주성분 분석을 이용한 공정 감시 방법 및 장치 document_id 1020000038863

[청구항 29] 제 28 항에 있어서,상기 측정장치는 예정된 시간 간격에서 상관 특성을 측정하고, 상기 프로세싱 기구는 하나 이상의 제조 주성분을 발생시키도록 복수의 시간 간격에서 측정된 상관 특성에 대한 주성분 분석수행하는,제조공정 감시장치. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 프로세싱 기구는,측정된 상관 특성을 전개 윈도우내에 수집하고,상기 전개 윈도우 내의 측정된 상관 특성에 대한 주성분 분석수행하는,제조공정 감시장치. [청구항 31] 제 28 항에 있어서,상기 측정장치는 플라즈마로부터의 복수의 전자기 방출을 검출하는 검출기포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 32] 제 31 항에 있어서,상기 검출기는 ccd 어레이, 포토다이오드 어레이, 분광기 및 광증폭기로 이루어진 군으로부터 선택된 검출기포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 33] 제 31 항에 있어서,상기 검출기는 180 내지 850㎚ 범위의 파장을 갖는 전자기 방출검출하는,제조공정 감시장치. [청구항 34] 제 31 항에 있어서,상기 검출기에 연결된 광섬유를 더 포함하며, 상기 광섬유는 상기 플라즈마로부터 전자기 방출을 수집하고 상기 전자기 방출을 검출기전송하는,제조공정 감시장치. [청구항 35] 제 28 항에 있어서,상기 프로세싱 기구는, 하나 이상의 제조 주성분을 발생시키도록 상기 측정된 상관 특성에 대한 주성분 분석을 수행하고; 및상기 하나 이상의 주성분을 교정공정의 교정 주성분과 비교하도록; 하기 위한 프로그램 코드가 내부에 저장된 컴퓨터 시스템포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 36] 제 35 항에 있어서,상기 컴퓨터 시스템은,상기 교정공정의 상관 특성을 측정하고;하나 이상의 주성분을 발생시키도록 상기 측정된 상관 특성에 대한 주성분 분석을 수행하며;공정 상황, 공정 이벤트 및 챔버 이벤트중 하나 이상을 나타내는 특징을 가진 주성분을 확인하고; 및상기 확인된 주성분을 상기 교정 주성분으로서 지정하도록; 하기 위한 프로그램 코드더 포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 37] 제 35 항에 있어서,상기 컴퓨터 시스템은,상기 하나 이상의 제조 주성분을 공정의 종점을 확인하는 교정 주성분과 비교하고; 및상기 하나 이상의 제조 주성분이 공정의 종점을 확인하는 상기 교정 주성분의 미리결정된 범위내에 있는 경우, 종점 경고 신호를 발생시키도록; 하는 프로그램 코드더 포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 38] 제 35 항에 있어서,상기 컴퓨터 시스템은,상기 하나 이상의 제조 주성분을 공정 중에 관통을 확인하는 교정 주성분과 비교하고;상기 하나 이상의 제조 주성분이 공정 중에 관통을 확인하는 상기 교정 주성분의 미리결정된 범위내에 있는 경우, 관통 경고 신호를 발생시키도록; 하는 프로그램 코드더 포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 39] 제 38 항에 있어서,상기 컴퓨터 시스템은,상기 하나 이상의 제조 주성분이 공정 중에 관통을 확인하는 상기 교정 주성분의 미리결정된 범위 내에 있는 경우, 상기 제조공정을 정지시키도록; 하는 프로그램 코드더 포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 40] 제 35 항에 있어서,상기 컴퓨터 시스템은,상기 하나 이상의 제조 주성분을 공정 중에 적절한 척킹을 확인하는 교정 주성분과 비교하고; 및상기 하나 이상의 제조 주성분이 공정 중에 적절한 척킹을 확인하는 상기 교정 주성분과 미리결정된 양 이상 상이한 경우, 부적절한 척킹 경고 신호를 발생시키도록; 하는 프로그램 코드더 포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 41] 제 40 항에 있어서,상기 컴퓨터 시스템은,상기 하나 이상의 제조 주성분이 공정 중에 적절한 척킹을 확인하는 상기 교정 주성분과 미리결정된 양 이상 상이한 경우, 상기 제조공정을 정지시키도록; 하는 프로그램 코드더 포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 43] 제 42 항에 있어서,상기 고장가능성있는 챔버는 챔버의 유지보수 또는 챔버의 세정 이후의 비고장 챔버포함하는,고장 검출장치. [청구항 45] 제 35 항에 있어서,상기 컴퓨터 시스템은,상기 하나 이상의 제조 주성분과 상기 교정 주성분의 비교에 기초하여 상기 공정 중에 공정의 처리변수를 조절하도록; 하는 프로그램 코드더 포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 46] 제 28 항에 있어서,상기 측정장치는 플라즈마로부터의 복수의 전자기 방출을 검출하는 검출기를 포함하며,상기 프로세싱 기구는,상기 측정된 전자기 방출을 수집하고;제 1 제조 주성분을 발생시키도록 상기 측정된 전자기 방출의 제 1 파장 범위에 대한 주성분 분석을 수행하며; 제 2 제조 주성분을 발생시키도록 상기 측정된 전자기 방출의 제 2 파장 범위에 대한 주성분 분석을 수행하고; 및상기 제 1 및 제 2 제조 주성분을 제 1 및 제 2 교정 주성분과 비교하는,제조공정 감시장치. [청구항 49] 제 48 항에 있어서,상기 측정 장치는 플라즈마로부터 복수의 전자기 방출을 검출하는 검출기포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 50] 제 49 항에 있어서,상기 검출기는 ccd 어레이, 포토다이오드 어레이, 분광기 및 광증폭기로 이루어진 군으로부터 선택된 검출기포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 51] 제 49 항에 있어서,상기 검출기는 180 내지 850㎚ 범위의 파장을 갖는 전자기 방출검출하는,제조공정 감시장치. [청구항 52] 제 49 항에 있어서,상기 검출기에 연결된 광섬유를 더 포함하며, 상기 광섬유는 상기 플라즈마로부터 전자기 방출을 수집하고 상기 전자기 방출을 검출기전송하는,제조공정 감시장치. [청구항 53] 제 48 항에 있어서,상기 프로세싱 기구는 상기 계산된 내적의 전이점검출하는,제조공정 감시장치. [청구항 54] 제 48 항에 있어서,상기 제조 주성분nan은다층반도체구조물갖는실리콘 웨이퍼인,제조공정 감시장치. [청구항 55] 제 48 항에 있어서,상기 교정 공정 및 제조 공정은 다층 반도체 구조물 층을 에칭하는 단계각각 포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 56] 제 55 항에 있어서,상기 에칭된 층은 실리콘 이산화물포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 57] 제 55 항에 있어서,상기 에칭된 층은 금속포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 58] 제 55 항에 있어서,상기 에칭된 층은 폴리실리콘포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 59] 제 55 항에 있어서,상기 에칭된 층은 바닥 반사방지 코팅포함하는,제조공정 감시장치. [청구항 60] 제 48 항에 있어서,상기 측정 장치는 180 내지 850 nm의 파장을 갖는 전자기 방출수집하는,제조공정 감시장치. [청구항 61] 제 48 항에 있어서,상기 프로세싱 기구는 주성분 분석을 수행하기 이전에 상기 수집된 oes 데이터의 평균구하는,제조공정 감시장치. [청구항 62] 제 48 항에 있어서,상기 프로세싱 기구는 상기 제조 공정 중에 제조 공정의 종점검출하는,제조공정 감시장치. [청구항 65] 제 64 항에 있어서,상기 교정 주성분은 비고장 챔버 내에서 수행된 교정 공정의 oes 데이터 윈도우의 주성분포함하는,챔버 감시장치. [청구항 66] 제 64 항에 있어서,상기 교정 주성분은 상기 챔버 내에서 수행된 교정 공정의 oes 데이터 윈도우의 주성분포함하는,챔버 감시장치. [청구항 67] 제 64 항에 있어서,상기 측정장치는 플라즈마로부터의 복수의 전자기 방출을 검출하는 검출기포함하는,챔버 감시장치. [청구항 68] 제 67 항에 있어서,상기 검출기는 ccd 어레이, 포토다이오드 어레이, 분광기 및 광증폭기로 이루어진 군으로부터 선택된 검출기포함하는,챔버 감시장치. [청구항 69] 제 67 항에 있어서,상기 검출기는 180 내지 850㎚ 범위의 파장을 갖는 전자기 방출검출하는,챔버 감시장치. [청구항 70] 제 67 항에 있어서,상기 검출기에 연결된 광섬유를 더 포함하며, 상기 광섬유는 상기 플라즈마로부터 전자기 방출을 수집하고 상기 전자기 방출을 검출기전송하는,챔버 감시장치. [청구항 71] 제 64 항에 있어서,상기 프로세싱 기구는 상기 계산된 내적의 전이점검출하는,챔버 감시장치. [청구항 72] 제 64 항에 있어서,상기 프로세싱 기구는 주성분 분석을 수행하기 이전에 상기 수집된 oes 데이터의 평균구하는,챔버 감시장치. [청구항 73] 제 64 항에 있어서,상기 프로세싱 기구는 챔버 내에서 공정이 수행되는 동안에 상기 챔버의 결함과 상기 챔버의 하나 이상의 상황을 검촐하는,챔버 감시장치. [청구항 75] 제 74 항에 있어서,상기 상관 특성 데이터는 상기 플라즈마에 의해 방출된 하나 이상의 전자기 방출 및 상기 챔버의 플라즈마와 관련된 rf 전력포함하는,챔버 감시장치