부터 반사되는 방사의 세기를 측정하는 세기 측정수단(84, 86, 90, 96)과, 상기 측정된 반사된 방사와 상기 비례상수로부터 웨이퍼 반사율을 실시간으로 결정하는 제 2 반사율 결정 수단더 포함하는표유 방사량 결정 시스템. [청구항 58] 제57항에 있어서,상기 반사율 결정 수단은 처리중에 상기 제 2 반사율 결정 수단의 실시간 웨이퍼 반사율로부터 웨이퍼의 방사율결정하는표유 방사량 결정 시스템.