배선기판, 배선기판을 가지는 반도체장치, 및 그제조방법과 실장방법 document_id 1020000058577

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 상호접속기판은 다층상호접속구조를 갖는다층상호접속기판인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 고강성판은금속으로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 고강성판은합금으로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 고강성판은세라믹으로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 상호접속기판의 기재(기초물질유기절연물질인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 유기물질은 중합체수지물질인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 상호접속기판은 다층상호접속구조를 갖는다층상호접속기판인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 10] 제8항에 있어서,상기 고강성판은금속으로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 11] 제8항에 있어서,상기 고강성판은합금으로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 12] 제8항에 있어서,상기 고강성판은세라믹으로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 13] 제8항에 있어서,상기 상호접속기판의 기재(기초물질)는유기물질인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 유기물질은 중합체수지물질인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 15] 제8항에 있어서,적어도 하나의 반도체칩은 융기들을 통해상기상호접속기판의상기제2표면접착되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,적어도 하나의 반도체칩 및 상기 융기들을 밀폐하기 위한 상기 상호접속기판의 상기 제1표면상에 제공된밀폐수지물질더포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 17] 제16항에 있어서,적어도 하나의 반도체칩상에 제공된 적어도 하나의 히트스프레더(열발산기더포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 상호접속기판은 다층상호접속구조를 갖는다층상호접속기판포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 20] 제18항에 있어서,적어도 하나의 외부전극nan은복수의외부전극들포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 21] 제18항에 있어서,상기 외부전극nan은납땜볼포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 22] 제18항에 있어서,상기 외부전극은 핀전극포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 23] 제18항에 있어서,상기 외부전극nan은코일스프링전극포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 24] 제18항에 있어서,상기 외부전극은 일반적으로기둥형상전극인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 일반적으로 기둥형상전극은 저부로부터 상부까지 수평단면영역이 균일한직선기둥형상포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 26] 제24항에 있어서,상기 일반적으로 기둥형상전극은 중간부위를 향하여 수평단면영역이 줄어드는중심위축기둥형상전극포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 27] 제18항에 있어서,상기 완충층은 각각이 상기 상호접속기판의 외부전극패드에 고착된 제1단부와 상기 외부전극에 직접 고착된 제2단부를 갖는복수의기둥형전기전도층들포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 복수의 기둥형전기전도층들은금속으로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 29] 제18항에 있어서,상기 완충층은 각각이 상기 상호접속기판의 외부전극패드에 고착된 제1단부와 상기 외부전극에 직접 고착된 제2단부를 갖는 복수의 기둥형전기전도층들; 및 상기 복수의 기둥형전기전도층들 사이의 간격을 메우고, 상기 복수의 기둥형전기전도층들 보다 강성이 더 낮으며, 상기 복수의 기둥형전기전도층들과 밀접하게 접촉하도록 상기 복수의 기둥형전기전도층들을 둘러싸는스트레스흡수층포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 30] 제29항에 있어서,상기 복수의 기둥형전기전도층들은금속으로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 31] 제29항에 있어서,상기 스트레스흡수층은유기절연물질로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 32] 제18항에 있어서,상기 완충층은 각각이 상기 상호접속기판의 외부전극패드에 고착된 제1단부와 상기 외부전극에 직접 고착된 제2단부를 갖는 복수의 기둥형전기전도층들; 상기 외부전극들과 함께 상기 복수의 기둥형전기전도층들이 삽입되는 복수의 홀들을 구비하고, 상기 상호접속기판의 상기 제2표면과 지지판 사이에 상호공간을 형성하기 위하여 상기 상호접속기판의 상기 제2표면과 나란하게 뻗어 있는 지지판; 및 상기 상호공간을 채우고, 상기 외부전극들을 지지하기 위하여 상기 외부전극들의 일부와 상기 복수의 기둥형전기전도층들과 밀접하게 접촉하도록 상기 복수의 기둥형전기전도층들 및 상기 외부전극들의 일부를 둘러싸는지지밀폐수지물질포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 지지밀폐수지물질은 상기 외부전극들에 인가된 스트레스를 흡수 및/또는 완화할 수 있도록 상기 복수의 기둥형전기전도층들 보다 강성이 더 낮은 것특징으로 하는반도체장치. [청구항 34] 제32항에 있어서,상기 복수의 기둥형전기전도층들은금속으로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 35] 제32항에 있어서,상기 지지밀폐수지물질은유기절연물질로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 36] 제18항에 있어서,상기 완충층의 상기 제2표면상에 상기 외부전극을 지지하기 위한지지층더포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 37] 제35항에 있어서,상기 지지층은 상기 외부전극들이 삽입된 복수의 홀들을 구비하고, 상기 완충층의 상기 제2표면과 지지판 사이에 상호공간을 형성하기 위하여 상기 완충층의 상기 제2표면에 나란하게 뻗어 있는 지지판; 및상기 상호공간을 채우고, 상기 외부전극들을 지지하기 위하여 상기 외부전극들의 일부와 밀접하게 접촉하도록 상기 외부전극들의 일부를 둘러싸는지지밀폐수지물질포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 38] 제18항에 있어서,적어도 하나의 반도체칩은 융기들을 통해상기상호접속기판의상기제2표면접착되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 39] 제38항에 있어서,적어도 하나의 반도체칩 및 상기 융기들을 밀폐하기 위하여 상기 상호접속기판의 상기 제1표면상에 제공된밀폐수지물질더포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 40] 제39항에 있어서,적어도 하나의 반도체칩상에 제공된적어도하나의히트스프레더더포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 41] 제38항에 있어서,적어도 하나의 반도체칩 및 상기 융기들을 밀폐하기 위하여 상기 상호접속기판의 상기 제1표면상에 제공된 언더필(under-fill)수지물질더포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 42] 제41항에 있어서,상기 완충층의 주변영역에 뻗어 있는 스티프너(stiffener); 및 상기 적어도 하나의 반도체칩 및 상기 스티프너상에 제공된적어도하나의히트스프레더더포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 44] 제43항에 있어서,상기 지지층은 상기 외부전극들이 삽입된 복수의 홀들을 구비하고, 상기 완충층의 상기 제2표면과 지지판 사이에 상호공간을 형성하기 위하여 상기 완충층의 상기 제2표면에 나란하게 뻗어 있는 지지판; 및상기 상호공간을 채우고, 상기 외부전극들을 지지하기 위하여 상기 외부전극들의 일부와 밀접하게 접촉하도록 상기 외부전극들의 일부를 둘러싸는지지밀폐수지물질포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 45] 제43항에 있어서,적어도 하나의 반도체칩은 융기들을 통해상기상호접속기판의상기제2표면접착되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 46] 제45항에 있어서,적어도 하나의 반도체칩 및 상기 융기들을 밀폐하기 위하여 상기 상호접속기판의 상기 제1표면상에 제공된밀폐수지물질더포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 47] 제46항에 있어서,적어도 하나의 반도체칩상에 제공된적어도하나의히트스프레더더포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 48] 제45항에 있어서,적어도 하나의 반도체칩 및 상기 융기들을 밀폐하기 위하여 상기 상호접속기판의 상기 제1표면상에 제공된 언더필(under-fill)수지물질더포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 49] 제48항에 있어서,상기 완충층의 주변영역에 뻗어 있는 스티프너; 및 상기 적어도 하나의 반도체칩 및 상기 스티프너된적어도하나의히트스프레더더포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 50] 제43항에 있어서,복수의 기둥형전기전도층들을 통해 상기 상호접속기판의 상기 제2표면상의 외부전극패드들에 접속된 상기 외부전극들, 및 상기 지지층은 상기 외부전극들과 함께 상기 복수의 기둥형전기전도층들이 삽입되는 복수의 홀들을 구비하고, 상기 상호접속기판의 상기 제2표면과 지지판 사이에 상호공간을 형성하기 위하여 상기 상호접속기판의 상기 제2표면과 나란하게 뻗어 있는 지지판; 및 상기 상호공간을 채우고, 상기 외부전극들을 지지하기 위하여 상기 외부전극들의 일부와 상기 복수의 기둥형전기전도층들과 밀접하게 접촉하도록 상기 복수의 기둥형전기전도층들 및 상기 외부전극들의 일부를 둘러싸는지지밀폐수지물질더포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 51] 제50항에 있어서,상기 지지밀폐수지물질은 상기 외부전극들에 인가된 스트레스를 흡수 및/또는 완화할 수 있도록 상기 복수의 기둥형전기전도층들 보다 강성이 더 낮은 것특징으로 하는반도체장치. [청구항 52] 제50항에 있어서,상기 복수의 기둥형전기전도층들은금속으로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 53] 제50항에 있어서,상기 지지밀폐수지물질은유기절연물질로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 54] 제43항에 있어서,상기 외부전극nan은납땜볼포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 55] 제43항에 있어서,상기 외부전극은 핀전극포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 56] 제43항에 있어서,상기 외부전극nan은코일스프링전극포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 57] 제18항에 있어서,상기 외부전극은 일반적으로기둥형상전극인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 58] 제24항에 있어서,상기 일반적으로 기둥형상전극은 저부로부터 상부까지 수평단면영역이 균일한직선기둥형상포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 59] 제24항에 있어서,상기 일반적으로 기둥형상전극은 중간부위를 향하여 수평단면영역이 줄어드는중심위축기둥형상전극포함하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 61] 제60항에 있어서,상기 상호접속기판은 다층상호접속구조를 갖는다층상호접속기판인것을특징으로 하는반도체장치.