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고밀도 플라즈마 산화막 식각 장치 document_id 1020000062827

출원번호
1020000062827
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 내부 진공도가 유지되도록 내벽에 알루미늄 재질로 산화 피막 된 챔버과 상기 챔버의 내부에 혼합 가스를 공급하는 가스공급배관과 상기 가스 공급배관으로 부터 공급되는 혼합가스를 다수개의 홀을 통해서 분사하는 상부전극과 상기 상부전극의 온도를 일정하게 유지시켜 주는 쿨링 플레이트와 상기 상부전극과 소정의 거리를 두고 구동하는 하부전극과 상기 하부전극과 상부전극과의 거리를 조정하는 벨로우즈와 상기 하부전극 상부에 웨이퍼를 잡아주는 포커스 링과 상기 챔버의 일측벽 내부 압력을 측정하는 압력측정기와 상기 챔버의 일측벽에 플라즈마에 의하여 식각된 잔유물을 배기되는 배기 배관과 상기 배기 배관에는 잔유물을 흡입 배기하는 흡입구를 구비한 펌프로 구성되는 웨이퍼 식각 장치에 있어서 상기 챔버 내의 상부 전극과 하부전극 각각에 서로 다른 고주파를 공급하는 무선 주파수 발생기와 상기 챔버 내에 잔유물을 배기하는 배기 배관에는 배기 순간 속도를 향상하는 배기 완충부와 상기 배기 완충부에는 낮은 공정 압력을 유지하는 흡입구가 구비되는 펌프를 구성하여서 된 것을 특징으로 하는 고밀도 플라즈마 산화막 식각 장치 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 무선 고주파 발생기는 상부전극에 정합기를 통해서 27.12mhz가 인가되게 구성하고, 하부전극에는 정합기를 통해서 2mhz가인가되게구성하여서된것을특징으로 하는고밀도 플라즈마 산화막 식각 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 포커스 링은 상기 웨이퍼가 재치되는중앙부를웨이퍼의두께형성하여서된것을특징으로 하는고밀도 플라즈마 산화막 식각 장치. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 웨이퍼가 재치되는 중앙부의 높이는웨이퍼의두께형성하여서된것을특징으로 하는고밀도 플라즈마 산화막 식각 장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 포커스 링은 직경이상기하부전극의직경형성하여서된것을특징으로 하는고밀도 플라즈마 산화막 식각 장치. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 펌프의 흡입구는확장하여서된것을특징으로 하는고밀도 플라즈마 산화막 식각 장치. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 펌프는 1000 lps용량구성하여서된것을특징으로 하는고밀도 플라즈마 산화막 식각 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
고밀도 플라즈마 산화막 식각 장치에서 상부전극과 하부전극에 인가되는 무선 주파수의 구체적인 값은 각각 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    고밀도 플라즈마 산화막 식각 장치의 상부전극과 하부전극에 인가되는 무선 주파수의 구체적인 값을 찾는 작업이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 2에서 상부전극과 하부전극에 인가되는 무선 고주파의 수치를 확인한다.

    • 상기 무선 고주파 발생기는 상부전극에 정합기를 통해서 27.12mhz가 인가되게 구성하고, 하부전극에는 정합기를 통해서 2mhz가인가되게구성하여서된것을특징으로 하는고밀도 플라즈마 산화막 식각 장치
  3. 3근거 선택evidence_selection

    상부전극의 주파수 값인 '27.12mhz'와 하부전극의 주파수 값인 '2mhz'를 근거로 선택한다.

    • 상부전극에 정합기를 통해서 27.12mhz가 인가되게 구성하고, 하부전극에는 정합기를 통해서 2mhz가인가되게구성
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 정보를 결합하여 상부전극은 27.12mhz, 하부전극은 2mhz임을 도출한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에서 요구한 각 전극의 구체적인 주파수 값을 정리한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    상부전극에는 27.12mhz, 하부전극에는 2mhz가 인가된다.

최종 답변 (final_answer)
상부전극에는 27.12mhz가 인가되고, 하부전극에는 2mhz가 인가된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 상부전극과 하부전극에 각각 서로 다른 주파수(27.12mhz 및 2mhz)를 인가하여 고밀도 플라즈마를 생성하는 산화막 식각 장치에 관한 것이다.