문맥 (context)
[청구항 4]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 배선층은,알류미늄포함하는금속으로 이루어진반도체 소자의 제조 방법
[청구항 14]
반도체 기판,
상기 반도체 기판 상의 일부분에 형성된 배선층,
상기 배선층이 형성된 반도체 기판 전면에 형성되고 상기 배선층 상부에 위치하는 콘택홀 을 구비하는 층간 절연층,
상기 배선층의 상면에서부터 적어도 상기 콘택홀의 바닥면까지의 영역을 점유하는 캐핑층
상기 콘택홀의 양쪽 외측면을 따라 상기 캐핑층 상면에 형성되는 식각 저지층 및
상기 콘택홀을 채우는 도전층을 포함하는 반도체 소자
[청구항 15]
제 14 항에 있어서,핑층은 상기 콘택홀의 바닥면 및 상기 콘택홀의 양쪽 외측면접촉하는반도체 소자.
[청구항 16]
제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 식각 저지층은인반도체 소자.
[청구항 17]
제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 배선층nan은알류미늄포함하는금속으로 이루어진반도체 소자.
[청구항 18]
제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,핑층은이루어지는반도체 소자.
[청구항 19]
제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 도전층은 상기 콘택홀 내형성되는도전성 플러그인 반도체 소자.
[청구항 20]
제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 도전층은 상기 콘택홀 내부를 채우면서 상기 층간 절연층 상면에도 형성되는 상부 배선층인반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 14항의 반도체 소자 구성 요소 중, 콘택홀의 바닥면 및 양쪽 외측면과 접촉하며 배선층의 상면으로부터 콘택홀의 바닥면까지의 영역을 점유하는 층은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 14항의 구성 요소 중 콘택홀의 바닥면/외측면과 접촉하고 배선층 상면에서 콘택홀 바닥면까지의 영역을 점유하는 층을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 14항에서 배선층의 상면에서 콘택홀의 바닥면까지의 영역을 점유하는 층으로 '캐핑층'이 명시되어 있다.
- 상기 배선층의 상면에서부터 적어도 상기 콘택홀의 바닥면까지의 영역을 점유하는 캐핑층
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 영역 점유 조건과 일치하는 '캐핑층'에 관한 구절을 선택한다.
- 상기 배선층의 상면에서부터 적어도 상기 콘택홀의 바닥면까지의 영역을 점유하는 캐핑층
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4논리 통합
logical_integration청구항 15항을 통해 캐핑층이 콘택홀의 바닥면 및 양쪽 외측면에 접촉한다는 추가적인 관계를 확인하여 질문의 조건과 결합한다.
- 핑층은 상기 콘택홀의 바닥면 및 상기 콘택홀의 양쪽 외측면접촉하는
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5결론 도출
conclusion_formulation영역을 점유하는 층은 캐핑층이며, 이 층이 콘택홀의 바닥면 및 외측면과 접촉한다는 사실이 문맥상 확인된다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변으로 '캐핑층'을 도출한다.
최종 답변 (final_answer)
캐핑층
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 소자에서 배선층과 콘택홀 사이의 영역을 점유하며 콘택홀의 바닥면 및 측면과 접촉하는 캐핑층의 구조적 위치와 역할을 정의함.