다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적으로에칭하는 프로세스 및 조성물과 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터를 형성하는 프로세스 document_id 1020000021292

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 중합 기재는 cf4, c2f6 및 c3f8 중 적어도 하나로 구성되는 그룹에서 선택되는 다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적에칭하는프로세스. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 수소 소스는 chf3, ch2f2, ch3f, 및 h2 중 적어도 하나로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적에칭하는프로세스. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 옥시던트는 co, co2 및 o2 중 적어도 하나로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적에칭하는프로세스. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 불활성 기체 희석제는 he, ar 및 ne 중 적어도 하나로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적에칭하는프로세스. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 옥시던트는 탄소-함유 옥시던트(a carbon-containing oxidant) 구성요소 및 옥시던트-불활성 기체(an oxidaant-noble gas) 구성요소를 포함하는 다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적에칭하는프로세스. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 중합 기재는 c2f6이고,상기 수소 소스는 ch3f이고,상기 불활성 기체 희석제는 ar이고,상기 탄소-함유 구성요소는 co2이고,상기 옥시던트-불활성 기체 구성요소는 he에서 o2인 다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적에칭하는프로세스. [청구항 8] 제 6 항에 있어서,상기 중합 기재는 대략 0.1 내지 25 부피%의 양이 부가되고,상기 수소 소스는 대략 5 내지 30 부피%의 양이 부가되고,상기 불활성 기체 희석제는 대략 0.1 내지 50 부피%의 양이 부가되고,상기 탄소-함유 구성요소는 대략 1 내지 25% 부피%의 양이 부가되고,상기 옥시던트-불활성 기체 구성요소는 상기 불활성 기체에서 상대적으로 대략 30%의 옥시던트 농도에서 체적 당 대략 0.1 내지 20%의 양이 부가되는 다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적에칭하는프로세스. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 중합 기재는 대략 3 내지 8 부피%의 양이 부가되고,상기 수소 소스는 대략 10 내지 30 부피%의 양이 부가되고,상기 탄소-함유 구성요소는 대략 5 내지 15 부피%의 양이 부가되고,상기 옥시던트-불활성 기체 구성요소는 상기 불활성 기체에서 대략 30% 상대적인 옥시던트 농도에서 5 내지 15 부피%의 양이 부가되고,상기 불활성 기체는 대략 10내지 50 부피%의 양이 부가되는 다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적에칭하는프로세스. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,천트 가스는 적어도 대략 4:1의 상기 실리콘 산화물 층에 대한 질화물 선택도를 갖고 적어도 대략 3:1의 포토레지스트 층에 대한 질화물 선택도를 갖는 다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적에칭하는프로세스. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,천트 가스는 적어도 대략 5:1의 상기 실리콘 산화물 층에 대한 질화물 선택도와 적어도 대략 4:1의 상기 포토레지스트 층에 대한 질화물 선택도를 갖는 다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적에칭하는프로세스. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 다층 구조상에 상기 고 밀도 플라즈마의 방향성(the directionality)을 제어하도록 상기 다층 구조에 전력 소스를 적용하는 것을 더 포함하는 다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적에칭하는프로세스. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,전력 소스를 적용하는 상기 단계는 상기 실리콘 질화물 층과 반대되는 상기 다층 구조의 측면에 rf 전력 소스를 적용하는 것을 포함하는 다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적에칭하는프로세스. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,천트 가스를 여기시키는 상기 단계는 코일을 사용하며, 상기 전력 소스는 상기 코일로부터 분리되는 다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적에칭하는프로세스. [청구항 15] 제 1 항에 있어서,천트 가스를 여기시키는 상기 단계는 적어도 1011cm-3의 밀도를 갖는 상기 고 밀도 플라즈마를 형성하는 것을 포함하는 다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적에칭하는프로세스. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,챔버(a chamber)내로 상기 에천트 가스를 도입하는 단계와,상기 챔버에 결합된 진공 펌프(a vacuum pump)를 사용함으로써 대략 2 내지 40밀리토르 사이에서 상기 챔버의 압력을 유지하는 단계를 포함하는 다층 구조의 실리콘 질화물 층에서 트렌치를 이방적에칭하는프로세스. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,천트 가스는 적어도 대략 4:1의 상기 실리콘 산화물 층에 대한 질화물 선택도와 적어도 대략 3:1의 상기 포토레지스트에 대한 질화물 선택도를 갖는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터형성하는프로세스. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,천트 가스는 적어도 대략 5:1의 상기 실리콘 산화물 층에 대한 질화물 선택도와 적어도 4:1의 상기 포토레지스트에 대한 질화물 선택도를 갖는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터형성하는프로세스. [청구항 20] 제 17 항에 있어서,상기 실리콘 질화물 층의 상기 노출된 일부를 에칭하기 위해 상기 고 밀도 플라즈마를 도입하는 단계 이후에, 상기 게이트 홀의 하부에 상기 실리콘 층을 제거하는 단계와,상기 게이트 홀내에 게이트 도전체를 증착하는 단계 이전에 상기 게이트 홀의 하부에 얇은 게이트 산화물을 형성하는 단계를 더 포함하는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터형성하는프로세스. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,게이트 산화물은 상기 기판을 가열시킴으로써 형성되는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터형성하는프로세스. [청구항 22] 제 17 항에 있어서,상기 중합 기재는 cf4, c2f6 및 c3f8 중 적어도 하나로 구성되는 그룹에서 선택되는 단계와,상기 수소 소스는 chf3, ch2f2, ch3f, 및 h2 중 적어도 하나로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 단계와,상기 옥시던트는 co, co2 및 o2 중 적어도 하나로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 단계와,상기 불활성 기체 희석제는 he, ar 및 ne 중 적어도 하나로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터형성하는프로세스. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 중합 기재는 cf4, c2f6 및 c3f8 중 적어도 하나로 구성되는 그룹에서 선택되는 단계와,상기 수소 소스는 chf3, ch2f2, ch3f, 및 h2 중 적어도 하나로 구성되는 그룹에서 선택되는 단계와,상기 옥시던트는 co, co2 및 o2 중 적어도 하나로 구성되는 그룹에서 선택되는 단계와,상기 불활성 기체 희석제는 he, ar 및 ne 중 적어도 하나로 구성되는 그룹에서 선택되는 대머신 에칭 기법에서 다층 구조의 실리콘 질화물 층에 트렌치에칭하는조성물. [청구항 25] 제 23 항에 있어서,상기 옥시던트는 탄소-함유 옥시던트 구성요소 및 옥시던트-불활성 기체 구성요소를 포함하는 대머신 에칭 기법에서 다층 구조의 실리콘 질화물 층에 트렌치에칭하는조성물. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,상기 중합 기재는 c2f6이고,상기 수소 소스는 ch3f이고,상기 불활성 기체 희석제는 ar이고,상기 탄소-함유 구성요소는 co2이고,상기 옥시던트-불활성 기체 구성요소는 he에서 o2인 대머신 에칭 기법에서 다층 구조의 실리콘 질화물 층에 트렌치에칭하는조성물. [청구항 27] 제 25 항에 있어서,상기 중합 기재는 대략 0.1 내지 25 부피%의 양이 부가되고,상기 수소 소스는 대략 5 내지 30 부피%의 양이 부가되고,상기 불활성 기체 희석제는 대략 0.1 내지 50 부피%의 양이 부가되고,상기 탄소-함유 구성요소는 대략 1 내지 25 부피%의 양이 부가되고,상기 옥시던트-불활성 기체 구성요소는 상기 불활성 기체에서 상대적으로 대략 30%의 옥시던트 농도에서 대략 0.1 내지 20 부피%의 양이 부가되는 대머신 에칭 기법에서 다층 구조의 실리콘 질화물 층에 트렌치에칭하는조성물. [청구항 28] 제 27 항에 있어서,상기 중합 기재는 대략 3 내지 8 부피%의 양이 부가되고,상기 수소 소스는 대략 10 내지 30 부피%의 양이 부가되고,상기 탄소-함유 구성요소는 대략 5 내지 15 부피%의 양이 부가되고,상기 옥시던트-불활성 기체 구성요소는 상기 불활성 기체에서 대략 30% 상대적인 옥시던트 농도에서 체적 당 5 내지 15%의 양이 부가되고,상기 불활성 기체는 체적 당 대략 10내지 50%의 양이 부가되는 대머신 에칭 기법에서 다층 구조의 실리콘 질화물 층에 트렌치에칭하는조성물. [청구항 29] 제 23 항에 있어서,천트 가스는 적어도 대략 4:1의 상기 실리콘 산화물 층에 대한 질화물 선택도를 갖고 적어도 대략 3:1의 포토레지스트 층에 대한 질화물 선택도를 갖는 대머신 에칭 기법에서 다층 구조의 실리콘 질화물 층에 트렌치에칭하는조성물. [청구항 30] 제 23 항에 있어서,천트 가스는 적어도 대략 5:1의 상기 실리콘 산화물 층에 대한 질화물 선택도와 적어도 대략 4:1의 상기 포토레지스트 층에 대한 질화물 선택도를 갖는 대머신 에칭 기법에서 다층 구조의 실리콘 질화물 층에 트렌치에칭하는조성물.