문맥 (context)
[청구항 1]
활성영역과 비활성영역을 구비하고, 상기 비활성영역에 소자분리막이 형성되며, 상기 활성영역에 제2도전형의 접합영역이 형성된 제1도전형의 반도체 기판과
상기 소자분리막과 접합영역의 일부분을 노출시키는 보더리스 콘택을 구비한, 기판전면에 형성된 층간 절연막과
상기 보더리스콘택내의 소자분리막의 측벽의 활성영역에 상기 접합영역과 접하여 형성된 누설전류방지수단과
상기 보더리스 콘택내에 형성되는 도전성 플러그를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 누설전류 방지수단은 상기 접합영역과 동일도전형을 갖으며, 상기 접합영역보다 접합깊이가 깊은불순물영역으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 도전성 플러그는 배리어금속막금속막으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 접합영역은 저농도 불순물 영역과 고농도 불순물 영역으로 이루어진 ldd구조갖는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 접합영역은 서로 일정간격을 두고 활성영역에 형성된 소오스/드레인 영역중하나인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,상기 소오스/드레인 영역사이의 활성영역상에 형성된, 게이트 절연막을 구비한 게이트와;상기 저농도 불순물 영역상의 게이트의 양측에 형성된 제1측벽 스페이서와;상기 고농도 불순물 영역상의 제1측벽 스페이서의 측벽에 형성된제2측벽스페이서더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 7]
제 6 항에 있어서,상기 제1측벽 스페이서는 산화막과 질화막으로 이루어지고,상기제2측벽스페이서산화막으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 층간 절연막은 그의 하부에 에치스톱퍼로서 질화막이 형성된산화막으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 9]
활성영역과 비활성영역을 구비한 제1도전형의 반도체 기판과
상기 비활성영역에 형성된 소자분리막과
상기 기판의 활성영역상에 형성된, 게이트 절연막을 구비한 게이트와
상기 게이트의 양측에 형성된, 저농도 불순물 영역과 고농도 불순물 영역을 구비한 제2도전형의 소오스/드레인 접합영역과
상기 소오스/드레인 접합영역의 저농도 불순물 영역상의 게이트의 양측에 형성된 제1측벽 스페이서와
상기 소오스/드레인 접합영역의 고농도 불순물 영역상의 제1측벽 스페이서의 측벽에 형성된 제2측벽 스페이서와
상기 소자분리막과 소오스/드레인 접합영역의 일부분을 노출시키는 보더리스 콘택을 구비한, 기판전면에 형성된 층간 절연막과
상기 보더리스콘택내의 소자분리막의 측벽의 활성영역에 상기 소오스/드레인 접합영역과 접하여 형성되고, 상기 소오스/드레인 접합영역보다 접합깊이가 깊고 동일 도전형을 갖는 누설전류 방지용 접합영역과
상기 보더리스 콘택내에 형성되어 상기 소오스/드레인용 접합영역 및 누설전류 방지용 접합영역과 접촉하는 도전성 플러그를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
보더리스 콘택 내의 소자분리막 측벽 활성영역에 형성된 누설전류방지수단은 접합영역과 비교하여 어떤 전기적 특성과 구조적 특징을 갖는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation보더리스 콘택 내 소자분리막 측벽의 누설전류방지수단이 접합영역과 비교하여 갖는 전기적 특성(도전형) 및 구조적 특징(접합깊이)을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 누설전류방지수단의 전기적 특성과 구조적 특징에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 누설전류 방지수단은 상기 접합영역과 동일도전형을 갖으며, 상기 접합영역보다 접합깊이가 깊은불순물영역으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자.
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3근거 선택
evidence_selection누설전류방지수단이 접합영역과 동일한 도전형을 가진다는 점과 접합깊이가 더 깊다는 구절을 선택한다.
- 상기 누설전류 방지수단은 상기 접합영역과 동일도전형을 갖으며, 상기 접합영역보다 접합깊이가 깊은불순물영역으로이루어지는것
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 바탕으로 누설전류방지수단은 접합영역과 전기적으로는 동일한 도전형을 공유하면서, 구조적으로는 더 깊은 접합깊이를 갖는 불순물 영역임을 통합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 누설전류방지수단은 접합영역과 동일한 도전형을 가지며, 접합깊이는 접합영역보다 더 깊은 구조적 특징을 가진다는 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation도출된 결론을 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
누설전류방지수단은 접합영역과 동일한 도전형을 가지며, 구조적으로는 접합영역보다 접합깊이가 더 깊은 불순물 영역으로 이루어져 있다.
핵심 해석 (core_interpretation)
보더리스 콘택 구조에서 소자분리막 측벽의 누설전류를 방지하기 위해, 기존 접합영역과 동일한 도전형을 유지하면서도 더 깊은 접합깊이를 갖는 불순물 영역을 형성하는 기술이다.