평면 전자 방출기 document_id 1020007014014

[청구항 1] -제 1, 2 표면을 갖는 요소와, 여기서 - 상기 제 1 표면은 제 1 전기 전하를 보유하도록 적용되며, 상기 제 2 표면은 제 2 전기 전하를 보유하도록 적용되고, 상기 제 1 표면은 상기 제 2 표면에 실질적으로 평행하며, 그리고 - 상기 요소는 물질 또는 물질 시스템 내에서의 전자 스캐터링을 줄이도록 준비된 물질 또는 물질 시스템을 포함하며, 상기 제 1 또는 2 표면에 수직인 소정의 수정 방위를 갖고, - 상기 요소의 적어도 부분을 가로질러 전기장을 제공하는 수단을 구비하며, 여기서 상기 전기장 제공 수단은, - 상기 요소의 제 1 표면에 상기 제 1 전기 전하를 제공하는 수단과, 그리고 - 상기 요소의 제 2 표면에 상기 제 2 전기 전하를 제공하는 수단과, 여기서 상기 제 2 전기 전하는 전자들이 상기 제 1 또는 2 표면에 실질적으로 수직인 방향을 움직이도록 상기 제 1 전기 전하와 다른 것을 특징으로 하는 물품 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 물질 또는 물질 시스템은, 가령 실리콘, 게르마늄, 실리콘 카바이드, 갈륨 아세나이드, 인듐 포스파이드, 인듐 안티모나이드, 인듐 아세나이드, 알루미늄 아세나이드, 징크 텔루라이드 또는 실리콘 나이트라이드 또는 이들의 모든 결합과 같은반도체물질포함하는것을특징으로 하는물품. [청구항 3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 물질 또는 물질 시스템의 준비는 소정의 도핑 레벨을 얻기 위하여 상기 물질 또는 물질 시스템을 도펀트로 도핑하는 것을포함함을특징으로 하는물품. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 도펀트는 인, 리튬, 안티모니, 비소, 보론, 알루미늄, 탄탈륨, 갈륨, 인듐, 비즈머쓰, 실리콘, 게르마늄, 유황, 틴, 텔루르, 셀레늄, 카본, 베릴륨, 마그네슘, 아연 또는 카드뮴 또는 이들이결합포함하는것을특징으로 하는물품. [청구항 5] 제 3 항에 있어서,상기 소정의 도핑 레벨은 1×1018cm-3 이하, 가령 1×1016cm-3 이하, 가령 1×1014cm-3 이하, 가령 1×1013cm-3이하3이하인것을특징으로 하는물품. [청구항 6] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 표면에 제 1 전기 전하를 제공하는 수단은 적어도 부분적으로 전도성인제1물질또는물질시스템포함하는것을특징으로 하는물품. [청구항 7] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 표면에 제 2 전기 전하를 제공하는 수단은 적어도 부분적으로 전도성인제 2 물질또는물질시스템포함하는것을특징으로 하는물품. [청구항 8] 제 6 항에 있어서,적어도 부분적으로 전도성인 제 1 물질 또는 물질 시스템은 상기 제 1, 2 표면을 갖는 층을 형성하고, 상기 제 2 표면은 전하 저장기의 제 1 단자에 연결되어 사용되며, 그리고 상기 제 1 표면은 상기 요소의 물질 또는 물질 시스템의 제 1 표면과 직접적으로컨택하는것을특징으로 하는물품. [청구항 9] 제 7 항에 있어서,적어도 부분적으로 전도성인 제 2 물질 또는 물질 시스템은 상기 제 1, 2 표면을 갖는 층을 형성하고, 상기 제 1 표면은 상기 전하 저장기의 제 2 단자에 연결되어 사용되며, 그리고 상기 제 2 표면은 상기 요소의 물질 또는 물질 시스템의 제 2 표면과 직접적으로컨택하는것을특징으로 하는물품. [청구항 10] 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,적어도 부분적으로 전도성인 제 1, 2 물질 또는 물질 시스템은 금속 또는, 1×1017cm-3 이상의 도핑 레벨을 갖는 고도핑된반도체물질포함하는것을특징으로 하는물품. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,적어도 부분적으로 전도성인 제 1, 2 물질 또는 물질 시스템은 금, 크롬, 백금, 알루미늄, 구리, 세슘, 루비듐, 스트론튬, 인듐, 프라세오디뮴, 사마륨, 이테르븀, 프란슘 또는 유러퓸 또는 이들의 모든결합포함하는것을특징으로 하는물품. [청구항 12] 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자들은 의사-탄도전자들포함하는것을특징으로 하는물품. [청구항 34] - 상기 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 물품을 포함하며, 상기 물품은 - 전자들의 노출시 다수의 파장들에서 광을 방출하도록 적용된 물질층과, 여기서 상기 물질층은 상기 요소의 제 1, 2 표면에 실질적으로 수직인 평면 내에서, 하나 또는 그 이상의 표면 요소들을 갖는 2차원 매트릭스를 규정하며, 상기 각 표면 요소는 소정의 파장에서 광을 방출하도록 적용되고, 그리고 - 상기 2차원 매트릭스 내의 하나 또는 그 이상의 표면 요소들에 전자들을 선택적으로 제공하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이 [청구항 35] 제 34 항에 있어서,다수의 파장들을 방출하는 물질층은 적절한루미노포르또는표준칼라텔레비젼포스퍼러스포함하는것을특징으로 하는플랫 패널 디스플레이. [청구항 36] 제 34 항 또는 제 35 항에 있어서,상기 방출된 광은 적어도 세 개의 칼라들에 대응하는 적어도 세개의파장들포함하는것을특징으로 하는플랫 패널 디스플레이. [청구항 37] 제 36 항에 있어서,상기 층으로부터 방출된 적어도 세 개의 칼라들의 결합으로부터 모든칼라수있는것을특징으로 하는플랫 패널 디스플레이. [청구항 38] 제 34 항 내지 제 37 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 방출된 파장들은 빨강, 노랑 및 파란색, 또는 빨강,녹색및파란색대응하는것을특징으로 하는플랫 패널 디스플레이. [청구항 39] 제 34 항 내지 제 38 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 전자들은 의사-탄도전자들포함하는것을특징으로 하는플랫 패널 디스플레이. [청구항 40] 제 34 항 내지 제 39 항 중의 어느 한 항에 있어서,선택적인 수단은, 제 1 또는 2 표면에 실질적으로 평행한 평면 내에서, 전기적으로 제어가능한 매트릭스 요소들로 구성된 2차원 매트릭스를 규정하기 위한 패턴을 포함할 수도 있으며, 상기 패턴은 적어도 부분적으로 전도성인 물질 또는 물질 시스템에 의해형성되는것을특징으로 하는플랫 패널 디스플레이. [청구항 53] -제 1, 2 표면 영역을 갖는 요소와, 여기서 - 상기 제 1 표면 영역은 제 1 전기 전하를 보유하도록 적용되며, 상기 제 2 표면 영역은 제 2 전기 전하를 보유하도록 적용되고, 그리고 - 상기 요소는 물질 또는 물질 시스템 내에서의 전자 스캐터링을 줄이도록 준비된 물질 또는 물질 시스템을 포함하며, 상기 제 1 또는 2 표면에 수직인 소정의 수정 방위를 갖고, - 상기 요소의 적어도 부분을 가로질러 전기장을 제공하는 수단을 구비하며, 여기서 상기 전기장 제공 수단은 - 상기 요소의 제 1 표면 영역에 상기 제 1 전기 전하를 제공하는 수단과, 그리고 - 상기 요소의 제 2 표면 영역에 상기 제 2 전기 전하를 제공하는 수단과, 여기서 상기 제 2 전기 전하는 전자들이 상기 제 1 표면 영역과 상기 제 2 표면 영역 사이를 움직이도록 상기 제 1 전기 전하와 다른 것을 특징으로 하는 물품 [청구항 54] 제 53 항에 있어서,상기 물질 또는 물질 시스템은, 가령 실리콘, 게르마늄, 실리콘 카바이드, 갈륨 아세나이드, 인듐 포스파이드, 인듐 안티모나이드, 인듐 아세나이드, 알루미늄 아세나이드, 징크 텔루라이드 또는 실리콘 나이트라이드 또는 이들의 모든 결합과 같은반도체물질포함하는것을특징으로 하는물품. [청구항 55] 제 53 항 또는 제 54 항에 있어서,상기 물질 또는 물질 시스템의 준비는 소정의 도핑 레벨을 얻기 위하여 상기 물질 또는 물질 시스템을 도펀트로 도핑하는 것을포함함을특징으로 하는물품. [청구항 56] 제 55 항에 있어서,상기 도펀트는 인, 리튬, 안티모니, 비소, 보론, 알루미늄, 탄탈륨, 갈륨, 인듐, 비즈머쓰, 실리콘, 게르마늄, 유황, 틴, 텔루르, 셀레늄, 카본, 베릴륨, 마그네슘, 아연 또는 카드뮴 또는 이들이결합포함하는것을특징으로 하는물품. [청구항 57] 제 55 항에 있어서,상기 소정의 도핑 레벨은 1×1018cm-3 이하, 가령 1×1016cm-3 이하, 가령 1×1014cm-3 이하, 가령 1×1013cm-3이하3이하인것을특징으로 하는물품. [청구항 58] 제 53 항 내지 제 57 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 표면에 제 1 전기 전하를 제공하는 수단은 적어도 부분적으로 전도성인제1물질또는물질시스템포함하는것을특징으로 하는물품. [청구항 59] 제 53 항 내지 제 57 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 표면에 제 2 전기 전하를 제공하는 수단은 적어도 부분적으로 전도성인제 2 물질또는물질시스템포함하는것을특징으로 하는물품. [청구항 60] 제 58 항에 있어서,적어도 부분적으로 전도성인 제 1 물질 또는 물질 시스템은 상기 제 1, 2 표면을 갖는 층을 형성하고, 상기 제 2 표면은 전하 저장기의 제 1 단자에 연결되어 사용되며, 그리고 상기 제 1 표면은 상기 요소의 물질 또는 물질 시스템의 제 1 표면과 직접적으로컨택하는것을특징으로 하는물품. [청구항 61] 제 59 항에 있어서,적어도 부분적으로 전도성인 제 2 물질 또는 물질 시스템은 상기 제 1, 2 표면을 갖는 층을 형성하고, 상기 제 1 표면은 상기 전하 저장기의 제 2 단자에 연결되어 사용되며, 그리고 상기 제 2 표면은 상기 요소의 물질 또는 물질 시스템의 제 2 표면과 직접적으로컨택하는것을특징으로 하는물품. [청구항 62] 제 57 항 내지 제 60 항 중 어느 한 항에 있어서,적어도 부분적으로 전도성인 제 1, 2 물질 또는 물질 시스템은 금속 또는, 1×1017cm-3 이상의 도핑 레벨을 갖는 고도핑된반도체물질포함하는것을특징으로 하는물품. [청구항 63] 제 61 항에 있어서,적어도 부분적으로 전도성인 제 1, 2 물질 또는 물질 시스템은 금, 크롬, 백금, 알루미늄, 구리, 세슘, 루비듐, 스트론튬, 인듐, 프라세오디뮴, 사마륨, 이테르븀, 프란슘 또는 유러퓸 또는 이들의 모든결합포함하는것을특징으로 하는물품. [청구항 64] 제 53 항 내지 제 63 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자들은 의사-탄도전자들포함하는것을특징으로 하는물품.