문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 층간 절연막과 상기 비트 라인 사이에 상기 비트 라인의 산화를 방지하는 물질막더 포함하는반도체 메모리 소자.
[청구항 3]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 층간 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, bsg막, bpsg막, teos막, 오존-teos막, pe-teos막 또는 usg막 또는 이들의 조합막이고, 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 또는 탄화 실리콘막 또는 이들의 조합막으로 이루어지는반도체 메모리 소자.
[청구항 4]
제 2 항에 있어서,상기 물질막은 실리콘 질화막실리콘 산화질화막으로 이루어지는반도체 메모리 소자.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,상기 트랜지스터는 상기 게이트 전극 상부에 형성되는 게이트 전극 캐핑막 패턴 및 상기 게이트 전극과 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴의 측벽에 형성되는 측벽 스페이서를 더 포함하고, 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 측벽 스페이서 및 상기 비트 라인 캐핑막 패턴이 상기 제 1 층간 절연막에 대해 높은식각비가지는물질로 이루어지는반도체 메모리 소자.
[청구항 7]
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 비트 라인과 상기 제 1 층간 절연막 사이에서 상기 제 1 층간 절연막 전면에 형성되는 비트 라인 산화 방지막더 포함하는반도체 메모리 소자.
[청구항 8]
제 6 항에 있어서,상기 주변 회로 영역에서, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴은 상기 비트 라인 상부 및 상기 제 1 층간 절연막 상부 전면배치되는반도체 메모리 소자.
[청구항 9]
제 7 항에 있어서,상기 주변 회로 영역에서, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴은 상기 비트 라인 상부 및 상기 비트 라인 산화 방지막 상부 전면배치되는반도체 메모리 소자.
[청구항 10]
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 캐패시터를 덮으면서 상기 셀 영역 및 상기 주변 회로 영역을 포함하는 기판 상에 형성되되 상기 주변 회로 영역에 제공된 금속 배선 콘택홀을 구비하는 평탄화된 제 2 층간 절연막더 포함하는반도체 메모리 소자.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 금속 배선 콘택홀 내에 형성되어 상기 하부 금속 콘택 플러그와 전기적으로 연결되는 상부 금속 콘택 플러그더 포함하는반도체 메모리 소자.
[청구항 12]
제 6 항에 있어서,상기 제 1 층간 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, bsg막, bpsg막, teos막, 오존-teos막, pe-teos막 또는 usg막 또는 이들의 조합막이고, 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 또는 탄화실리콘막 또는 이들의 조합막으로 이루어지는반도체 메모리 소자.
[청구항 13]
제 7 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 비트 라인 산화 방지막은 실리콘 질화막실리콘 산화질화막인반도체 메모리 소자.
지시문 (instruction)
본문에서 필요한 정보를 찾아 질문에 답변하라.
질문 (question)
반도체 메모리 소자에서 층간 절연막과 게이트 전극 캐핑막 패턴, 비트 라인 캐핑막 패턴 및 측벽 스페이서 사이의 물질 구성 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation층간 절연막과 게이트 전극 캐핑막 패턴, 비트 라인 캐핑막 패턴, 측벽 스페이서 간의 물질 구성 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3 및 12에서 각 구성 요소의 물질 종류를 추출한다.
- 상기 층간 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, bsg막, bpsg막, teos막, 오존-teos막, pe-teos막 또는 usg막 또는 이들의 조합막이고, 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 또는 탄화 실리콘막 또는 이들의 조합막으로 이루어지는
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3근거 선택
evidence_selection층간 절연막의 물질군과 캐핑막 패턴 및 스페이서의 물질군이 서로 다르다는 점과 구체적인 물질 목록을 선택한다.
- 상기 층간 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, bsg막, bpsg막, teos막, 오존-teos막, pe-teos막 또는 usg막 또는 이들의 조합막이고, 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 또는 탄화 실리콘막 또는 이들의 조합막으로 이루어지는
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4논리 통합
logical_integration층간 절연막은 실리콘 계열 산화물/질화물/유리막(BSG, USG 등)으로 구성되며, 캐핑막 패턴과 스페이서는 이와 다른 물질인 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막, 탄화 실리콘막 등으로 구성됨을 통합한다.
- 상기 층간 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, bsg막, bpsg막, teos막, 오존-teos막, pe-teos막 또는 usg막 또는 이들의 조합막이고, 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 또는 탄화 실리콘막 또는 이들의 조합막으로 이루어지는
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5결론 도출
conclusion_formulation층간 절연막과 나머지 구성 요소(캐핑막 패턴, 스페이서)는 서로 다른 물질로 이루어져 있다는 관계를 도출한다.
- 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 층간 절연막의 물질 구성과 캐핑막 패턴 및 스페이서의 물질 구성을 비교하여 답변을 작성한다.
- 상기 층간 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, bsg막, bpsg막, teos막, 오존-teos막, pe-teos막 또는 usg막 또는 이들의 조합막이고, 상기 게이트 전극 캐핑막 패턴, 상기 비트 라인 캐핑막 패턴 및 상기 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지되 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 또는 탄화 실리콘막 또는 이들의 조합막으로 이루어지는
최종 답변 (final_answer)
층간 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, bsg막, bpsg막, teos막, 오존-teos막, pe-teos막 또는 usg막 또는 이들의 조합막으로 구성된다. 반면, 게이트 전극 캐핑막 패턴, 비트 라인 캐핑막 패턴 및 측벽 스페이서는 상기 층간 절연막과 다른 물질로 이루어지며, 실리콘질화막, 알루미늄 산화막, 탄탈륨 산화막 또는 탄화 실리콘막 또는 이들의 조합막으로 구성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 층간 절연막과 캐핑막 패턴 및 측벽 스페이서 간의 물질 구성을 차별화하여, 각 구성 요소가 서로 다른 화학적/물리적 특성을 갖도록 설계된 반도체 메모리 소자에 관한 것이다.