콤팩트 마이크로웨이브 다운스트림 플라즈마 시스템 document_id 1020007000350

[청구항 33] 제 32 항에 있어서,가이드는 상기 제1 단 및 제2 단의 사이에 결합된 튜너를 더 포함하며, 상기 튜너는 가이드 내의 마이크로웨이브 에너지와 관련된 적어도 하나의 파라미터를 제어하도록 구성되며, 상기 튜너는 캐비넷 내에 위치하여 상기 캐비넷에 의해지지되는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 34] 제 33항에 있어서,상기 발생기에 결합되어 있으며, 마이크로웨이브 에너지를 출력하는데 사용하기 위한 발생기에 전기에너지를 공급하도록 구성되어 있는 전원을 더 포함하며, 상기 전원은 캐비넷 내에 위치하여 상기 캐비넷에 의해지지되는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 35] 제 34항에 있어서,상기 전원은 한 세트의 콘트롤러, 버스 및 인버터로부터 선택된 적어도 두개의 독립된서브시스템더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 36] 제 33 항에 있어서,상기 단일의 가이드는 상기 제1 단 및 제2 단의 사이에 결합된 감쇠 메커니즘을 더 포함하며, 상기 감쇠 메커니즘은 상기 가이드 내에서 상기 제1 단을 향하여 전해지는 마이크로웨이브 에너지를 실질적으로 감쇠시키도록 구성되며, 상기 감쇠 메커니즘은 캐비넷 내에 위치하여 상기 캐비넷에 의해지지되는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 37] 제 36 항에 있어서,상기 감쇠 메커니즘은 서큘레이터와 더미 부하를 포함하며, 상기 서큘레이터는 가이드 내에서 상기 제1 단을 향하여 전해지는 마이크로웨이브 에너지의 방향을 상기 더미 부하를 향하도록 수정하며, 상기 더미 부하는 상기 수정된 방향의 마이크로웨이브 에너지를 흡수하도록 구성되어 있으며, 상기 서큘레이터 및 상기 더미 부하는 캐비넷 내에 위치하여 상기 캐비넷에 의해지지되는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 38] 제 32항에 있어서,상기 애플리케이터는 그 내부에 플라즈마를 발화시키도록 구성된 이그나이터(ignitor)를 더 포함하며, 상기 이그나이터는 캐비넷 내에 위치하여 상기 캐비넷에 의해지지되는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 39] 제 38 항에 있어서,나이터는자외선에너지원포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 40] 제 32항에 있어서,상기 캐비넷은 더욱이 한 세트의 콘트롤러, 버스 및 인버터로부터 선택된 적어도 하나의 서브시스템을 가지는 전원을 지지하도록구성되어있는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 41] 제 32항에 있어서,상기 캐비넷은 상기 장치를 외부 장치에 피봇하여 장착하기 위한장착브래킷더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 42] 제 33항에 있어서,상기 가이드 내의 마이크로웨이브 에너지와 관련된 상기 파라미터는 진폭, 주파수 및 위상을 포함하는파라미터군선택되는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 43] 제 32항에 있어서,상기 가이드는 함께 연결된 적어도 하나의 세그먼트를 포함하며, 상기 적어도 하나의 세그먼트 중 적어도 두개는플랜지 커넥터함께연결되어있는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 44] 제 32항에 있어서,상기 가이드는 상기 제1 단 및 제2 단의 사이에적어도하나의커브영역포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 45] 제 32항에 있어서,상기 발생기, 가이드 및 애플리케이터는 발생기, 가이드 및 애플리케이터의 부가적인 조립이나 분해가 필요없이 제2의 장치로부터 연결되거나 분리되도록배열되어있는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 46] 제 32항에 있어서,상기 애플리케이터는 상기 발생된 플라즈마용 유출구 포트를 포함하며, 상기 유출구는 상기 캐비넷의 외부 면에 인접하며, 상기 유출구 포트는 상기 다운스트림 프로세서 리액터의 플라즈마 유입구에 연결되도록배열된것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 48] 제 47 항에 있어서,상기 가이드는 상기 발생기 및 애플리케이터 사이에 결합된 튜너를 더 포함하며, 상기 튜너는 가이드 내의 마이크로웨이브 에너지와 관련된 적어도 하나의 파라미터를 제어하도록 구성되어 있으며, 상기 튜너는 상기 캐비넷 내에 위치하여 상기 캐비넷에 의해지지되는것을특징으로 하는다운스트림 제거 도구. [청구항 49] 제 48 항에 있어서,상기 리액턴트 발생배열은 발생기에 결합되며, 마이크로웨이브 에너지를 출력하는데 사용하기 위한 발생기에 전기에너지를 공급하도록 구성된 전원을 더 포함하며, 상기 전원은 상기 캐비넷 내에 위치하여 상기 캐비넷에 의해지지되는것을특징으로 하는다운스트림 제거 도구. [청구항 50] 제 48 항에 있어서,상기 리액턴트 발생배열은 상기 발생기에 결합되며, 상기 발생기로부터의 마이크로웨이브 에너지의 출력을 제어하도록 구성된 콘트롤러를 더 포함하며, 상기 콘트롤러는 상기 캐비넷 내에 위치하여 상기 캐비넷에 의해지지되는것을특징으로 하는다운스트림 제거 도구. [청구항 51] 제 48 항에 있어서,상기 가이드는 상기 발생기 및 애플리케이터 사이에 결합된 감쇠 메커니즘을 더 포함하며, 상기 감쇠 메커니즘은 가이드 내의 발생기를 향해서 전해지는 마이크로웨이브 에너지를 실질적으로 감쇠시키도록 구성되어 있으며, 상기 감쇠 메커니즘은 상기 캐비넷 내에 위치하여 상기 캐비넷에 의해지지되는것을특징으로 하는다운스트림 제거 도구. [청구항 52] 제 48 항에 있어서,상기 애플리케이터는 그 내부에서 플라즈마를 발화시키도록 구성되어 있는 이그나이터를 더 포함하며, 상기 이그나이터는 상기 캐비넷 내에 위치하여 상기 캐비넷에 의해지지되는것을특징으로 하는다운스트림 제거 도구. [청구항 53] 제 47항에 있어서,상기 캐비넷은 상기 프로세서에 피봇하여장착되는것을특징으로 하는다운스트림 제거 도구. [청구항 54] 제 47 항에 있어서,상기 가이드는적어도하나의커브영역포함하는것을특징으로 하는다운스트림 제거 도구. [청구항 55] 제 47 항에 있어서,상기 리액턴트 발생배열은 그 내부에 발생기, 가이드 및 애플리케이터의 부가적인 조립이나 분해가 필요없이 상기 처리배열로부터 연결되거나 분리되도록배열되어있는것을특징으로 하는다운스트림 제거 도구. [청구항 56] 제 47항에 있어서,상기 애플리케이터는 상기 발생된 플라즈마용 유출구 포트를 포함하며, 상기 유출구는 상기 캐비넷의 외부 면에 인접하며, 상기 유출구 포트는 상기 프로세서의 플라즈마 유입구에 연결되도록배열된것을특징으로 하는다운스트림 제거 도구. [청구항 58] 제 57 항에 있어서,최대 높이치수가 대략 36인치보다 작은 것특징으로 하는모듈 플라즈마 소스. [청구항 59] 제 57 항에 있어서,상기 마이크로웨이브 발생기 및 애플리케이터 사이에 결합된 튜너와;상기 마이크로웨이브 발생기 및 애플리케이터 사이에 결합된 서큘레이터 및 상기 서큘레이터에 결합된 더미 부하와;상기 애플리케이터 내의 플라즈마를 발화시키도록 구성된 이그나이터로 된 한 세트로부터 선택된 적어도 하나의 부가적인 구성요소를 더 포함하며,상기 서큘레이터는 상기 마이크로웨이브 발생기를 향하여 전해지는 마이크로웨이브 에너지를 상기 더미 부하로 지향시키도록 구성되며, 상기 더미 부하는 마이크로웨이브 에너지를 흡수하도록 구성되며, 상기 튜너, 상기 서큘레이터 및 이그나이터는 상기 캐비넷 내에 위치하여 상기 캐비넷에 의해지지되는것을특징으로 하는모듈 플라즈마 소스. [청구항 60] 제 57항에 있어서,상기 애플리케이터는 발생된 플라즈마용 유출구 포트를 포함하며, 상기 유출구는 상기 캐비넷의 외부 표면에 인접하며, 상기 유출구 포트는 다운스트림 처리 리액터의 플라즈마 유입구에 연결되도록배열된것을특징으로 하는모듈 플라즈마 소스. [청구항 62] 제 61항에 있어서,상기 웨이브 가이드는적어도하나의굴곡부포함하는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 63] 제 61항에 있어서,상기 웨이브 가이드는복수의굴곡부포함하는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 64] 제 61항에 있어서,상기 캐비넷은 최대 폭 치수 및 최대 깊이 치수의 곱에 기초하여 약 576 제곱인치 이하의 면적을 가지는 베이스와 대체로 직립의 측면들을 가지는박스형있는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 65] 제 64항에 있어서,상기 베이스는대체로사각형인것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 66] 제 64항에 있어서,상기 박스는 약36인치이하의높이가지는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 67] 제 64항에 있어서,상기 웨이브가이드는 상기 박스의 측벽에서 길이방향의연장부분들과복수의굴곡부가지는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 68] 제 67 항에 있어서,상기 회로의 서로 다른 파트들은 캐비넷의 이격된 서로 다른파트들내에있는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 69] 제 61항에 있어서,상기 회로의 서로 다른 파트들은 캐비넷의 이격된 서로 다른파트들내에있는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 70] 제 69항에 있어서,상기 회로는 dc/ac 컨버터를 구동하도록 연결된 제1 ac/dc 컨버터와 상기 dc/ac 컨버터에 응답하도록 연결된 제2 ac/dc 컨버터를 포함하며, 상기 컨버터들 중의 적어도 하나는 나머지 컨버터중의 다른 하나의 컨버터와는 다른캐비넷파트내에있는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 71] 제 61항에 있어서,상기 캐비넷은 웨이브 가이드와의 전자기적 결합을 위해 연결된마이크로웨이브튜너포함하는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 72] 제 71항에 있어서,상기 캐비넷은 마이크로웨이브 에너지가 반사되는 것을 실질적으로 막기 위해 웨이브가이드와의 전자기적 결합을 위해 연결된마이크로웨이브소자포함하는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 73] 제 72항에 있어서,상기 웨이브가이드는 플랜지를 포함하지 않는 이음매에 의해 서로에 연결된 서로 다른부분들포함하는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 74] 제 61항에 있어서,상기 캐비넷은 마이크로웨이브 에너지가 마이크로웨이브 소스로 다시 반사되는 것을 실질적으로 막도록 웨이브가이드와의 전자기적 결합을 위해 연결된마이크로웨이브소자포함하는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 75] 제 61항에 있어서,상기 웨이브가이드는 플랜지를 포함하지 않는 이음매에 의해 서로에 연결된 서로 다른부분들포함하는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 76] 제 61항에 있어서,상기 애플리케이터는 튜브내에서 플라즈마로 변환되는 가스를 수용하기 위한 유입구를 가지는 길게 연장된튜브포함하는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 77] 제 76항에 있어서,상기 애플리케이터는 튜브내에 가스용 이그나이터포함하는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 78] 제 61항에 있어서,상기 캐비넷은 이동가능한 외부 패널들과 베이스를 포함하며, 상기 회로, 마이크로웨이브 소스 및 마이크로웨이브 플라즈마 애플리케이터의 각각은 상기 캐비넷 내의 별도의 하우징 내에 있으며, 상기 별도의 하우징의 각각은 상기 패널중의 하나에 근접하여 위치됨으로써 패널 제거시에 상기 각각의 하우징으로의접근하는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 79] 제 78항에 있어서,상기 웨이브가이드는 상기 한 쌍의 이동가능한 패널에 의해 한정된 코너에 근접하여 대체로 직각으로 서로에 연결된 2개의 길이방향으로 연장하는 세그먼트를 포함하며, 상기 웨이브가이드 세그먼트의 각각은 상기 코너를 형성하는 상기 패널에 평행인 방향으로 연장되어 있으며 상기 패널들에 근접하여위치하는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 80] 제 79항에 있어서,상기 캐비넷은 웨이브가이드와의 전자기적 결합을 위해 연결된 마이크로웨이브 튜너를 포함하고, 상기 튜너는상기캐비넷내의상기하우징중하나에있는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 81] 제 80항에 있어서,상기 캐비넷은 반사되는 마이크로웨이브 에너지를 실질적으로 막기 위해서 웨이브가이드와의 전자기적 결합을 위해 연결된 마이크로웨이브 소자를 포함하며, 반사되는 마이크로웨이브 에너지를 실질적으로 막는 상기 마이크로웨이브 소자는 상기 패널중의 하나에 근접하여위치하는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 82] 제 81항에 있어서,상기 애플리케이터는 튜브내에서 플라즈마로 변환되어지는 가스를 수용하기 위한 유입구를 가지는 길게 연장된 튜브를 포함하고, 튜브내에 가스용 이그나이터를 포함하며, 상기 길게 연장된 튜브 및 상기 이그나이터는 상기 패널들중의 하나에 근접하게위치되는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 83] 제 61항에 있어서,상기 캐비넷은 웨이브가이드와의 전자기적 결합을 위해 연결된 마이크로웨이브 튜너를 포함하고, 상기 튜너는 캐비넷내의하우징내에있는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 84] 제 61항에 있어서,상기 캐비넷은 마이크로웨이브 에너지가 마이크로웨이브 소스로 다시 반사되는 것을 실질적으로 막기 위해서 웨이브가이드와의 전자기적 결합을 위해 연결된 마이크로웨이브 소자를 포함하며, 마이크로웨이브 에너지가 마이크로웨이브 소스로 다시 반사되는 것을 실질적으로 막는 상기 마이크로웨이브 소자는 상기 캐비넷의 이동가능한 외부 패널에 근접하여위치하는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 85] 제 61항에 있어서,상기 애플리케이터는 튜브내에서 플라즈마로 변환되어지도록 된 가스를 수용하기 위한 유입구를 가지는 길게 연장된 튜브를 포함하고, 튜브 내에 가스용 이그나이터를 포함하며, 상기 길게 연장된 튜브 및 상기 이그나이터는 상기 캐비넷의 이동가능한 외부 패널에 근접하게위치되는것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 86] 제 71항에 있어서,상기 캐비넷은 평행한 제1 및 제2의 대체로 일직선인 외부 표면과, 상기 제1 및 제2의 표면에 대체로 직각인 평면들 내에 연장되어 있는 제3, 제4, 제5 및 제6의 대체로 일직선인 외부 표면을 포함하며, 상기 제3 및 제4 표면은 상기 제5 및 제6표면에 거의 직각이며 서로에 대체로 평행하고, 상기 제5 및 제6표면은 서로에 대해 대체로 평행하며, 마이크로웨이브 소스는 상기 제1, 제3, 제4 및 제5 표면들의 교차에 의해 한정된 캐비넷의 제1코너에 인접한 제1하우징에 위치하며, 상기 튜너는 제2, 제3, 제4 및 제6표면들의 교차에 의해 한정된 캐비넷의 제2코너에 인접한 제2 하우징내에 위치하며, 상기 웨이브가이드는 (a) 상기 제1 표면에 인접하여 평행한 마이크로웨이브 소스로의 연결부로부터 상기 제1, 제3, 제4 및 제6표면들의 교차에 의해 한정된 캐비넷의 제3코너까지 대체로 곧게 길이방향으로 연장된 제1부분과, (b) 제3코너에 인접한 제1굴곡부와, (c) 상기 제6표면에 인접하여 평행하게 연장된 제2의 길이방향으로 연장된 대체로 일직선인 부분과, (d) 상기 제2코너에 인접한 제2굴곡부와, (e) 상기 제2표면에 인접하여 평행하게 연장되어 있으면서 상기 제2굴곡부에 연결된 제3의 길이방향으로 연장된 대체로 일직선인 부분을 가지며; 상기 제3의 부분은 애플리케이터에 연결되어 있고, 상기 제2의 부분은 상기 제1 및 제2 굴곡부에 연결되어 있고, 상기 애플리케이터는 상기 제3, 제4, 제5 및 제6표면에 대체로 평행하게 연장된 길이방향의 축을 가진 제3하우징 내에 있으며, 상기 튜너는 상기 제2굴곡부에 연결된 웨이브가이드 부분 중의 하나에 전자기적 결합을 위해연결되어있는것을특징으로 하는플라즈마 소스. [청구항 87] 제 86항에 있어서,및 제6 표면들 중의 적어도 몇 개는 제거시에 캐비넷 외측으로부터 상기 제1, 제2 및 제3 하우징으로의 접근을 제공하는제거가능패널포함하는것을특징으로 하는플라즈마 소스. [청구항 88] 제 87항에 있어서,상기제3, 제4, 제5 및 제6 표면들의 에지는사각형형성하는것을특징으로 하는플라즈마 소스. [청구항 89] 제 88항에 있어서,캐비넷 내의 제4 하우징내에 더미 부하를 더 포함하며, 상기 제4 하우징은 상기 제1 웨이브 가이드 부분에 인접하며, 상기 더미 부하는상기제1웨이브가이드부분연결되어있는것을특징으로 하는플라즈마 소스. [청구항 90] 제 89항에 있어서,상기 애플리케이터는 발생된 플라즈마용 유출구 포트를 포함하며, 상기 유출구는 상기 캐비넷의 제2표면에 인접하며, 상기 유출구 포트는 플라즈마 가공물 프로세서의 플라즈마 유입구에 연결되도록배열된것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스. [청구항 91] 제 61항에 있어서,상기 애플리케이터는 발생된 플라즈마용 유출구 포트를 포함하며, 상기 유출구는 상기 캐비넷의 외부 표면에 인접하며, 상기 유출구 포트는 플라즈마 가공물 프로세서의 플라즈마 유입구에 연결되도록배열된것을특징으로 하는마이크로웨이브 플라즈마 소스.