문맥 (context)
[청구항 1]
2개의 억세스 트랜지스터와, 2개의 구동 트랜지스터와, 2개의 고부하저항과, 상기 고부하저항에 전원을 공급하는 전원전압 라인과, 상기 억세스 트랜지스터의 게이트를 제어하는 워드라인과, 구동 트랜지스터의 소오스에 연결된 접지라인과, 상기 억세스 트랜지스터의 드레인에 연결되어 데이터의 입출력이 이루어지는 비트 라인과, 비트 바(bar) 라인을 포함하는 에스램 디바이스에 있어서,
상기 억세스 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터를 서로 같은 방향으로 배치하여 형성하는 것을 특징으로 하는 에스램 디바이스
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 접지라인과 상기 워드라인이직각배치되는것을특징으로 하는에스램 디바이스.
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 접지라인과 상기 비트라인이 동일한전도층형성되는것을특징으로 하는에스램 디바이스.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기 고부하저항은 폴리실리콘층으로 형성된 후, 이온주입을 통해 저항값을 조절하여형성하는것을특징으로 하는에스램 디바이스.
[청구항 5]
제 3항에 있어서,상기 전도층은 저항이 낮은금속층인것을특징으로 하는에스램 디바이스.
[청구항 6]
제 1항에 있어서,상기 워드라인은 폴리실리콘층 및 폴리사이드층 중 하나에 의해형성되는것을특징으로 하는에스램 디바이스.
[청구항 7]
제 1항에 있어서,상기 전원전압 라인nan은폴리실리콘층형성되는것을특징으로 하는에스램 디바이스.
[청구항 8]
2개의 억세스 트랜지스터와, 2개의 구동 트랜지스터와, 2개의 고부하저항과, 상기 고부하저항에 전원을 공급하는 전원전압 라인과, 상기 억세스 트랜지스터의 게이트를 제어하는 워드라인과, 구동 트랜지스터의 소오스에 연결된 접지라인과, 상기 억세스 트랜지스터의 드레인에 연결되어 데이터의 입출력이 이루어지는 비트 라인과, 비트 바(bar) 라인을 포함하는 에스램 디바이스에 있어서,
상기 억세스 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터를 서로 같은 방향으로 배치하여 형성하고,
상기 접지라인 및 비트라인을 동일한 전도층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 에스램 디바이스
[청구항 9]
제 8항에 있어서,상기 고부하저항은 폴리실리콘층으로 형성된 후, 이온주입을 통해 저항값을 조절하여형성하는것을특징으로 하는에스램 디바이스.
[청구항 10]
제 8항에 있어서,상기 전도층은 저항이 낮은금속층인것을특징으로 하는에스램 디바이스.
[청구항 11]
제 8항에 있어서,상기 워드라인은 폴리실리콘층 및 폴리사이드층 중 하나에 의해형성되는것을특징으로 하는에스램 디바이스.
[청구항 12]
제 8항에 있어서,상기 전원전압 라인nan은폴리실리콘층형성되는것을특징으로 하는에스램 디바이스.
지시문 (instruction)
본문의 내용을 파악하고 이를 바탕으로 질문에 답하라.
질문 (question)
에스램 디바이스에서 접지라인과 비트라인이 동일한 전도층으로 형성될 경우, 해당 전도층은 어떠한 재질로 구성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation에스램 디바이스에서 접지라인과 비트라인이 동일한 전도층으로 형성될 때, 해당 전도층의 재질을 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 접지라인과 비트라인이 동일한 전도층으로 형성됨을 확인하고, 이를 인용하는 청구항 5를 탐색한다.
- 상기 접지라인과 상기 비트라인이 동일한전도층형성되는것을특징으로 하는에스램 디바이스
- 상기 전도층은 저항이 낮은금속층인것을특징으로 하는에스램 디바이스
-
3근거 선택
evidence_selection청구항 5에서 해당 전도층의 재질이 저항이 낮은 금속층임을 명시한다.
- 상기 전도층은 저항이 낮은금속층인것을특징으로 하는에스램 디바이스
-
4논리 통합
logical_integration청구항 3의 조건(접지라인과 비트라인이 동일 전도층)을 만족하는 경우, 청구항 5에 의해 해당 전도층은 저항이 낮은 금속층이 된다.
- 상기 접지라인과 상기 비트라인이 동일한전도층형성되는것을특징으로 하는에스램 디바이스, 상기 전도층은 저항이 낮은금속층인것을특징으로 하는에스램 디바이스
-
5결론 도출
conclusion_formulation따라서 해당 전도층은 저항이 낮은 금속층으로 구성된다.
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변으로 '저항이 낮은 금속층'을 도출한다.
최종 답변 (final_answer)
저항이 낮은 금속층
핵심 해석 (core_interpretation)
에스램 디바이스의 접지라인과 비트라인을 동일한 전도층으로 형성할 경우, 해당 전도층은 저항이 낮은 금속층을 사용함으로써 전기적 특성을 확보한다.