문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 보호막은 수지막인것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 금속막의 두께는 100 nm∼1 ㎛인것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 금속막은 그 주요 성분인 al를 갖는 금속층 또는 al를 함유한합금층포함하는것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 금속막은 그 주요 성분인 w를 갖는 금속층 또는 w를 함유한합금층포함하는것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 금속막은 w 층으로 형성된 적층막 및 w와 n을 함유한합금층인것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 투명 도전막의 두께는 50 nm∼0.5 ㎛인것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 투명 도전막은 산화 아연을 함유한합금막인것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 투명 도전막은 산화 아연 및 산화 인듐을 함유한합금막인것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 보호막은 수지막인것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 12]
제10항에 있어서,상기 금속막의 두께는 100 nm∼1 ㎛인것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 13]
제10항에 있어서,상기 금속막은 그 주요 성분인 al를 갖는 금속층 또는 al를 함유한합금층포함하는것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 14]
제10항에 있어서,상기 금속막은 그 주요 성분인 w를 갖는 금속층 또는 w를 함유한합금층포함하는것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 15]
제10항에 있어서,상기 금속막은 w 층으로 형성된 적층막 및 w와 n을 함유한합금층인것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 16]
제10항에 있어서,상기 투명 도전막의 두께는 50 nm∼0.5 ㎛인것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 17]
제10항에 있어서,상기 투명 도전막은 산화 아연을 함유한합금막인것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 18]
제10항에 있어서,상기 투명 도전막은 산화 아연 및 산화 인듐을 함유한합금막인것을특징으로 하는콘택트 구조.
[청구항 21]
제19항에 있어서,상기 접속 배선은 상기 이방성 도전막을 통해 다른 기판의 배선에전기적연결되는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 22]
제19항에 있어서,상기 보호막은 수지막인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 23]
제19항에 있어서,상기 금속막의 두께는 100 nm∼1 ㎛인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 24]
제19항에 있어서,상기 금속막은 그 주요 성분인 al를 갖는 금속층 또는 al를 함유한합금층포함하는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 25]
제19항에 있어서,상기 금속막은 그 주요 성분인 w를 갖는 금속층 또는 w를 함유한합금층포함하는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 26]
제19항에 있어서,상기 금속막은 w 층으로 형성된 적층막 및 w와 n을 함유한합금층인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 27]
제19항에 있어서,상기 투명 도전막의 두께는 50 nm∼0.5 ㎛인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 28]
제19항에 있어서,상기 투명 도전막은 산화 아연을 함유한합금막인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 29]
제19항에 있어서,상기 투명 도전막은 산화 아연 및 산화 인듐을 함유한합금막인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 30]
제19항에 있어서,상기 반도체장치는 액정표시장치와 el표시장치중하나인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 32]
제31항에 있어서,상기 보호막은 상기 박막트랜지스터의 게이트 배선과 소스 배선사이의 절연막의 형성 물질과 동일한물질형성되는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 33]
제31항에 있어서,상기 접속 배선은 상기 이방성 도전막을 통해 다른 기판의 배선에전기적연결되는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 34]
제31항에 있어서,상기 보호막은 수지막인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 35]
제31항에 있어서,상기 금속막의 두께는 100 nm∼1 ㎛인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 36]
제31항에 있어서,상기 금속막은 그 주요 성분인 al를 갖는 금속층 또는 al를 함유한합금층포함하는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 37]
제31항에 있어서,상기 금속막은 그 주요 성분인 w를 갖는 금속층 또는 w를 함유한합금층포함하는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 38]
제31항에 있어서,상기 금속막은 w 층으로 형성된 적층막 및 w와 n을 함유한합금층인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 39]
제31항에 있어서,상기 투명 도전막의 두께는 50 nm∼0.5 ㎛인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 40]
제31항에 있어서,상기 투명 도전막은 산화 아연을 함유한합금막인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 41]
제31항에 있어서,상기 투명 도전막은 산화 아연 및 산화 인듐을 함유한합금막인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 42]
제31항에 있어서,상기 반도체장치는 액정표시장치와 el표시장치중하나인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 44]
제43항에 있어서,상기 접속 배선은 상기 이방성 도전막을 통해 다른 기판의 배선에전기적연결되는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 45]
제43항에 있어서,상기 보호막은 수지막인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 46]
제43항에 있어서,상기 금속막의 두께는 100 nm∼1 ㎛인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 47]
제43항에 있어서,상기 금속막은 그 주요 성분인 al를 갖는 금속층 또는 al를 함유한합금층포함하는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 48]
제43항에 있어서,상기 금속막은 그 주요 성분인 w를 갖는 금속층 또는 w를 함유한합금층포함하는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 49]
제43항에 있어서,상기 금속막은 w 층으로 형성된 적층막 및 w와 n을 함유한합금층인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 50]
제43항에 있어서,상기 투명 도전막의 두께는 50 nm∼0.5 ㎛인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 51]
제43항에 있어서,상기 투명 도전막은 산화 아연을 함유한합금막인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 52]
제43항에 있어서,상기 투명 도전막은 산화 아연 및 산화 인듐을 함유한합금막인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 53]
제43항에 있어서,상기 반도체장치는 액정표시장치와 el표시장치중하나인것을특징으로 하는반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체장치에서 금속막이 w 층으로 형성된 적층막 및 w와 n을 함유한 합금층으로 구성되는 경우, 해당 금속막의 두께 범위는 어떻게 정의되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation반도체장치에서 금속막이 w 층 적층막 및 w와 n 함유 합금층으로 구성될 때, 해당 금속막의 두께 범위를 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction금속막이 'w 층으로 형성된 적층막 및 w와 n을 함유한 합금층'인 경우를 정의하는 청구항들을 확인한다.
- 상기 금속막은 w 층으로 형성된 적층막 및 w와 n을 함유한합금층인것을특징으로 하는반도체장치
- 상기 금속막의 두께는 100 nm∼1 ㎛인것을특징으로 하는반도체장치
-
3근거 선택
evidence_selection해당 조건(청구항 26, 38, 49)을 만족하는 금속막의 두께를 명시한 청구항(청구항 3, 12, 23, 35, 46)을 선택한다.
- 상기 금속막의 두께는 100 nm∼1 ㎛인것을특징으로 하는반도체장치
-
4논리 통합
logical_integration금속막의 구성 성분 조건과 두께 조건이 서로 다른 청구항에 분리되어 있으나, 동일한 금속막에 대한 속성임을 통합하여 판단한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation금속막의 구성이 어떠하든, 해당 금속막의 두께는 100 nm에서 1 ㎛ 사이로 정의됨을 도출한다.
- 상기 금속막의 두께는 100 nm∼1 ㎛인것을특징으로 하는반도체장치
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변으로 두께 범위를 추출하여 작성한다.
- 상기 금속막의 두께는 100 nm∼1 ㎛인것을특징으로 하는반도체장치
최종 답변 (final_answer)
100 nm∼1 ㎛
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 특정 성분(w 및 n)으로 구성된 금속막을 포함하는 반도체장치에서, 해당 금속막의 두께를 100 nm에서 1 ㎛ 범위로 제한하여 정의한다.