배선회로기판 및 그 제조방법 document_id 1020000059718

[청구항 4] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부의 꼭대기부에는,도전성의접착막형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 5] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는, 단면이대략삼각형상형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 6] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는,코니데형상형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 7] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는,장구형상형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 8] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는,표면되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 9] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는,알갱이도금되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 10] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는, 구리로 형성되고, 상기 돌기부의 표면은, 전해크로메이트처리되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 11] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는,평면대략격자형상배설되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 12] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는, 배선회로기판이 적층될 때에 가해지는 압력이 각 돌기부마다 균일해지도록 하는배치형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 13] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는, 배치밀도가 높은 제 1 영역과, 배치밀도가 낮은 제 2 영역이 형성되도록 배치되고, 상기 제 1 영역의 둘레가장자리부에, 상기 돌기부보다도 낮은높이의더미돌기부형성한것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 14] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는, 해당 각 돌기부의 주위에 링형상으로 형성된 각 더미돌기부를 포함하며, 인접하는 각 더미돌기부는, 이간되어형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 15] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는, 해당 각 돌기부의 주위에 링형상으로 형성된 더미돌기부를 포함하며, 인접하는 각 더미돌기부는,부분적형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 16] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는, 하나의 해당 돌기부의 주위에 형성된복수의더미돌기부포함하는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 17] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는, 복수의 돌기부의 주위에 형성된 복수의 더미돌기부를 포함하며, 복수의 상기 더미돌기부는, 상기 복수의 돌기부의 형성영역보다 바깥쪽 영역에,소정간격형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 18] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는, 복수의 다른높이형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 19] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는, 복수의 다른직경형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 20] 제 2 항에 있어서,상기 제 2 금속층은, 상기 돌기부와 대응하는 부분에, 상기 돌기부의 꼭대기부에서의 직경보다도 작은직경의구멍형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 21] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는, 해당 돌기부와 같은 재료로, 또한, 거의 같은 높이로 형성된스페이서포함하는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 22] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는, 해당 돌기부와 같은 재료로, 또한, 거의 같은 높이로 형성된인식마크포함하는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 23] 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 돌기부는, 주위에도금형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 24] 제 4 항에 있어서,상기 접착막은,이방성전막인것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 25] 제 4 항에 있어서,상기 접착막은, 표면처리제로서 도전페이스트재료를 코팅하여형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 27] 제 26 항에 있어서,상기 에칭배리어층은, 상기 돌기부의 기단과 거의 같은폭형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 28] 제 26 항에 있어서,상기 에칭배리어층은, 상기 돌기부 및 상기 층간절연층의 이면에 달하는 영역까지연장형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 29] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부 및 상기 에칭배리어층의 주위를 덮도록,도금형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 30] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부의 꼭대기부에는, 표면처리제로서도전페이스트재료코팅되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 31] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부의 꼭대기부에는, 이방성도전막형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 32] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부는, 단면이대략삼각형상형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 33] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부는,코니데형상형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 34] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부는,장구형상형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 35] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부는,표면되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 36] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부는,알갱이도금되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 37] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부는, 구리로 형성되고, 상기 돌기부의 표면은, 전해크로메이트처리되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 38] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부 및 상기 에칭배리어층은, 평면이대략격자형상배설되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 39] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부 및 상기 에칭배리어층은, 배선회로기판이 적층될 때에 가해지는 압력이 각 돌기부마다 균일해지도록 하는배치형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 40] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부는, 배치밀도가 높은 제 1 영역과, 배치밀도가 낮은 제 2 영역이 형성되도록 배치되어, 상기 제 1 영역의 둘레가장자리부에, 상기 돌기부보다도 낮은높이의더미돌기부형성한것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 41] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부는, 해당 각 돌기부의 주위에 링형상으로 형성된 각 더미돌기부를 포함하며, 인접하는 각 더미돌기부는, 이간되어형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 42] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부는, 해당 각 돌기부의 주위에 링형상으로 형성된 더미돌기부를 포함하며, 인접하는 각 더미돌기부는,부분적형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 43] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부는, 하나의 해당 돌기부의 주위에 형성된복수의더미돌기부포함하는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 44] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부는, 복수의 돌기부의 주위에 형성된 복수의 더미돌기부를 포함하며, 복수의 상기 더미돌기부는, 상기 복수의 돌기부의 형성영역보다 바깥쪽 영역에,소정간격형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 45] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부는, 복수의 다른높이형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 46] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부는, 복수의 다른직경형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 47] 제 26 항에 있어서,상기 제 2 금속층은, 상기 돌기부와 대응하는 부분에, 상기 돌기부의 꼭대기부에서의 직경보다도 작은직경의구멍형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 48] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부는, 해당 돌기부와 같은 재료로, 또한, 거의 같은 높이로 형성된스페이서포함하는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 49] 제 26 항에 있어서,상기 돌기부는, 해당 돌기부와 같은 재료로, 또한, 거의 같은 높이로 형성된인식마크포함하는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 63] 제 62 항에 있어서,상기 제 2 금속층은, 상기 돌기부와 대응하는 부분에 상기 돌기부의 직경보다도 큰직경의구멍갖는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 64] 제 62 항에 있어서,상기 제 3 금속층은, 땜납,도전페이스트또는귀금속막형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 66] 제 65 항에 있어서,상기 돌기부와 상기 별도의 도체회로, 또는 회로기판과의 사이에는, 이방성도전막형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 68] 제 67 항에 있어서,상기 제 1 배선회로기판에, lsi칩더욱적층하는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 69] 제 67 항에 있어서,상기 제 1 배선회로기판에,패키지더욱적층하는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 75] 제 70 항 내지 제 74 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기제 1 및 제 3 배선회로기판은, 각각 제 3 도체회로가 형성되는 제 3 금속층과, 상기 제 3 금속층상에, 상기 제 3 금속층과는 별도의 금속으로 형성된 에칭 배리어층과, 상기 에칭 배리어층상에 선택적으로 형성되어, 해당 에칭 배리어층과 거의 같은 폭으로 기단이 형성되어, 금속으로 이루어지는 도체간 접속용 돌기부와, 상기 제 3 금속층상에, 상기 돌기부가 관통되는 상태로 형성된 층간절연층과, 상기 돌기부 및 상기 층간절연층의 표면에 형성되어, 제 4 도체회로가 형성되는제4금속층포함하는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 76] 제 70 항 내지 제 74 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 배선회로기판은, 제 3 도체회로가 형성되는 제 3 금속층과, 상기 제 3 금속층상에, 상기 제 3 금속층과는 별도의 금속으로 형성된 에칭 배리어층과, 상기 에칭 배리어층상에 선택적으로 형성되어, 금속으로 이루어지는 도체간 접속용 돌기부와, 상기 에칭 배리어층상에, 상기 돌기부가 관통되는 상태로 형성된 층간절연층과, 상기 돌기부 및 상기 층간절연층의 표면에 형성되어, 제 4 도체회로가 형성되는 제 4 금속층을 포함하며, 상기 제 3 배선회로기판은, 제 5 도체회로가 형성되는 제 5 금속층과, 상기 제 5 금속층상에, 상기 제 5 금속층과는 별도의 금속으로 형성된 에칭 배리어층과, 상기 에칭 배리어층상에 선택적으로 형성되어, 해당 에칭 배리어층과 거의 같은 폭으로 기단이 형성되어, 금속으로 이루어지는 도체간 접속용 돌기부와, 상기 제 5 금속층상에, 상기 돌기부가 관통되는 상태로 형성된 층간절연층과, 상기 돌기부 및 상기 층간절연층의 표면에 형성되고, 제 6 도체회로가 형성되는제6금속층포함하는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 77] 제 70 항 내지 제 74 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 배선회로기판은, 제 3 도체회로가 형성되는 제 3 금속층과, 상기 제 3 금속층상에, 상기 제 3 금속층과는 별도의 금속으로 형성된 에칭 배리어층과, 상기 에칭 배리어층상에 선택적으로 형성되어, 금속으로 이루어지는 도체간 접속용 돌기부와, 상기 에칭 배리어층상에, 상기 돌기부가 관통되는 상태로 형성된 층간절연층과, 상기 돌기부 및 상기 층간절연층의 표면에 형성되어, 제 4 도체회로가 형성되는 제 4 금속층을 포함하고, 상기 제 3 배선회로기판은, 제 5 도체회로가 형성되는 제 5 금속층과, 상기 제 5 금속층상에, 상기 제 5 금속층과는 별도의 금속으로 형성된 에칭 배리어층과, 상기 에칭 배리어층상에 선택적으로 형성되어, 해당 에칭 배리어층과 거의 같은 폭으로 기단이 형성되어, 금속으로 이루어지는 도체간 접속용 돌기부와, 상기 제 5 금속층상에, 상기 돌기부가 관통되는 상태로 형성된 층간절연층과, 상기 돌기부 및 상기 층간절연층의 표면에 형성되고, 제 6 도체회로가 형성되는 제 6 금속층과, 상기 돌기부 및 상기 에칭 배리어층의 주위를 덮도록 형성된도금층포함하는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 78] 제 70 항 내지 제 74 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기제 1 및 제 3 배선회로기판은, 각각 제 3 도체회로가 형성되는 제 3 금속층과, 상기 제 3 금속층상에, 상기 제 3 금속층과는 별도의 금속으로 형성된 에칭 배리어층과, 상기 에칭 배리어층상에 선택적으로 형성되어, 금속으로 이루어지는 도체간 접속용 돌기부와, 상기 에칭 배리어층상에, 상기 돌기부가 관통되는 상태로 형성된 층간절연층과, 상기 돌기부 및 상기 층간절연층의 표면에 형성되어, 제 4 도체회로가 형성되는제4금속층포함하는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 79] 제 70 항 내지 제 74 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 배선회로기판은, 제 3 도체회로가 형성되는 제 3 금속층과, 상기 제 3 금속층상에, 상기 제 3 금속층과는 별도의 금속으로 형성된 에칭 배리어층과, 상기 에칭 배리어층상에 선택적으로 형성되어, 금속으로 이루어지는 도체간 접속용 돌기부와, 상기 에칭 배리어층상에, 상기 돌기부가 관통되는 상태로 형성된 층간절연층과, 상기 돌기부 및 상기 층간절연층의 표면에 형성되어, 제 4 도체회로가 형성되는 제 4 금속층을 포함하고, 상기 제 3 배선회로기판은, 1층 또는 다층의 제 5 도체회로가 형성됨과 동시에, 상기 제 5 도체회로와의 도전경로를 확보하기 위한 개구부를 적어도 한쪽의 면에 형성한 절연층과, 상기 개구부가 형성되는 상기 절연층의 한 면상에 형성된 층간절연층과, 상기 층간절연층을 관통하는 상태로 상기 절연층상의 상기 개구부와 대응하는 위치에 형성되는 상기 개구부를 통하여 상기 제 5 도체회로와 전기적으로 접속되어, 도체형성용의 금속층으로 이루어지는돌기부포함하는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 80] 제 70 항 내지 제 74 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 배선회로기판은, 제 3 도체회로가 형성되는 제 3 금속층과, 상기 제 3 금속층상에, 상기 제 3 금속층과는 별도의 금속으로 형성된 에칭 배리어층과, 상기 에칭 배리어층상에 선택적으로 형성되어, 해당 에칭 배리어층과 거의 같은 폭으로 기단이 형성되어, 금속으로 이루어지는 도체간 접속용 돌기부와, 상기 제 3 금속층상에, 상기 돌기부가 관통되는 상태로 형성된 층간절연층과, 상기 돌기부 및 상기 층간절연층의 표면에 형성되고, 제 4 도체회로가 형성되는 제 4 금속층과, 상기 돌기부 및 상기 에칭 배리어층의 주위를 덮도록 형성된 도금층을 포함하며, 상기 제 3 배선회로기판은, 제 5 도체회로가 형성되는 제 5 금속층과, 상기 제 5 금속층상에, 상기 제 5 금속층과는 별도의 금속으로 형성된 에칭 배리어층과, 상기 에칭 배리어층상에 선택적으로 형성되어, 해당 에칭 배리어층과 거의 같은 폭으로 기단이 형성되어, 금속으로 이루어지는 도체간 접속용 돌기부와, 상기 제 5 금속층상에, 상기 돌기부가 관통되는 상태로 형성된 층간절연층과, 상기 돌기부 및 상기 층간절연층의 표면에 형성되어, 제 6 도체회로가 형성되는제6금속층포함하는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 85] 제 70 항 내지 제 74 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기제 1 및 상기 제 3 배선회로기판에, 각각 lsi칩더욱적층되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 108] 제 106 항 또는 제 107 항에 있어서,상기 도전부재는,구리또는은의도전성페이스트인것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 109] 제 106 항 또는 제 107 항에 있어서,상기 돌기부는, 구리 또는 구리합금으로 형성되고, 상기 배선층은,은형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 110] 제 106 항에 있어서,상기 적층시트는, 상기 돌기부가 위치하는 상기 배선층의 한 면에 형성되는 에칭 배리어층을 더욱 가지며, 상기 돌기부는, 구리 또는 구리합금으로 상기 에칭 배리어층상형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 111] 제 106 항에 있어서,상기 적층시트의 바깥쪽에 적층되는 lsi칩더욱갖는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 112] 제 107 항에 있어서,상기 제 1 적층시트는, 상기 돌기부가 위치하는 상기 배선층의 한 면에 형성되는 에칭 배리어층을 더욱 가지며, 상기 돌기부는, 구리 또는 구리합금으로써 상기 에칭 배리어층상형성되는것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 113] 제 107 항에 있어서,상기 제 2 적층시트는, 상기 제 1 적층시트와 동일한구성인것을특징으로 하는배선회로기판. [청구항 114] 제 107 항에 있어서,상기 제 2 적층시트의 바깥쪽에 적층되는 lsi칩더욱갖는것을특징으로 하는배선회로기판.