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터널접합 구조를 가지는 질화물반도체 발광소자 document_id 1020000053982

출원번호
1020000053982
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 8] 제2항에 있어서,상기 활성층과 상기 터널접합층 사이에 게재되며 p형 질화물반도체로 이루어지는 p형 클래드층과, 상기 터널접합층과 상기 상부오믹접촉층 사이에 게재되며 n형 질화물반도체로 이루어지는 n형 클래드층더구비하는것을특징으로 하는질화물반도체 발광소자. [청구항 9] 제3항 또는 제4항에 있어서,상기 터널접합층과 인접하여 상기 터널접합층 상에 형성되며 n형 질화물반도체로 이루어지는 n형 클래드층과, 상기 터널접합층과 인접하여 상기 터널접합층 아래에 형성되며 p형 질화물반도체로 이루어지는 p형 클래드층더구비하는것을특징으로 하는질화물반도체 발광소자. [청구항 10] 제2항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 하부오믹접촉층과 상기 하부오믹접촉층 상에 형성되는 활성층 사이에 게재되며 n형 질화물반도체로 이루어지는 n형 클래드층더구비하는것을특징으로 하는질화물반도체 발광소자. [청구항 11] 제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 터널접합층의 n형 질화물반도체층이 델타도핑방법에 의해 형성되는 n형델타도핑층인것을특징으로 하는질화물반도체 발광소자. [청구항 12] 제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 질화물반도체가인것을특징으로 하는질화물반도체 발광소자, 여기서, 0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1, 그리고 x + y ≤1 임. [청구항 13] 제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 터널접합층의 p형 질화물반도체층 및 n형질화물반도체층의두께인것을특징으로 하는질화물반도체 발광소자. [청구항 14] 제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 터널접합층의 p형 질화물반도체층 및 n형 질화물반도체층 사이에 게재되는델타도핑층더구비하는것을특징으로 하는질화물반도체 발광소자. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 델타도핑층이 o, ge, sn 및 si로 이루어진 n형 도펀트 군으로부터 선택된 어느 하나가 델타도핑되어형성되는것을특징으로 하는질화물반도체 발광소자. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기 델타도핑층이 zn, cd, mg 및 be 으로 이루어진 p형 도펀트 군으로부터 선택된 어느 하나가 델타도핑되어형성되는것을특징으로 하는질화물반도체 발광소자. [청구항 17] 제14항에 있어서,상기 델타도핑층이 1 ×1011 ~ 1 ×1014 cm-2 의 면도핑농도로 si이 델타도핑되어형성되는것을특징으로 하는질화물반도체 발광소자. [청구항 18] 제2항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 터널접합층의 p형 질화물반도체층 및 n형 질화물반도체층 사이에 게재되며, mg가 델타도핑되어 형성되는 mg 델타도핑층과 si이 델타도핑되어 형성되는 si 델타도핑층이 순차적으로 적층되어 이루어지는델타도핑층더구비하는것을특징으로 하는질화물반도체 발광소자. [청구항 19] 제5항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 터널접합층의 n형 질화물반도체층 및 p형 질화물반도체층 사이에 게재되며, si이 델타도핑되어 형성되는 si 델타도핑층과 mg가 델타도핑되어 형성되는 mg 델타도핑층이 순차적으로 적층되어 이루어지는델타도핑층더구비하는것을특징으로 하는질화물반도체 발광소자. [청구항 20] 제3항, 제4항, 제6항, 또는 제7항에 있어서,상기 활성층 각각이 모두 동일한파장의빛방출하는것을특징으로 하는질화물반도체 발광소자. [청구항 21] 제3항, 제4항, 제6항, 또는 제7항에 있어서,상기 활성층 중의 적어도 하나가 나머지와는 다른파장의빛방출하는것을특징으로 하는질화물반도체 발광소자. [청구항 22] 제3항, 제4항, 제6항, 또는 제7항에 있어서,상기 활성층들에서 방출되는 빛이 서로 조합되어 전체적으로백색광출력하는것을특징으로 하는질화물반도체 발광소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
질화물반도체 발광소자에서 터널접합층의 p형 질화물반도체층과 n형 질화물반도체층 사이에 게재되는 델타도핑층이 mg 델타도핑층과 si 델타도핑층으로 구성될 경우, 이 두 층은 어떤 순서로 적층되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    질화물반도체 발광소자의 터널접합층 내 p형 및 n형 층 사이에 위치하는 mg 델타도핑층과 si 델타도핑층의 적층 순서를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 18에서 p형 질화물반도체층 및 n형 질화물반도체층 사이에 mg 델타도핑층과 si 델타도핑층이 순차적으로 적층된다는 내용을 추출한다.

    • 상기 터널접합층의 p형 질화물반도체층 및 n형 질화물반도체층 사이에 게재되며, mg가 델타도핑되어 형성되는 mg 델타도핑층과 si이 델타도핑되어 형성되는 si 델타도핑층이 순차적으로 적층되어 이루어지는델타도핑층
  3. 3근거 선택evidence_selection

    적층 순서를 명시하고 있는 청구항 18의 구절을 근거로 선택한다.

    • mg가 델타도핑되어 형성되는 mg 델타도핑층과 si이 델타도핑되어 형성되는 si 델타도핑층이 순차적으로 적층되어 이루어지는
  4. 4논리 통합logical_integration

    청구항 18에 따르면 mg 델타도핑층이 먼저 언급되고 그 뒤에 si 델타도핑층이 언급되므로, mg 델타도핑층이 먼저 적층되고 si 델타도핑층이 그 다음에 적층되는 순서임을 알 수 있다.

    • mg가 델타도핑되어 형성되는 mg 델타도핑층과 si이 델타도핑되어 형성되는 si 델타도핑층이 순차적으로 적층되어 이루어지는
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    mg 델타도핑층과 si 델타도핑층이 순차적으로 적층된다는 결론을 도출한다.

    • mg가 델타도핑되어 형성되는 mg 델타도핑층과 si이 델타도핑되어 형성되는 si 델타도핑층이 순차적으로 적층되어 이루어지는
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대한 직접적인 답변으로 mg 델타도핑층과 si 델타도핑층이 순차적으로 적층된다고 작성한다.

    • mg가 델타도핑되어 형성되는 mg 델타도핑층과 si이 델타도핑되어 형성되는 si 델타도핑층이 순차적으로 적층되어 이루어지는
최종 답변 (final_answer)
mg 델타도핑층과 si 델타도핑층이 순차적으로 적층된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
터널접합층의 p형 및 n형 질화물반도체층 사이에 mg 델타도핑층과 si 델타도핑층을 순차적으로 적층하여 구성하는 기술적 특징을 포함한다.