가공 특허 1020007014866

출원번호: 1020007014866
분류: 전기(H섹션)

문맥 (context)

[청구항 23] 제22 항에 있어서,제2 콘택 물질로 채워진 제2 콘택홀 및 제1 콘택 물질로 채워진 제1 콘택홀을 정의하고, 상기 소자를 덮는 평탄한표면의절연층포함하는것을특징으로 하는mos 트랜지스터. [청구항 24] 제22 항에 있어서,상기 게이트 전극은 tin, w, ta, mo 및 그 다중막으로 구성된 군중에서 선택된금속형성되는것을특징으로 하는mos 트랜지스터. [청구항 25] 제22 항에 있어서,상기 게이트 전극은 도핑된폴리실리콘포함하는것을특징으로 하는mos 트랜지스터. [청구항 26] 제25 항에 있어서,상기 게이트 전극과 상기 고유전상수층사이의장벽층포함하는것을특징으로 하는mos 트랜지스터. [청구항 27] 제22 항에 있어서,쌍의 제2 스페이서는 상기 제1 스페이서에 인접하고, 상기 저농도로 도핑된영역위형성되는것을특징으로 하는mos 트랜지스터. [청구항 28] 제22 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 영역 위에실리사이드층포함하는것을특징으로 하는mos 트랜지스터. [청구항 29] 제22 항에 있어서,유전상수층은 약 4nm 내지 12nm범위두께인것을특징으로 하는mos 트랜지스터. [청구항 30] 제22 항에 있어서,유전상수 물질nan은인것을특징으로 하는mos 트랜지스터. [청구항 31] 제22 항에 있어서,유전상수 물질은 x가 0보다 크고 0.6 까지의 범위인인것을특징으로 하는mos 트랜지스터. [청구항 32] 제22 항에 있어서,유전상수 물질은 r이 약 0.9 부터 1미만의 범위인고용체인것을특징으로 하는mos 트랜지스터. [청구항 33] 제22 항에 있어서,유전상수 물질은 s가 0.9부터 1미만의 범위인고용체인것을특징으로 하는mos 트랜지스터. [청구항 34] 제22 항에 있어서,유전상수 물질은 t가 약 0.9 부터 1미만의 범위인고용체인것을특징으로 하는mos 트랜지스터. [청구항 35] 제22 항에 있어서,유전상수 물질은 u가 약 0.9 부터 1미만의 범위인고용체인것을특징으로 하는mos 트랜지스터. [청구항 36] 제22 항에 있어서,상기 기판nan은실리콘포함하는것을특징으로 하는mos 트랜지스터. [청구항 37] 제22 항에 있어서,상기 제1 스페이서는옥사이드또는나이트라이드물질포함하는것을특징으로 하는mos 트랜지스터. [청구항 61] 제22 항에 있어서,상기 층간막은실리콘옥사이드포함하는것을특징으로 하는mos 트랜지스터.

지시문 (instruction)

주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.

질문 (question)

도핑된 폴리실리콘을 게이트 전극으로 사용하는 MOS 트랜지스터에서, 게이트 전극과 고유전상수층 사이에 추가적으로 포함되는 구성 요소는 무엇인가?

추론 과정 (compact_reasoning)

1과제 해석task_interpretation

도핑된 폴리실리콘 게이트 전극을 사용하는 MOS 트랜지스터에서 게이트 전극과 고유전상수층 사이에 위치하는 추가 구성 요소를 찾는 것이다.
2정보 추출information_extraction

청구항 25항은 게이트 전극이 도핑된 폴리실리콘임을 명시하고, 청구항 26항은 해당 게이트 전극과 고유전상수층 사이의 구성 요소를 언급한다.
- 상기 게이트 전극은 도핑된폴리실리콘포함하는것을특징으로 하는mos 트랜지스터
- 상기 게이트 전극과 상기 고유전상수층사이의장벽층포함하는것을특징으로 하는mos 트랜지스터
3근거 선택evidence_selection

청구항 26항에서 게이트 전극과 고유전상수층 사이에 포함되는 구성 요소인 '장벽층'을 선택한다.
- 상기 게이트 전극과 상기 고유전상수층사이의장벽층포함하는것을특징으로 하는mos 트랜지스터
4논리 통합logical_integration

청구항 25항(도핑된 폴리실리콘 게이트)을 인용하는 청구항 26항에 따라, 두 층 사이에 장벽층이 존재함을 알 수 있다.
5결론 도출conclusion_formulation

질문에서 요구하는 추가 구성 요소는 장벽층이다.
6답변 생성answer_generation

추출된 핵심 용어인 '장벽층'을 최종 답변으로 생성한다.
- 장벽층

최종 답변 (final_answer)

장벽층

핵심 해석 (core_interpretation)

도핑된 폴리실리콘 게이트 전극을 사용하는 MOS 트랜지스터 구조에서, 게이트 전극과 고유전상수층 사이에 장벽층을 추가하여 구성하는 기술적 특징을 나타낸다.