문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제1 전도성 물질층과 상기 제2 전도성 물질층은 적어도 하나의 금속포함하는반도체 구조.
[청구항 3]
제2항에 있어서,적어도 하나의 금속은 구리, 알루미늄 및 텅스텐으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 성분포함하는반도체 구조.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 인터페이스층은 텅스텐, 티타늄 및 니트라이드로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 성분포함하는반도체 구조.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 반도체 구조는 상기 도핑되지 않은 다결정 실리콘에 의해 제공된 저항성 및 용량성 엘리먼트포함하는반도체 구조.
[청구항 6]
제5항에 있어서,제1 전도성 물질층, 상기 전도성 물질층을 도포하는 도핑되지 않은 다결정 실리콘층, 및 상기 도핑되지 않은 다결정 실리콘층을 도포하는 제2 전도성 물질층을 포함하는 제2 구조더 포함하는반도체 구조.
[청구항 7]
제6항에 있어서,각각의 반도체 구조의 캐패시턴스는 각각의 디바이스의 영역에 비례하고 각각의 반도체 구조의 저항값에 반비례하며, 제2 반도체 구조의 캐패시턴스에 대한 제1 반도체 구조의 캐패시턴스의 비율은 상기 제1 반도체 구조의 저항값에 대한 제2 반도체 구조의 저항값의 비율비례하는반도체 구조.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 도핑되지 않은 다결정 실리콘층은 약 30nm 에서 약 120 nm의 두께갖는반도체 구조.
[청구항 10]
제5항에 있어서,상기 반도체 구조는 약 1 기가옴의 저항값나타내는반도체 구조.
[청구항 11]
제1항에 있어서,상기 인터페이스층은 확산 배리어포함하는반도체 구조.
[청구항 12]
제1항에 있어서,상기 인터페이스층은 약 25 å에서 약 50 å의 두께갖는반도체 구조.
[청구항 13]
제1항에 있어서,상기 전도성 물질층의 적어도 한 층과 상기 도핑되지 않은 다결정 실리콘층 사이에 확산 배리어더 포함하는반도체 구조.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 확산 배리어는 전도성 물질층의 적어도 한 층 내에 질소 주입포함하는반도체 구조.
[청구항 15]
제13항에 있어서,상기 확산 배리어는 상기 전도성 물질층의 적어도 한 층과 상기 도핑되지 않은 다결정 실리콘층 사이에 실리콘 이산화물층포함하는반도체 구조.
[청구항 16]
제1항에 있어서,상기 제1 전도성 물질층nan은도핑된다결정 실리콘인반도체 구조.
[청구항 17]
제5항에 있어서,상기 제1 전도성 물질층과 상기 제2 전도성 물질층은 캐패시터의 플레이트형성하는반도체 구조.
[청구항 18]
제1항에 있어서,상기 전도성 물질층과 상기 도핑되지 않은 다결정 실리콘층이 정렬되는 얕은 트랜치 절연 영역더 포함하는반도체 구조.
[청구항 19]
제18항에 있어서,전도성 물질층과 도핑되지 않은 다결정 실리콘층의 반대 측에 인접한 mosfet 영역과,각각의 mosfet 영역과 얕은 트랜치 절연 영역 사이에 이온 주입된 접합부더 포함하는반도체 구조.
[청구항 20]
제18항에 있어서,상기 제1 전도성 물질층과 상기얕은 트랜치 절연 영역 사이에 정렬된 인터레벨 유전체 영역더 포함하는반도체 구조.
[청구항 21]
제1항에 있어서,상기 전도성 물질층과 상기 도핑되지 않은 다결정 실리콘층의 측벽은 동일 평면상에 있는반도체 구조.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제1 전도성 물질층과 제2 전도성 물질층이 구리, 알루미늄 또는 텅스텐을 포함할 때, 이들 층과 도핑되지 않은 다결정 실리콘층 사이에 위치할 수 있는 확산 배리어의 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1 및 제2 전도성 물질층이 구리, 알루미늄, 텅스텐을 포함할 때, 이들과 도핑되지 않은 다결정 실리콘층 사이에 위치하는 확산 배리어의 구성 요소를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 전도성 물질이 구리, 알루미늄, 텅스텐임을 확인하고, 청구항 13에서 전도성 물질층과 도핑되지 않은 다결정 실리콘층 사이에 확산 배리어가 존재함을 추출한다.
- 구리, 알루미늄 및 텅스텐으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 성분
- 상기 전도성 물질층의 적어도 한 층과 상기 도핑되지 않은 다결정 실리콘층 사이에 확산 배리어
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3근거 선택
evidence_selection확산 배리어의 구체적인 구성 요소를 명시한 청구항 15를 선택한다.
- 상기 확산 배리어는 상기 전도성 물질층의 적어도 한 층과 상기 도핑되지 않은 다결정 실리콘층 사이에 실리콘 이산화물층포함하는
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4논리 통합
logical_integration전도성 물질층(구리, 알루미늄, 텅스텐 등)과 도핑되지 않은 다결정 실리콘층 사이에 위치하는 확산 배리어의 구성 요소는 실리콘 이산화물층임을 논리적으로 연결한다.
- 상기 확산 배리어는 상기 전도성 물질층의 적어도 한 층과 상기 도핑되지 않은 다결정 실리콘층 사이에 실리콘 이산화물층포함하는
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 실리콘 이산화물층을 도출한다.
- 실리콘 이산화물층
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6답변 생성
answer_generation리스트 형식으로 최종 답변을 생성한다.
- 실리콘 이산화물층
최종 답변 (final_answer)
실리콘 이산화물층
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 전도성 물질층과 도핑되지 않은 다결정 실리콘층 사이에 실리콘 이산화물층을 포함하는 확산 배리어를 배치하여 반도체 구조를 형성하는 기술에 관한 것이다.