반도체 디바이스 검사장치 및 반도체 디바이스 검사방법 document_id 1020000071964

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 측정 수단은, 바람직하게는 상기 샘플의 상기 개별 측정 위치가 전자빔으로 조사될 때 생성된 총 전류량측정하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 샘플은 하나 또는 복수의 콘택트홀 또는 레지스트의 개구부가 형성된 반도체 웨이퍼이며, 상기 조사 수단은 바람직하게는 상기 웨이퍼를 가로지르는 임의의 축을 따라 배열된, 상기 반도체 웨이퍼의 소정 간격을 가지는 위치에전자빔조사하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 소정의 간격은 일정 기간을 가지는간격인것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 5] 제 3 항에 있어서,상기 조사 수단은 하나의 스테퍼 노광에 노출된 샷 영역에서 소정의 간격을 가지는 위치에전자빔조사하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 6] 제 3 항에 있어서,상기 조사 수단은 하나의 반도체 디바이스의 영역을 결정하는 스크라이브 영역을 통하여 통과하는 임의의 축을 따라 소정의 간격을 가지는 위치에전자빔조사하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 7] 제 3 항에 있어서,상기 표시 수단은 모든 반도체 디바이스에서 결정된 품질 판단 알고리즘에 따라 각 측정 위치에서 전류의 양을 평가하고, 웨이퍼 형태를 모사하는 2차원 평면 상에 정상 또는 결함의 위치에 대응하는 지정 기호를 표시하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 표시 수단은 모든 반도체 디바이스에서 결정된 결함 모드에 따라 결함 모드에 대응하는 지정 기호를 표시하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 9] 제 3 항에 있어서,상기 표시 수단은 모든 반도체 디바이스에서 결정된 품질 판단 알고리즘에 따라 각 측정 위치에서 전류량을 평가하고, 상기 측정 위치에 대응하는 웨이퍼 형태를 모사하는 2차원 평면 상의 컨택트홀의 직경의 값 또는 실질적인 값을 표시하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 표시 수단은 컨택트홀 직경의 범위를 나타내는 기호를 표시하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 표시 수단은 컨택트홀 직경의 범위를 등고선으로 표시하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 12] 제 10 항에 있어서,상기 표시 수단은 컨택트홀 직경의 값의 범위를 나타내는 색을 표시하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 13] 제 9 항에 있어서,상기 표시 수단은 측정된 전류의 공간 주파수를 계산하고 2차원 평면 상의 공간 주파수에 대응하는 측정된 전류의 크기를 표시하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 14] 제 9 항에 있어서,상기 표시 수단은 모든 웨이퍼에서 컨택트홀 직경의 비를 컨택트홀 직경의 함수로서 표시하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 15] 제 9 항에 있어서,상기 조사 수단은 스테퍼 노광 장치의 전자빔 조사 수단으로 구성되며, 상기 표시 수단은 상기 스테퍼 노광의 모든 샷의 컨택트홀 직경의 비를 컨택트홀 직경의 함수로서 표시하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 16] 제 9 항에 있어서,상기 표시 수단은 웨이퍼 상의 모든 칩의 컨택트홀 직경의 비를 컨택트홀의 함수로서 표시하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 17] 제 9 항에 있어서,상기 표시 수단은 모든 웨이퍼의 컨택트홀의 최대 직경, 최소 직경, 평균 직경, 표준 편차 및/또는 표준 직경으로부터의 편차를 표시하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 18] 제 1 항에 있어서,상기 샘플은 표면에 형성된 포토 레지스트를 구비하며 홀이 형성된 전기적으로 도전성 기판이며, 포토 레지스트의 노광시 동시에 노광된 범위의 각 칩에 대하여, 그 노광시에 사용된 마스크 레이아웃 정보에서 설계상 동일한 크기의 홀을 추출하여 검사 대상 홀을 지정하는수단더구비하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 19] 제 1 항에 있어서,상기 샘플은 서로 다른 깊이를 가지는 홀을 가지는 소자이며, 각 그룹의 상기 홀이 전자빔으로 조사되도록 설계 데이터를 기초로 하여 서로 다른 깊이의 홀을 분류하여, 상기 조사 수단을 제어하는수단더구비하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 표시 수단은 상기 각 홀의 깊이에 대응하는 설계 시트 및 상기 소자의 표면을 나타내는 2차 전자상을 동시에 표시하는수단포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 21] 제 1 항에 있어서,상기 샘플 상의 복수의 측정 위치가 복수의 영역으로 분류되어, 상기 모든 영역이 전자빔으로 조사되도록 상기 조사 수단을 제어하는 수단을 더 구비하며, 상기 표시 수단은 모든 영역에서 측정된 전류량을 상기 영역에 포함된 복수의 측정 위치에 획득된 평균 전류량으로서 표시하기 위한평균값표시수단포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 22] 제 1 항에 있어서,상기 조사 수단은 복수의 측정 위치를 복수의 영역으로 분류하여, 영역 마다 전자 빔을 조사하는 제 1 모드와, 개별 측정 위치에 전자빔으로 조사하는 제 2 모드 사이에서 동작 모드를 스위칭할 수 있으며, 상기 조사 수단을 제 1 모드로 설정하고, 상기 측정 수단에 의하여 측정된 전류량을 그 크기에 따라 분류하고, 소정 기준에 따라 몇몇 영역을 선택하고, 상기 선택 영역을 위하여 조사 수단을 제 2 모드로 설정하고, 그 측정을 반복하는제어수단더구비하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 23] 제 1 항에 있어서,검사될 아이템에 적합한 측정 위치 패턴을 기억하는 기억 수단, 동작자에 의하여 선택된 검사 아이템에 대응하는 상기 기억 수단으로부터 측정 위치 패턴 중 하나를 판독하여, 측정될 대상의 크기에 적합하도록 상기 측정 위치 패턴을 전개함으로써 검사가 실제적으로 수행되는 좌표로 변환시키는 수단, 및 상기 변환 수단에 의하여 획득된 상기 실제 좌표를 기초하여 할당된 시퀀스에서 상기 할당된 측정 위치가 전자빔으로 조사되도록 상기 조사 수단을 제어하는수단더구비하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 24] 제 1 항에 있어서,상기 샘플은 상호 서로 다른 공정 조건으로 형성되며 검사 대상이 서로 다른 밀도로 형성되는 복수의 영역을 포함하는 복수의 검사 샘플이며, 복수의 영역이 공정 조건 사이에서 전자빔으로 조사될 때, 상기 측정 수단에 의하여 측정되는 전류량을 비교하는 수단, 상기 검사 샘플을 위하여 사용되는 공정 조건을 사용하여 상기 비교 수단으로부터의 비교 결과를 파라미터로서 기억하는 기억 수단, 및 상기 기억 수단에 기억된 복수의 검사 샘플에 관련된 비교 결과로부터 최적 공정 조건을 선택하는수단더구비하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 25] 제 24 항에 있어서,상기 복수의 영역은 검사될 대상이 고밀도로 형성되는 제 1 영역 및 검사될 대상이 고립적으로 형성되는제2영역포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,상기 검사될 대상은 홀이며, 상기 비교 수단은 상기 제 1 영역의 하나의 홀에 흐르는 전류량을 상기 제 2 영역의 하나의 고립 홀에 흐르는 전류량과 비교하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 27] 제 25 항에 있어서,상기 검사될 대상은 홀이며, 상기 비교 수단은 상기 제 1 영역의 하나의 홀에 흐르는 전류량을 하나의 고립 홀에 흐르는 전류량과 비교하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 28] 제 25 항에 있어서,상기 검사될 대상은배선패턴인것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 29] 제 24 항에 있어서,상기 복수의 영역은 검사될 대상이 비교적 고밀도로 형성되는 제 1 영역, 검사될 대상이 비교적 저밀도로 형성되는 제 2 영역 및 고립 대상이 형성되는제3영역포함하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치. [청구항 30] 제 1 항에 있어서,검사될 대상이 서로 다른 밀도인 샘플의 복수의 영역을 지정하는 수단, 복수의 영역이 각각 전자빔으로 조사될 때 상기 측정 수단에 의하여 측정된 전류를 비교하는 수단, 및 상기 비교 수단으로부터의 비교 결과가 소정의 조건을 만족시키지 않을 때, 샘플에 대하여 실행되는 제조 단계를 비정상으로 경보하는수단더구비하는것을특징으로 하는반도체 디바이스 검사장치.