문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제1 확산 영역은,상기 수평형 디모스 트랜지스터 및 상기 고내압 아이솔레이션 영역에서 상기 반도체 기판과 상기 에피택셜층의 경계 영역에 형성된 제1 도전형의 매몰층; 및상기 제1 도전형의 매몰층 위에서 상기 매몰층 및 상기 제1 도전형의 제2 확산 영역과 인접되게 형성된 제1 도전형의 불순물 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 고내압 아이솔레이션 영역갖는고전압 반도체 소자.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 고전압 영역 내의 상기 반도체 기판과 상기 에피택셜층 사이에 형성된 제2 도전형의 매몰층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 고내압 아이솔레이션 영역갖는고전압 반도체 소자.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 제2 도전형의 매몰층에서의 불순물 농도는 상기 제2 도전형의 에피택셜층에서의 불순물 농도보다 더 높은 것을 특징으로 하는 고내압 아이솔레이션 영역갖는고전압 반도체 소자.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 수평형 디모스 트랜지스터 내의 상기 반도체 기판과 상기 에피택셜층 사이에서 상기 제2 도전형의 드레인 영역과 일정 간격 이격되도록 형성된 제2 도전형의 매몰층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 고내압 아이솔레이션 영역갖는고전압 반도체 소자.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 제2 도전형의 매몰층에서의 불순물 농도는 상기 제2 도전형의 에피택셜층에서의 불순물 농도보다 더 높은 것을 특징으로 하는 고내압 아이솔레이션 영역갖는고전압 반도체 소자.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 수평형 디모스 트랜지스터의 상기 에피택셜층의 표면 부분에서 상기 제2 도전형의 소스 영역과 상기 제2 도전형의 드레인 영역 사이에 형성된 제1 도전형의 탑 영역을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 고내압 아이솔레이션 영역갖는고전압 반도체 소자.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 고내압 아이솔레이션 영역의 상기 에피택셜층의 표면 부분에서 상기 제1 도전형의 제1 확산 영역과 인접되도록 형성된 제1 도전형의 탑 영역을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 고내압 아이솔레이션 영역갖는고전압 반도체 소자.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 저항 수단은,상기 고전압 영역의 에피택셜층 표면 부분에 형성된 제1 도전형의 제3 확산 영역; 및상기 제1 도전형의 제3 확산 영역의 표면 부분에서 상호 이격되도록 형성된 두 개의 제1 도전형의 고농도 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 고내압 아이솔레이션 영역갖는고전압 반도체 소자.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 제1 도전형의 고농도 영역들 중 어느 하나에는 상기 드레인 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 고내압 아이솔레이션 영역갖는고전압 반도체 소자.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 제1 도전형의 고농도 영역들 중 상기 드레인 전극에 연결되지 않은 제1 도전형의 고농도 영역에 컨택되면서 상기 고전압 영역에 연결되도록 형성된 도전막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 고내압 아이솔레이션 영역갖는고전압 반도체 소자.
[청구항 12]
제1항에 있어서,상기 제1 도전형은 p형이고, 상기 제2 도전형은 n형인 것을 특징으로 하는 고내압 아이솔레이션 영역갖는고전압 반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
고전압 반도체 소자에서 제2 도전형의 매몰층의 불순물 농도는 제2 도전형의 에피택셜층의 불순물 농도와 비교하여 어떠한 관계를 갖는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제2 도전형의 매몰층 불순물 농도와 제2 도전형의 에피택셜층 불순물 농도 간의 비교 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4와 청구항 6에서 제2 도전형의 매몰층과 에피택셜층의 불순물 농도에 관한 기술 내용을 추출한다.
- 상기 제2 도전형의 매몰층에서의 불순물 농도는 상기 제2 도전형의 에피택셜층에서의 불순물 농도보다 더 높은 것
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3근거 선택
evidence_selection두 층의 농도 관계를 직접적으로 명시한 청구항 4의 구절을 근거로 선택한다.
- 상기 제2 도전형의 매몰층에서의 불순물 농도는 상기 제2 도전형의 에피택셜층에서의 불순물 농도보다 더 높은 것
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4논리 통합
logical_integration매몰층의 불순물 농도가 에피택셜층의 불순물 농도보다 더 높다는 문맥을 통해 비교 우위를 확인한다.
- 상기 제2 도전형의 매몰층에서의 불순물 농도는 상기 제2 도전형의 에피택셜층에서의 불순물 농도보다 더 높은 것
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5결론 도출
conclusion_formulation제2 도전형의 매몰층 불순물 농도는 제2 도전형의 에피택셜층 불순물 농도보다 더 높다는 결론을 도출한다.
- 상기 제2 도전형의 매몰층에서의 불순물 농도는 상기 제2 도전형의 에피택셜층에서의 불순물 농도보다 더 높은 것
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 제2 도전형의 매몰층에서의 불순물 농도는 상기 제2 도전형의 에피택셜층에서의 불순물 농도보다 더 높은 것
최종 답변 (final_answer)
상기 제2 도전형의 매몰층에서의 불순물 농도는 상기 제2 도전형의 에피택셜층에서의 불순물 농도보다 더 높다.
핵심 해석 (core_interpretation)
고전압 반도체 소자에서 제2 도전형의 매몰층은 에피택셜층보다 더 높은 불순물 농도를 가짐으로써 소자의 특성을 형성한다.