다층 배선 구조를 갖는 반도체 소자 및 그의 제조방법 document_id 1020010006123

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제 2 콘택 스터드 표면과 콘택되도록 층간 절연막 상부에 형성되며, 제 2 콘택 스터드의 선폭보다 큰 선폭을 갖는랜딩패드포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 제 2 콘택 스터드는접촉부와입구부의선폭거의동일한것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,상기 랜딩 패드의 양측벽에는 식각 저지용 스페이서가적어도하나이상형성되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,상기 랜딩 패드의 상부면에는식각 저지층구비된것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 콘택 스터드의 입구부는 접촉부보다 약 30% 내지 60% 정도 큰선폭갖는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 제 2 콘택 스터드는접촉부와입구부의선폭거의동일한것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 9] 제 7 항에 있어서,상기 랜딩 패드의 양측벽에는 식각 저지층으로 된 적어도 하나 이상의 스페이서형성되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 10] 제 7 항에 있어서,상기 랜딩 패드의 상부면에는식각 저지층구비된것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 11] 제 7 항에 있어서,상기 제 1 콘택 스터드의 입구부는 접촉부보다 약 30% 내지 60% 정도 큰선폭갖는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 12] 제 7 항에 있어서,상기 반도체 기판과 층간 절연막 사이에는 다수의 인접 배열되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 사이의 공간에 형성되는 자기 정렬 플러그가 형성되어 있고, 상기 층간 절연막 내부에는 상기 자기 정렬 플러그와 콘택되는제3콘택스터드더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 제 1 콘택 스터드의 입구부의 깊이는 상기 제 3 콘택 스터드의 깊이와 같거나 약간 큰 것특징으로 하는반도체 소자. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 반도체 기판은 셀 영역과 주변 영역으로 한정되어 있으며, 상기 제 3 콘택 스터드는 상기 셀 영역에 형성되고, 상기 제 1 콘택 스터드는상기주변 영역형성되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 제 2 콘택 스터드는접촉부와입구부의선폭거의동일한것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 17] 제 15 항에 있어서,상기 식각 저지층은, 상기 랜딩 패드 상부면에 형성되는 제 1 식각 저지층과, 상기 랜딩 패드 양측부면에 스페이서 형태로 형성되는제2식각 저지층포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 18] 제 15 항에 있어서,상기 제 1 콘택 스터드의 입구부는 접촉부보다 약 30% 내지 60% 정도 큰선폭갖는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 19] 제 15 항에 있어서,상기 반도체 기판과 층간 절연막 사이에는 다수의 인접 배열되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 사이의 공간에 형성되는 자기 정렬 플러그가 형성되어 있고, 상기 층간 절연막 내부에는 상기 자기 정렬 플러그와 콘택되는제3콘택스터드더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 제 1 콘택 스터드의 입구부의 깊이는 상기 제 3 콘택 스터드의 깊이와 같거나 약간 큰 것특징으로 하는반도체 소자. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 반도체 기판은 셀 영역과 주변 영역으로 한정되어 있으며, 상기 제 3 콘택 스터드는 상기 셀 영역에 형성되고, 상기 제 1 콘택 스터드는상기주변 영역형성되는것을특징으로 하는반도체 소자.