오실레이터 회로 document_id 1020000019812

[청구항 1] 소정의 주파수를 갖는 발진 신호를 발생하는 오실레이터 회로에 있어서, 다수개의 인버터들로 구성되어 상기 발진 신호를 발생하는 발진 회로부 전원전압을 모니터링하는 전원전압 센싱 신호에 응답하여 다수개의 스위칭 제어 신호들을 발생하는 전원전압 감지 회로부 상기 발진 회로부 내 상기 인버터들 사이에 배치되고, 상기 스위칭 제어 신호들에 응답하여 상기 발진 신호의 지연을 조절하는 전원전압 보상 회로부를 구비하는 것을 특징으로 하는 오실레이터 회로 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 전원전압 감지 회로부는상기 전원전압 센싱 신호에 응답하여 전원전압의 레벨을 감지하는 전원전압 감지부; 및 상기 전원전압 감지부의 출력에 따라 선택적으로 활성화되는 다수개의 인버터 체인들에 의하여 상기 스위칭 제어 신호를 발생하는 스위칭 제어 신호 발생부를구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 인버터 체인들각각은전달 특성상 서로 다른스위칭포인트갖는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 4] 제1항에 있어서,전원전압 보상 회로는상기 스위칭 제어 신호에 응답하는 다수개의 스위치들; 및상기 스위치들에 각각 연결되는 다수개의 지연단들을 구비하고,턴온되는 상기 스위치들에 연결되는 상기 지연단들에 의하여상기발진신호의지연결정하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 발진 회로부는상기 다수개의 인버터들이 홀수개로 구성되어 상기 예비 발진 신호를 발생시키는 신호 발진부;상기 에비 발진 신호를 소정의 전압레벨로 증폭시키는 신호 증폭부; 및상기 전원전압 센싱 신호에 응답하여 상기 신호 증폭부의 출력신호를 상기 발진신호로 구동하는 신호 드라이버부를구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 6] 제1항에 있어서,레이터 회로는상기 발진 회로부 내 인버터들 사이에 배치되고, 반도체 제조 공정 변화에 따라 상기 발진 신호의 지연을 조절하는공정변화보상회로부더구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 공정변화 보상 회로부는병렬연결되는 다수개의 트리밍단들을 구비하고,상기 트리밍단 각각은상기 반도체 제조 공정 변화에 따라 선택적으로 절단되는 퓨즈들; 및상기 퓨즈들 각각에 연결되어 상기 발진 신호의 지연을 결정하는커패시터들구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 공정변화 보상 회로부는병렬연결되는 다수개의 트리밍단들을 구비하고,상기 트리밍단 각각은상기 반도체 제조 공정 변화에 따라 외부에서 제공되는 트리밍 제어 신호에 응답하여 상기 발진 회로부 내 상기 인버터의 출력을 전달하는 논리 게이트; 및상기 논리 게이트의 출력에 연결되어 상기 발진 신호의 지연을 결정하는저항구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 9] 소정의 주파수를 갖는 발진 신호를 발생하는 오실레이터 회로에 있어서, 온도변화에 대하여 소정의 전압레벨을 갖는 기준전압을 발생하는 온도보상 기준전압 발생 회로부; 및 상기 기준전압에 의하여 구동되는 다수개의 인버터들에 의하여 상기 발진 신호를 발생하는 발진 회로부를 구비하는 것을 특징으로 하는 오실레이터 회로 [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 온도보상 기준전압 발생 회로부는전원전압으로부터 소정의 전압레벨을 갖는 바이어스전압을 발생시키는 바이어스전압 발생부; 및 상기 바이어스전압을 수신하고 이를 증폭하여 소정의 이득을 갖는 기준전압으로 발생시키는 기준전압 발생부를구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 바이어스전압 발생부는상기 전원전압에 연결되는 저항;상기 전원전압과 상기 저항에 각각 연결되는 제1 전도형의 제1 전류미러; 및상기 제1 전류미러와 접지전원 사이에 연결되는 제2 전류미러를 구비하고,상기 저항, 상기 제1 및 제2 전류미러의 온도 계수 차이에 의하여 상기 온도변화에 대하여 일정한상기바이어스전압발생하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 기준전압 발생부는상기 바이어스전압을 하나의 입력으로 하여 상기 기준전압을 발생하는 op 앰프; 및상기 기준전압과 상기 op 앰프의 다른 하나의 입력 사이에 연결되는 제1 저항; 및상기 제1 저항과 접지전원 사이에 연결되는 제2 저항을 구비하고,상기 제1 및 제2 저항들은 상기 op앰프의동작상소정의피이드백회로망이루는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 13] 제9항에 있어서,상기 발진 회로부는상기 다수개의 인버터들이 홀수개로 구성되어 예비 발진 신호를 발생시키는 신호 발진부;상기 예비 발진 신호를 소정의 전압레벨로 증폭시키는 신호 증폭부; 및상기 전원전압 센싱 신호에 응답하여 상기 신호 증폭부의 출력신호를 상기 발진신호로 구동하는 신호 드라이버부를구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 14] 제9항에 있어서,레이터 회로는상기 발진 회로부 내 인버터들 사이에 배치되고, 반도체 제조 공정 변화에 따라 상기 발진 신호의 지연을 조절하는공정변화보상회로부더구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 공정변화 보상 회로부는병렬연결되는 다수개의 트리밍단들을 구비하고.상기 트리밍단 각각은상기 반도체 제조 공정 변화에 따라 선택적으로 절단되는 퓨즈들; 및상기 퓨즈들 각각에 연결되어 상기 발진 신호의 지연을 결정하는커패시터들구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기 공정변화 보상 회로부는병렬연결되는 다수개의 트리밍단들을 구비하고,상기 트리밍단 각각은상기 반도체 제조 공정 변화에 따라 외부에서 제공되는 트리밍 제어 신호에 응답하여 상기 발진 회로부 내 상기 인버터의 출력을 전달하는 논리 게이트; 및상기 낸드 게이트의 출력에 연결되어 상기 발진 신호의 지연을 결정하는저항구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 17] 소정의 주파수를 갖는 발진 신호를 발생하는 오실레이터 회로에 있어서, 다수개의 인버터들로 구성되어 상기 발진 신호를 발생하는 발진 회로부 전원전압을 모니터링하는 전원전압 센싱 신호에 응답하여 다수개의 스위칭 제어 신호들을 발생하는 전원전압 감지 회로부 상기 발진 회로부 내 상기 인버터들 사이에 배치되고, 상기 스위칭 제어 신호들에 응답하여 상기 발진 신호의 지연을 조절하는 전원전압 보상 회로부 온도변화에 대하여 소정의 전압레벨을 갖는 기준전압을 발생하는 온도보상 기준전압 발생 회로부를 구비하고 상기 발진 회로부는 상기 기준전압으로 구동되는 것을 특징으로 하는 오실레 이터 회로 [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 전원전압 감지 회로부는상기 전원전압 센싱 신호에 응답하여 전원전압의 레벨을 감지하는 전원전압 감지부; 및 상기 전원전압 감지부의 출력에 따라 선택적으로 활성화되는 다수개의 인버터 체인들에 의하여 상기 스위칭 제어 신호를 발생하는 스위칭 제어 신호 발생부를구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 인버터 체인들각각은전달 특성상 서로 다른스위칭포인트갖는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 20] 제17항에 있어서,전원전압 보상 회로는상기 스위칭 제어 신호에 응답하는 다수개의 스위치들; 및상기 스위치들에 각각 연결되는 다수개의 지연단들을 구비하고,턴온되는 상기 스위칭들에 연결되는 상기 지연단들에 의하여상기발진신호의지연결정하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 21] 제17항에 있어서,상기 온도보상 기준전압 발생 회로부는전원전압으로부터 소정의 전압레벨을 갖는 바이어스전압을 발생시키는 바이어스전압 발생부; 및 상기 바이어스전압을 수신하고 이를 증폭하여 소정의 이득을 갖는 기준전압으로 발생시키는 기준전압 발생부를구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 바이어스전압 발생부는상기 전원전압에 연결되는 저항;상기 전원전압과 상기 저항에 각각 연결되는 제1 전도형의 제1 전류미러; 및상기 제1 전류미러와 접지전원 사이에 연결되는 제2 전류미러를 구비하고,상기 저항, 상기 제1 및 제2 전류미러의 온도 계수 차이에 의하여 상기 온도변화에 대하여 일정한상기바이어스전압발생하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 23] 제21항에 있어서,상기 기준전압 발생부는상기 바이어스전압을 하나의 입력으로 하여 상기 기준전압을 발생하는 op 앰프; 및상기 기준전압과 상기 op 앰프의 다른 하나의 입력 사이에 연결되는 제1 저항; 및상기 제1 저항과 접지전원 사이에 연결되는 제2 저항을 구비하고,상기 제1 및 제2 저항들은 상기 op앰프의동작상소정의피이드백회로망이루는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 24] 제17항에 있어서,상기 발진 회로부는상기 다수개의 인버터들이 홀수개로 구성되어 예비 발진 신호를 발생시키는 신호 발진부;상기 예비 발진 신호를 소정의 전압레벨로 증폭시키는 신호 증폭부; 및상기 전원전압 센싱 신호에 응답하여 상기 신호 증폭부의 출력신호를 상기 발진신호로 구동하는 신호 드라이버부를구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 25] 제17항에 있어서,레이터 회로는상기 발진 회로부 내 인버터들 사이에 배치되고, 반도체 제조 공정 변화에 따라 상기 발진 신호의 지연을 조절하는공정변화보상회로부더구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 공정변화 보상 회로부는병렬연결되는 다수개의 트리밍단들을 구비하며상기 트리밍단 각각은상기 반도체 제조 공정 변화에 따라 선택적으로 절단되는 퓨즈들; 및상기 퓨즈들 각각에 연결되어 상기 발진 신호의 지연을 결정하는커패시터들구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로. [청구항 27] 제25항에 있어서,상기 공정변화 보상 회로부는병렬연결되는 다수개의 트리밍단들을 구비하며상기 트리밍단 각각은상기 반도체 제조 공정 변화에 따라 외부에서 제공되는 트리밍 제어 신호에 응답하여 상기 발진 회로부 내 상기 인버터의 출력을 전달하는 논리 게이트; 및상기 낸드 게이트의 출력에 연결되어 상기 발진 신호의 지연을 결정하는저항구비하는것을특징으로 하는오실레이터 회로.