텅스텐, 알루미늄 및 구리 제공을 위한 라이너, 장벽,및/또는 씨드 층으로서의 ＰＶＤ－ＩＭＰ 텅스텐 및 질화텅스텐 document_id 1020000061247

[청구항 14] 제 13 항에 있어서,처리에 의해 제 1 텅스텐 층상에 증착된제2텅스텐층더포함하는것을특징으로 하는기판. [청구항 15] 제 13 항에 있어서,제 1 텅스텐 층전에 기판상에 증착된티타늄재료층더포함하는것을특징으로 하는기판. [청구항 16] 제 14 항에 있어서,상기 제 2 텅스텐 층nan은텅스텐헥사플루오르의수소감소된것을특징으로 하는기판. [청구항 17] 제 13 항에 있어서,상기 제 1 텅스텐 층nan은질화텅스텐포함하는것을특징으로 하는기판. [청구항 18] 제 13 항에 있어서,상기 기판은 적어도 하나의 텅스텐 층상에 증착된적어도하나의전도금속또는합금층포함하는것을특징으로 하는기판. [청구항 19] 제 13 항에 있어서,제 1 텅스텐 층 및 제 2 텅스텐 층nan은기판상페쳐증착되는것을특징으로 하는기판. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 페쳐는기판상플러그포함하는것을특징으로 하는기판. [청구항 21] 제 13 항에 있어서,페쳐의 하부에 증착된제1텅스텐층의필름두께균일도이하인것을특징으로 하는기판. [청구항 22] 제 13 항에 있어서,제 1 텅스텐 층의 증착 전에 측정된 기판 적층부의 스트레스 레벨은 제 1 텅스텐 층의 증착후 측정된 제 1 텅스텐 층의 스트레스 레벨에 비해오프셋지는것을특징으로 하는기판. [청구항 23] 제 13 항에 있어서,페쳐에 증착된 상기 제 1 텅스텐 층의 하부 커버리지는 필드 영역의 기판 커버리지에 비해이상인것을특징으로 하는기판. [청구항 24] 제 13 항에 있어서,상기 제 2 텅스텐 층은 제 1 텅스텐 층이 적어도 약 24 시간 동안 공기에 노출될때그레인방향변화않는것을특징으로 하는기판. [청구항 25] 제 13 항에 있어서,상기 텅스텐 층은 하부 층으로플루오르확산감소시키는것을특징으로 하는기판. [청구항 26] 제 13 항에 있어서,전기화학 증착 처리에 의해 제 1 텅스텐 층상에 증착된제2텅스텐층더포함하는것을특징으로 하는기판. [청구항 32] 제 31 항에 있어서,상기 스퍼터된 질화 텅스텐은 적어도 약 250å의두께가지는것을특징으로 하는기판. [청구항 33] 제 31 항에 있어서,질화 텅스텐 장벽층상에 구리, 알루미늄,텅스텐또는그것의결합물층더포함하는것을특징으로 하는기판. [청구항 36] 기판 처리 시스템에 있어서, a) 제 1 전력 공급기에 접속된 챔버에 배치된 텅스텐 타켓 및 챔버에 배치된 기판 지지부를 가지는 스퍼터링 챔버 b) 타켓 및 제 2 전력 공급기에 접속된 기판 지지부 사이에 배치된 코일; 및 c) 텅스텐 타켓으로부터 재료를 스퍼터하기 위하여 제 1 전력 공급기로부터의 제 1 전력 출력을 제어하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템 [청구항 37] 제 36 항에 있어서,상기 제어기는 스퍼터된 재료를 이온화하기 위하여 제 2 전력 공급기로부터제2전력출력을추가제어하는것을특징으로 하는기판 처리 시스템. [청구항 38] 제 37 항에 있어서,상기 제어기는 이온화된 스퍼터 재료의 지향성 인력을 제공하기 위하여 기판 지지부를 바이어스하는 제 3 전력 공급기로부터의제3전력출력을추가제어하는것을특징으로 하는기판 처리 시스템. [청구항 39] 제 36 항에 있어서,상기 챔버에 기판을 전달하는 챔버에 인접하게 배치된로보트더포함하는것을특징으로 하는기판 처리 시스템. [청구항 40] 제 36 항에 있어서,스퍼터링 챔버에 인접하여 배치된화학기상 증착챔버더포함하는것을특징으로 하는기판 처리 시스템.