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반도체 웨이퍼 프로세싱의 일부 동안 펄스형 플라즈마를 제공하는 방법 document_id 1020000042402

출원번호
1020000042402
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 23] 제 22 항에 있어서,상기 제1 기간은 메인 에칭 프로세스의 지속 기간의 초기 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한저장 매체. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 제2 기간은 상기 메인 에칭 프로세스의 최종 부분 및 오버 에칭 프로세싱의 적어도 일부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한저장 매체. [청구항 25] 제 24 항에 있어서,상기 초기 부분은 대략 상기 메인 에칭 프로세스의 초기 80%인 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한저장 매체. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,상기 프로그램 코드는 상기 프로세스의 상태를 모니터링하는 단계 및 상기 상태 변화에 응답하여 상기 펄스형 전력을 인가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한저장 매체. [청구항 27] 제 22 항에 있어서,상기 제1 기간은 상기 제2 기간 전에 수행되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한저장 매체. [청구항 28] 제 22 항에 있어서,상기 제2 기간은 상기 제1 기간 전에 수행되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한저장 매체. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는,코일; 및rf전력 공급기포함하는것을특징으로 하는웨이퍼 프로세싱 장치. [청구항 31] 제 30 항에 있어서,상기 코일은안테나인것을특징으로 하는웨이퍼 프로세싱 장치. [청구항 32] 제 29 항에 있어서,상기 프로세스는플라즈마프로세스인것을특징으로 하는웨이퍼 프로세싱 장치. [청구항 33] 제 32 항에 있어서,상기 플라즈마 프로세스는고밀도플라즈마프로세스인것을특징으로 하는웨이퍼 프로세싱 장치. [청구항 34] 제 29 항에 있어서,상기 제어기에 커플링된프로세스모니터더포함하는것을특징으로 하는웨이퍼 프로세싱 장치. [청구항 35] 제 34 항에 있어서,상기 프로세스 모니터는 상기 제어기를 상기 제1 기간으로부터 제2 기간으로 전환시키는신호생성하는것을특징으로 하는웨이퍼 프로세싱 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
메인 에칭 프로세스의 초기 부분인 제1 기간과 오버 에칭 프로세싱의 일부를 포함하는 제2 기간은 각각 어느 시점에 수행되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    제1 기간과 제2 기간이 각각 어떤 공정 단계(메인 에칭 및 오버 에칭)에 속하는지 그 시점을 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 23에서 제1 기간은 메인 에칭 프로세스의 초기 부분을 포함한다고 명시되어 있다.

    • 상기 제1 기간은 메인 에칭 프로세스의 지속 기간의 초기 부분을 포함하는 것
  3. 3근거 선택evidence_selection

    청구항 24에서 제2 기간은 메인 에칭 프로세스의 최종 부분 및 오버 에칭 프로세싱의 일부를 포함함을 확인한다.

    • 상기 제2 기간은 상기 메인 에칭 프로세스의 최종 부분 및 오버 에칭 프로세싱의 적어도 일부분을 포함하는 것
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 정보를 결합하면 제1 기간은 메인 에칭의 초기 단계이며, 제2 기간은 메인 에칭의 최종 단계와 오버 에칭의 일부를 포함함을 알 수 있다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에서 요구하는 각 기간의 수행 시점을 문맥에 근거하여 정리한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    제1 기간은 메인 에칭 프로세스의 초기 부분에, 제2 기간은 메인 에칭 프로세스의 최종 부분 및 오버 에칭 프로세싱의 적어도 일부분에 수행된다.

최종 답변 (final_answer)
제1 기간은 메인 에칭 프로세스의 지속 기간의 초기 부분에 수행되고, 제2 기간은 메인 에칭 프로세스의 최종 부분 및 오버 에칭 프로세싱의 적어도 일부분에 수행된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 에칭 공정에서 메인 에칭의 초기 단계(제1 기간)와 메인 에칭의 종료 및 오버 에칭 단계(제2 기간)를 구분하여 프로세스를 제어하는 기술에 관한 것이다.