문맥 (context)
[청구항 1]
반도체로 이루어진 기판 또는 반도체층을 그 표면에 갖는 기판과, 상기 기판의 주면에 형성된 메모리셀 선택용 misfet과, 상기 메모리셀 선택용 misfet의 소스 또는 드레인으로서 기능하는 반도체 영역에 전기적으로 접속된 제1 전극, 상기 제1 전극에 대향하여 형성된 제2 전극 및 상기 제1, 제2 전극 간에 끼워진 용량 절연막으로 구성되는 정보 축적용 용량 소자를 포함하는 반도체 장치에 있어서,
상기 제1 전극은 특정 면방위로 배향된 금속 또는 그 산화물 혹은 질화물의 결정막을 포함하는 반도체 장치
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 제1 전극의 상기 금속 산화막의 표면은 특정 면방위로 배향된 결정을 포함하는 금속막있는반도체 장치.
[청구항 4]
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전극에 포함된 금속 원소는 루테늄(ru), 텅스텐(w), 이리듐(ir) 또는 백금인반도체 장치.
[청구항 5]
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 용량 절연막은 결정 구조를 포함하는 금속산화막인반도체 장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 용량 절연막은 다결정의 산화 탄탈막인반도체 장치.
[청구항 7]
제5항 또는 제6항에 있어서,상기 금속 산화막 또는 산화탄탈막의 결정은 상기 제1 전극에 포함된 결정과 동일 면방위배향되어 있는반도체 장치.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 제1 전극에 포함된 결정 및 상기 용량 절연막에 포함된 결정은 모두 육방정계의 결정 구조를 포함하고 또한 (002)면배향되어있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 9]
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 전극은 금속금속 화합물로 이루어진반도체 장치.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 제2 전극은 질화 티탄(tin)막, 산화 루테늄(ruo)막, 루테늄(ru)막 또는 텅스텐막으로 이루어진반도체 장치.
[청구항 11]
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 용량 절연막과의 계면에는 상기 제1 전극에 포함된 금속 원소의 산화막이 형성되며, 상기 산화막은 도전성포함하는반도체 장치.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 제1 전극에포함된금속 원소의 산화막은 산화 루테늄(ruo)막, 산화이리듐(iro)막인 반도체 장치.
[청구항 13]
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 반도체 영역을 접속하는 플러그는 금속 또는 금속 화합물구성되는반도체 장치.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 플러그와 상기 제1 전극 간에 반응 방지막형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 15]
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 정보 축적용 용량 소자의 하층에 형성된 배선과 상기 기판의 주면을 접속하는 접속부는 금속 또는 금속 화합물로 구성되며 상기 접속부의 상기 기판의 주면에는 상기 금속의 실리사이드막이형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 35]
반도체 장치에 있어서,
주면을 갖는 반도체 기판과,
상기 반도체 기판의 주면에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 양단에 형성된 소스, 드레인 영역을 갖는 제1 misfet과,
상기 제1 misfet 상에 형성된 제1 절연막과,
상기 제1 절연막 상에 형성되며, 상기 제1 절연막의 표면을 노출하는 개공을 포함하는 제2 절연막과,
상기 개공의 측벽 및 상기 개공 내의 상기 제1 절연막 표면 상에 형성되며, 상기 제1 misfet의 소스 또는 드레인 영역의 한쪽에 전기적으로 접속된 제1 전극과, 상기 제1 전극 표면에 형성된 유전체막과, 상기 유전체막의 표면에 형성된 제2 전극으로 이루어진 용량 소자를 포함하고,
상기 제1 전극은 (002)면으로 배향된 금속막으로 이루어진 반도체 장치
[청구항 36]
제35항에 있어서,상기 제1 전극은루테늄으로 이루어진반도체 장치.
[청구항 37]
제36항에 있어서,상기 유전체막은 (002)면으로 배향된 산화 탄탈막으로 이루어진반도체 장치.
[청구항 38]
제37항에 있어서,상기 반도체 기판의 주면에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 양단에 형성된 소스, 드레인 영역을 갖는 제2 misfet과, 상기 소스, 드레인 영역의 표면에 형성된 고융점 금속막의 실리사이드층을 더 포함하고, 상기 실리사이드층은 상기 제1 절연막 아래형성되어 있는반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
본 반도체 장치에서 제1 전극에 포함된 결정과 용량 절연막에 포함된 결정이 모두 육방정계의 결정 구조를 가지면서 (002)면으로 배향되어 있기 위한 조건은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1 전극의 결정과 용량 절연막의 결정이 모두 육방정계 구조이면서 (002)면으로 배향되기 위한 조건을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 8에서 제1 전극의 결정과 용량 절연막의 결정이 육방정계 구조를 포함하고 (002)면 배향되어 있다는 기술적 특징을 추출한다.
- 상기 제1 전극에 포함된 결정 및 상기 용량 절연막에 포함된 결정은 모두 육방정계의 결정 구조를 포함하고 또한 (002)면배향되어있는것을특징으로 하는반도체 장치
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 조건(육방정계 및 (002)면 배향)이 명시된 청구항 8의 문구를 선택한다.
- 상기 제1 전극에 포함된 결정 및 상기 용량 절연막에 포함된 결정은 모두 육방정계의 결정 구조를 포함하고 또한 (002)면배향되어있는것을특징으로 하는반도체 장치
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4논리 통합
logical_integration청구항 8은 해당 상태가 특징인 반도체 장치를 정의하고 있으므로, 해당 상태 자체가 장치의 구성 조건임을 확인한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation제1 전극에 포함된 결정과 용량 절연막에 포함된 결정이 모두 육방정계의 결정 구조를 포함하고 (002)면으로 배향되어 있어야 한다.
- 상기 제1 전극에 포함된 결정 및 상기 용량 절연막에 포함된 결정은 모두 육방정계의 결정 구조를 포함하고 또한 (002)면배향되어있는것을특징으로 하는반도체 장치
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6답변 생성
answer_generation추출된 근거를 바탕으로 질문에 대한 직접적인 답변을 작성한다.
- 상기 제1 전극에 포함된 결정 및 상기 용량 절연막에 포함된 결정은 모두 육방정계의 결정 구조를 포함하고 또한 (002)면배향되어있는것을특징으로 하는반도체 장치
최종 답변 (final_answer)
상기 제1 전극에 포함된 결정 및 상기 용량 절연막에 포함된 결정은 모두 육방정계의 결정 구조를 포함하고 또한 (002)면배향되어 있어야 한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제1 전극과 용량 절연막의 결정 구조를 육방정계로 일치시키고 (002)면으로 배향함으로써 반도체 장치의 전기적/구조적 특성을 최적화하는 기술에 관한 것이다.