공기 유전체 형성용 반-희생 다이어몬드 document_id 1020000046530

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 유전체 캡슐제가다이어몬드구비하는것을특징으로 하는멀티레벨 상호연결 집적 회로 칩 구조체. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 가스 유전체 매질이 네온, 헬륨, 공기, 니트로겐, 카본 옥사이드 및 그 혼합물로 구성되는군선택되는것을특징으로 하는멀티레벨 상호연결 집적 회로 칩 구조체. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 구조체가 beol cmos칩구조체구비하는것을특징으로 하는멀티레벨 상호연결 집적 회로 칩 구조체. [청구항 6] 제5항에 있어서,적어도 하나의 소자가적어도하나게이트인것을특징으로 하는멀티레벨 상호연결 집적 회로 칩 구조체. [청구항 7] 제5항에 있어서,상기 반도체 기판이 실리콘, 갈륨 아스나이드, 실리콘-온-옥사이드(silicon-on-oxide), 및 실리콘 게르마늄으로 구성되는군선택되는것을특징으로 하는멀티레벨 상호연결 집적 회로 칩 구조체. [청구항 8] 제5항에 있어서,상기 전도성 비어 및 상기 전도성 배선이 알루미늄, 알루미늄-구리, 구리, 텅스텐 및 도핑된 폴리실리콘으로 구성되는군선택되는것을특징으로 하는멀티레벨 상호연결 집적 회로 칩 구조체. [청구항 9] 제5항에 있어서,상기 하드 마스크는실리콘옥사이드또는니트리드구비하는것을특징으로 하는멀티레벨 상호연결 집적 회로 칩 구조체. [청구항 10] 제5항에 있어서,상기 가스 유전체 매질이 공기, 카본 옥사이드, 니트로겐, 헬륨, 아르곤 및 그 혼합물로 구성되는군선택되는것을특징으로 하는멀티레벨 상호연결 집적 회로 칩 구조체. [청구항 11] 제5항에 있어서,영구적인 하드 마스크 아래에서 적어도 하나의 배선 레벨과 교대로 되는 적어도 하나의 부가적인비어레벨구비하는것을특징으로 하는멀티레벨 상호연결 집적 회로 칩 구조체. [청구항 12] 제5항에 있어서,하드 마스크층 위에 배치되고 하드 마스크에서 복수의 개구를 통해 집적 회로 구조체로 원주형으로 연장하고, 외부 환경으로부터 칩을 닫는캡슐제더구비하는것을특징으로 하는멀티레벨 상호연결 집적 회로 칩 구조체. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 캡슐제가다이어몬드구비하는것을특징으로 하는멀티레벨 상호연결 집적 회로 칩 구조체. [청구항 14] 제5항에 있어서,적어도 하나의 소자가적어도하나게이트인것을특징으로 하는멀티레벨 상호연결 집적 회로 칩 구조체. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 가스 유전체가 적어도 하나의 게이트를 포함하는레벨존재하는것을특징으로 하는멀티레벨 상호연결 집적 회로 칩 구조체. [청구항 16] 제5항에 있어서,영구적인 유전체 매질이 다이어몬드를 구비하는적어도하나의전도성레벨포함하는것을특징으로 하는멀티레벨 상호연결 집적 회로 칩 구조체. [청구항 18] 제17항에 있어서,하드 마스크의 최종층으로 및 하드 마스크의 최종층의 개구를 통해 멀티레벨 상호연결 집적 회로 칩의 보다 소수의 모든 레벨로 원주형으로 캡슐제를 인가하는 부가적인단계포함하는것을특징으로 하는프로세스. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 반-희생 유전체 매질이 cvd다이어몬드구비하는것을특징으로 하는프로세스. [청구항 21] 제20항에 있어서,가스 유전체를 외부 환경으로부터 봉인하도록 캡슐제층을 적층하는 부가적인 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 유전체 매질을 갖는 집적 회로 칩제조하는프로세스. [청구항 22] 제20항에 있어서,상기 하드 마스크를 제조하는 단계는, 하드 마스크를 포토레지스트로서 코팅하는 단계와, 하드 마스크 및 희생 cvd 다이어몬드에서 에칭되는 개구의 미리선택된 수 및 미리선택된 위치에 대응하는 레지스트의 개구를 포토리소그래픽적으로 노출 및 현상하는단계구비하는것을특징으로 하는프로세스. [청구항 23] 제20항에 있어서,상기 기판-레벨 금속화 레벨상에 형성된 적어도 하나의 소자가적어도하나의게이트구비하는것을특징으로 하는프로세스. [청구항 24] 제20항에 있어서,상기 하드 마스크는실리콘옥사이드또는니트리드구비하는것을특징으로 하는프로세스. [청구항 25] 제20항에 있어서,가스 유전체 매질을 남겨두게 하는 단계는 불활성 가스, 니트로겐, 공기, 카본 옥사이드 및 그 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택된 유전체 매질을 남겨두게 하는단계구비하는것을특징으로 하는프로세스. [청구항 26] 제20항에 있어서,개구를 전도성 물질로 채우는 단계가 알루미늄, 알루미늄-구리, 구리, 텅스텐 및 도핑된 폴리실리콘으로 구성되는 군으로부터 선택된 전도성 물질로 개구를 채우는단계구비하는것을특징으로 하는프로세스. [청구항 27] 제20항에 있어서,캡슐제를 적층하는 단계는 cvd 다이어몬드를 구비하는 캡슐제를 적층하는단계구비하는것을특징으로 하는프로세스.