플라즈마프로세스장치 document_id 1020000029271

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 샤워플레이트의 가스도입구는 상기 샤워플레이트의 상부면에서 하부면으로 관통하여 형성되며, 상기 샤워플레이트의 하부면의 가스도입구는 상기 샤워플레이트의 상부면의 가스도입구의 직경보다 큰 직경가지는플라즈마프로세스장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 샤워플레이트는복수의샤워플레이트부를포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 처리실을 향한 샤워플레이트의 하부면 및 상기 하부면의 대향측상에 상기 상부면과 대향하게 제공된 도전체 벽면 사이의 격리된 거리가 상기 마이크로파의 관내 파장의 반파장의정수배인플라즈마프로세스장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 샤워플레이트는 유전체포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 유전체는질화알루미늄을주성분포함하는세라믹인플라즈마프로세스장치. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 처리실을 형성하는 용기부재; 상기 용기부재에 고정된 대좌; 및 상기 대좌에 상기 샤워플레이트를 압압함에 의해 상기 샤워플레이트를 상기 대좌에 고정하는 샤워플레이트 고정부재포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 샤워플레이트의 가스도입구에서의 반응가스의 유량을 제어하는 유량제어수단더 포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 유량제어수단은 상기 샤워플레이트의 가스도입구에 삽입되는 플러그포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 마이크로파 도입수단은 단일 모드 마이크로파 도파포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 샤워플레이트는 상기 처리실을 향한 하부면과 상기 하부면의 반대측에 위치한 상부면을 가지며, 상기 반응가스 공급로의 벽면은 상기 샤워플레이트의 상부면 및 상기 상부면과 대향하게 위치한 도전체 벽면포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 샤워플레이트의 가스도입구는 상기 샤워플레이트의 상부면에서 하부면으로 관통하여 형성되며, 상기 샤워플레이트의 하부면의 가스도입구는 상기 샤워플레이트의 상부면의 가스도입구의 직경보다 큰 직경가지는플라즈마프로세스장치. [청구항 14] 제 11 항에 있어서,상기 샤워플레이트는복수의샤워플레이트부를포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 15] 제 11 항에 있어서,상기 처리실을 향한 샤워플레이트의 하부면 및 상기 하부면의 대향측상에 위치한 상부면과 대향하게 제공된 도전체 벽면 사이의 격리된 거리가 상기 마이크로파의 관내 파장의 반파장의정수배인플라즈마프로세스장치. [청구항 16] 제 11 항에 있어서,상기 샤워플레이트는 유전체포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 유전체는질화알루미늄을주성분포함하는세라믹인플라즈마프로세스장치. [청구항 18] 제 11 항에 있어서,상기 처리실을 형성하는 용기부재; 상기 용기부재에 고정된 대좌; 및 상기 대좌에 상기 샤워플레이트를 압압함에 의해 상기 샤워플레이트를 상기 대좌에 고정하는 샤워플레이트 고정부재포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 19] 제 11 항에 있어서,상기 샤워플레이트의 가스도입구에서의 반응가스의 유량을 제어하는 유량제어수단더 포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 유량제어수단은 상기 샤워플레이트의 가스도입구에 삽입되는 플러그포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 21] 제 19 항에 있어서,상기 유량제어수단은 상기 샤워플레이트의 가스도입구에 삽입되는 플러그포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 23] 제 22 항에 있어서,상기 샤워플레이트는 상기 처리실을 향한 하부면과 상기 하부면의 반대측에 위치한 상부면을 가지며, 상기 반응가스 공급로의 벽면은 상기 샤워플레이트의 상부면 및 상기 상부면과 대향하게 위치한 도전체 벽면포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 샤워플레이트의 가스도입구는 상기 샤워플레이트의 상부면에서 하부면으로 관통하여 형성되며, 상기 샤워플레이트의 하부면의 가스도입구는 상기 샤워플레이트의 상부면의 가스도입구의 직경보다 큰 직경가지는플라즈마프로세스장치. [청구항 25] 제 22 항에 있어서,상기 샤워플레이트는복수의샤워플레이트부를포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 26] 제 22 항에 있어서,상기 처리실을 향한 샤워플레이트의 하부면 및 상기 하부면의 대향측상에 위치한 상부면과 대향하게 제공된 도전체 벽면 사이의 격리된 거리가 상기 마이크로파의 관내 파장의 반파장의정수배인플라즈마프로세스장치. [청구항 27] 제 22 항에 있어서,상기 샤워플레이트는 유전체포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 28] 제 27 항에 있어서,상기 유전체는질화알루미늄을주성분포함하는세라믹인플라즈마프로세스장치. [청구항 29] 제 22 항에 있어서,상기 처리실을 형성하는 용기부재; 상기 용기부재에 고정된 대좌; 및 상기 대좌에 상기 샤워플레이트를 압압함에 의해 상기 샤워플레이트를 상기 대좌에 고정하는 샤워플레이트 고정부재포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 30] 제 22 항에 있어서,상기 샤워플레이트의 가스도입구에서의 반응가스의 유량을 제어하는 유량제어수단더 포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 31] 제 30 항에 있어서,상기 유량제어수단은 상기 샤워플레이트의 가스도입구에 삽입되는 플러그포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 32] 제 22 항에 있어서,상기 마이크로파 도입수단은 단일 모드 마이크로파 도파포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 34] 제 33 항에 있어서,상기 샤워플레이트는 상기 처리실을 향한 하부면과 상기 하부면의 반대측에 위치한 상부면을 가지며, 상기 반응가스공급로의 벽면은 상기 샤워플레이트의 상부면 및 상기 상부면과 대향하게 위치한 도전체 벽면포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 35] 제 34 항에 있어서,상기 샤워플레이트의 가스도입구는 상기 샤워플레이트의 상부면에서 하부면으로 관통하여 형성되며, 상기 샤워플레이트의 하부면의 가스도입구는 상기 샤워플레이트의 상부면의 가스도입구의 직경보다 큰 직경가지는플라즈마프로세스장치. [청구항 36] 제 33 항에 있어서,상기 샤워플레이트는복수의샤워플레이트부를포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 37] 제 33 항에 있어서,상기 처리실을 향한 샤워플레이트의 하부면 및 상기 하부면의 대향측상에 위치한 상부면과 대향하게 제공된 도전체 벽면 사이의 격리된 거리가 상기 마이크로파의 관내 파장의 반파장의정수배인플라즈마프로세스장치. [청구항 38] 제 33 항에 있어서,상기 샤워플레이트는 유전체포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 39] 제 38 항에 있어서,상기 유전체는질화알루미늄을주성분포함하는세라믹인플라즈마프로세스장치. [청구항 40] 제 33 항에 있어서,상기 처리실을 형성하는 용기부재; 상기 용기부재에 고정된 대좌; 및 상기 대좌에 상기 샤워플레이트를 압압함에 의해 상기 샤워플레이트를 상기 대좌에 고정하는 샤워플레이트 고정부재포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 41] 제 33 항에 있어서,상기 샤워플레이트의 가스도입구에서의 반응가스의 유량을 제어하는 유량제어수단더 포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 42] 제 41 항에 있어서,상기 유량제어수단은 상기 샤워플레이트의 가스도입구에 삽입되는 플러그포함하는플라즈마프로세스장치. [청구항 43] 제 33 항에 있어서,상기 마이크로파 도입수단은 단일 모드 마이크로파 도파포함하는플라즈마프로세스장치.