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칩스케일 패키지 및 웨이퍼 레벨에서의 칩스케일 패키지제조방법 document_id 1020000081912

출원번호
1020000081912
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 히트싱크와, 상기 히트싱크 일면에 부착되는 센터패드 타입의 칩과, 상기 칩 상면의 센터패드 양측에 부착되는 loc 테이프와, 상기 loc 테이프 상에 부착되는 다운-셋 구조의 리드와, 상기 칩의 센터패드와 리드를 전기적으로 연결하는 와이어와, 상기 리드의 선단면만이 노출되도록 하면서 리드와 와이어 및 칩의 상면을 봉지하는 몰드바디와, 상기 리드 선단면에 형성되는 솔더볼을 포함하여서 됨을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨 칩스케일 패키지 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 히트싱크의 칩 부착면에 전열면적 증대를 위해요철구비됨을특징으로 하는칩스케일 패키지. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 히트싱크와 칩의 뒷면 사이에는비전도성열접착테이프개재됨을특징으로 하는칩스케일 패키지. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 히트싱크는 열전도성이 우수한 구리등의 메탈 재질특징으로 하는칩스케일 패키지.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
웨이퍼 레벨 칩스케일 패키지에서 히트싱크와 칩의 뒷면 사이에 배치되어 두 구성 요소 사이를 채우는 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    웨이퍼 레벨 칩스케일 패키지 내에서 히트싱크와 칩의 뒷면 사이에 위치하여 두 구성 요소를 채우는 요소를 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 3에서 히트싱크와 칩의 뒷면 사이의 관계를 설명하는 구절을 추출한다.

    • 상기 히트싱크와 칩의 뒷면 사이에는비전도성열접착테이프개재됨
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문에서 요구하는 위치(히트싱크와 칩의 뒷면 사이)와 일치하는 근거를 선택한다.

    • 상기 히트싱크와 칩의 뒷면 사이에는비전도성열접착테이프개재됨
  4. 4논리 통합logical_integration

    히트싱크와 칩의 뒷면 사이에 '개재'되어 있다는 것은 두 요소 사이를 채우고 있음을 의미한다.

    • 상기 히트싱크와 칩의 뒷면 사이에는비전도성열접착테이프개재됨
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    두 구성 요소 사이에 배치된 요소는 비전도성열접착테이프임을 도출한다.

    • 상기 히트싱크와 칩의 뒷면 사이에는비전도성열접착테이프개재됨
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 핵심 용어인 '비전도성열접착테이프'를 최종 답변으로 생성한다.

    • 비전도성열접착테이프
최종 답변 (final_answer)
비전도성열접착테이프
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 웨이퍼 레벨 칩스케일 패키지에서 히트싱크와 칩의 뒷면 사이에 비전도성열접착테이프를 배치하여 두 구성 요소를 결합하는 구조를 포함한다.