문맥 (context)
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 디스퍼션 헤드 내부 공간에 상기 제2디퓨저가 설치된 하측에 순차적으로 설치되고, 상기 제2디퓨저가 차지하는 외곽 부위보다 바깥쪽 부위를 차지하고, 상기 제2디퓨저에 의해 상기 외곽 부위로 제공되는 가스를 계속해서 3 번째 및 4 번째까지 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 3 번째 및 4 번째 발산시키는 제3디퓨저 및 제4디퓨저를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스제공하는장치.
[청구항 10]
제8항에 있어서,상기 디스퍼션 헤드는 상기 가스가 유입되는 입구(inlet) 및 상기 가스가 유출되는 출구를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스제공하는장치.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 출구는 다수개의 홀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스제공하는장치.
[청구항 12]
제8항에 있어서,상기 제1디퓨저는 원형(circle type)의 플레이트(plate) 형상을 갖고, 상기 제2디퓨저는 환형(ring type)의 플레이트 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스제공하는장치.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 제2디퓨저는 상기 제1디퓨저의 주연 부위로부터 이격되는 외곽을 둘러싸는 크기를 갖는 환형의 플레이트 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스제공하는장치.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 가스 제공 수단은 상기 디스퍼션 헤드 내부에 상기 제2디퓨저가 설치된 하측에 순차적으로 설치되고, 상기 제2디퓨저가 차지하는 외곽 부위보다 바깥쪽 부위를 차지하고, 상기 제2디퓨저에 의해 상기 외곽 부위로 제공되는 가스를 계속해서 3 번째 및 4 번째까지 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 3 번째 및 4 번째 발산시키는 제3디퓨저 및 제4디퓨저를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스제공하는장치.
[청구항 16]
제14항에 있어서,상기 챔버는 플라즈마 반응을 이용하여 상기 기판 상에 막을 형성하기 위한 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정사용되는가공 장치.
[청구항 17]
제14항에 있어서,상기 챔버는 플라즈마 반응을 이용하여 상기 기판 상에 형성되어 있는 막을 식각하기 위한 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정사용되는가공 장치.
[청구항 18]
제14항에 있어서,상기 디스퍼션 헤드는 상기 가스가 유입되는 입구(inlet) 및 상기 가스가 유출되는 다수개의 홀들을 포함하는 출구를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용되는 가스제공하는장치.
[청구항 19]
제14항에 있어서,상기 제1디퓨저는 원형의 플레이트 형상을 갖고, 상기 제2디퓨저는 상기 제1디퓨저의 주연 부위로부터 이격되는 외곽을 둘러싸는 크기를 갖는 환형의 플레이트 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 공정사용되는가공 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 공정에 사용되는 가스 제공 장치에서 제3디퓨저 및 제4디퓨저가 제2디퓨저와 비교하여 차지하는 위치적 특징과 가스 발산 방식은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제3디퓨저 및 제4디퓨저의 제2디퓨저 대비 위치적 특징과 가스 발산 방식을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 9를 통해 제3, 4디퓨저의 설치 위치와 가스 블로킹 및 발산 방식에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 제2디퓨저가 설치된 하측에 순차적으로 설치되고, 상기 제2디퓨저가 차지하는 외곽 부위보다 바깥쪽 부위를 차지하고, 상기 제2디퓨저에 의해 상기 외곽 부위로 제공되는 가스를 계속해서 3 번째 및 4 번째까지 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 3 번째 및 4 번째 발산시키는 제3디퓨저 및 제4디퓨저
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3근거 선택
evidence_selection위치적 특징(하측, 외곽 부위보다 바깥쪽 부위)과 발산 방식(가스를 블로킹하여 측 방향으로 발산)에 해당하는 구절을 선택한다.
- 상기 제2디퓨저가 설치된 하측에 순차적으로 설치되고, 상기 제2디퓨저가 차지하는 외곽 부위보다 바깥쪽 부위를 차지하고, 상기 제2디퓨저에 의해 상기 외곽 부위로 제공되는 가스를 계속해서 3 번째 및 4 번째까지 블로킹하여 상기 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 상기 가스를 3 번째 및 4 번째 발산시키는
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4논리 통합
logical_integration제3, 4디퓨저는 제2디퓨저의 하측이면서 더 바깥쪽 위치에 있으며, 제2디퓨저가 보내는 가스를 차단하여 측 방향으로 추가 발산시키는 기능을 수행함을 통합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation위치적 특징은 제2디퓨저의 하측 및 외곽보다 바깥쪽이며, 발산 방식은 가스를 블로킹하여 측 방향으로 3, 4차 발산시키는 것이다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 위치와 발산 방식을 명확히 기술하여 최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
제3디퓨저 및 제4디퓨저는 제2디퓨저가 설치된 하측에 순차적으로 설치되며, 제2디퓨저가 차지하는 외곽 부위보다 더 바깥쪽 부위를 차지하는 위치적 특징을 갖는다. 가스 발산 방식의 경우, 제2디퓨저에 의해 외곽 부위로 제공되는 가스를 계속해서 3번째 및 4번째까지 블로킹하여, 가스가 제공되는 방향의 측 방향으로 가스를 3번째 및 4번째로 발산시킨다.
핵심 해석 (core_interpretation)
디퓨저를 단계별(제2~제4)로 배치하여 가스의 위치를 외곽 및 측 방향으로 순차적으로 확장 및 제어함으로써 가스 분산 효율을 높이는 기술이다.