문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,스위칭 소자 상부 영역에서, 상기 도전막과 상기 유전체층 사이에 층간절연막은 존재하지 않고, 상기 도전막은상기유전체층접촉하는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 스위칭 소자가 더블 게이트 트랜지스터이고, 상기 도전막은상기더블 게이트트랜지스터의일방의게이트 전극동작하는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 4]
제3항에 있어서,스위칭 소자는 그 채널영역을 포함해서 상기 유전체층에 의해 피복되어 있고, 상기 도전막은 화소전극으로부터 상기 스위칭 소자의 채널영역을 포함하는 상부 영역까지 연신되어 있고, 각 스위칭 소자의 상부 영역에서, 상기 도전막과 상기 유전체층 사이에 상기 층간절연막은 존재하지 않고, 상기 도전막은상기유전체층접촉하는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 변환부가 셀렌으로이루어지는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 화소전극에 저장되는 전하는 정전하이고, 상기 스위칭 소자는 정바이어스 전압의 인가에 의해도통되는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 화소전극에 저장되는 전하는 부전하이고, 상기 스위칭 소자는 부 바이어스 전압의 인가에 의해도통되는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 스위칭 소자의 상부 영역에서, 상기 유전체층과 도전막 사이에상기층간절연막형성되는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 10]
제8항에 있어서,상기 층간절연막은 상기 스위칭 소자의 적어도 채널영역에 대응하는 부분이상기층간절연막의나머지부분형성되는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 11]
제8항에 있어서,상기 층간절연막이감광성유기막으로이루어지는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 13]
제9항에 있어서,상기 층간절연막은 상기 스위칭 소자의 적어도 채널영역에 대응하는 부분이상기층간절연막의나머지부분형성되어있는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 14]
제12항에 있어서,상기 층간절연막은 감광성 유기막으로이루어지는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 15]
제12항에 있어서,상기 스위칭 소자의 채널 영역이상기층간절연막접촉하고있는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 16]
제1항에 있어서,상기 유전체층이무기막인것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 17]
제1항에 있어서,상기 화소전극의 하부에는 무기막인 상기 유전체층과 유기막인 상기 층간절연막의 2층 구조가 형성되어 있고, 상기 각 스위칭 소자의 상부 영역에서는, 상기 도전막과 상기 유전체층 사이에 상기 층간절연막은 존재하지 않고, 상기 도전막은상기유전체층접촉하는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 18]
제1항에 있어서,화소전극에 수집된 전하를 스위칭 소자를 통하여 전달하는 신호선을 포함하고, 상기 화소전극은 상기 층간절연막을 협지하는신호선과중첩되게형성되는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 19]
제12항에 있어서,화소전극에 수집된 전하를 스위칭 소자를 통하여 전달하는 신호선을 포함하고, 상기 화소전극은 상기 층간절연막을 협지하는상기신호선과중첩되게형성되는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 23]
제22항에 있어서,상기 스위칭 소자는 더블 게이트 트랜지스터이고, 상기 도전막은상기더블 게이트트랜지스터의일방의게이트 전극동작하는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 24]
제22항에 있어서,상기 변환부는셀렌으로이루어지는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 25]
제22항에 있어서,상기 화소전극에는 정전하 축적되고, 상기 스위칭 소자는 정바이어스 전압의 인가에 의해도통되는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 27]
제26항에 있어서,상기 층간절연막과 유전체층을 합친 총 정전용량은, 고전압에 의한 상기 스위칭 소자의 파괴를 방지하고, 또한 정상 동작시에 상기 스위칭 소자에 누설전류가 발생하지 않도록 설정되고, 상기 총 정전용량을 만족하도록.상기유전체층의두께와상기층간절연막의두께각각설정되어있는것을특징으로 하는이미지센서.
[청구항 28]
제26항에 있어서,상기 변환부는셀렌으로이루어지는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 29]
제26항에 있어서,상기 화소전극에는 정전하 축적되고, 상기 스위칭 소자는 정바이어스 전압의 인가에 의해도통되는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 31]
제30항에 있어서,상기 스위칭 소자는 더블 게이트 트랜지스터이고, 상기 도전막은,상기더블 게이트트랜지스터의일방의게이트 전극동작하는것을특징으로 하는이미지 센서.
[청구항 32]
제30항에 있어서,상기 변환부는셀렌으로이루어지는것을특징으로 하는이미지 센서.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
이미지 센서의 화소전극 하부 구조에서 유전체층과 층간절연막의 구성 및 스위칭 소자의 상부 영역에서의 도전막과 유전체층 간의 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation이미지 센서의 화소전극 하부의 유전체층과 층간절연막 구성, 그리고 스위칭 소자 상부 영역에서 도전막과 유전체층의 관계를 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 17을 통해 화소전극 하부의 2층 구조와 스위칭 소자 상부 영역의 구조 정보를 추출한다.
- 상기 화소전극의 하부에는 무기막인 상기 유전체층과 유기막인 상기 층간절연막의 2층 구조가 형성되어 있고, 상기 각 스위칭 소자의 상부 영역에서는, 상기 도전막과 상기 유전체층 사이에 상기 층간절연막은 존재하지 않고, 상기 도전막은 상기 유전체층 접촉하는 것
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 두 가지 핵심 요소(하부 구조, 상부 영역 관계)에 대한 직접적인 근거 구절을 선택한다.
- 상기 화소전극의 하부에는 무기막인 상기 유전체층과 유기막인 상기 층간절연막의 2층 구조가 형성되어 있고, 상기 각 스위칭 소자의 상부 영역에서는, 상기 도전막과 상기 유전체층 사이에 상기 층간절연막은 존재하지 않고, 상기 도전막은 상기 유전체층 접촉하는 것
-
4논리 통합
logical_integration화소전극 하부에는 무기막 유전체층과 유기막 층간절연막이 층을 이루고 있으며, 스위칭 소자 상부에서는 도전막이 층간절연막 없이 유전체층에 직접 접촉함을 통합한다.
- 상기 화소전극의 하부에는 무기막인 상기 유전체층과 유기막인 상기 층간절연막의 2층 구조가 형성되어 있고, 상기 각 스위칭 소자의 상부 영역에서는, 상기 도전막과 상기 유전체층 사이에 상기 층간절연막은 존재하지 않고, 상기 도전막은 상기 유전체층 접촉하는 것
-
5결론 도출
conclusion_formulation화소전극 하부는 무기막 유전체층과 유기막 층간절연막의 2층 구조로 구성되며, 스위칭 소자 상부 영역에서는 도전막과 유전체층 사이에 층간절연막이 존재하지 않고 도전막이 유전체층에 직접 접촉한다.
- 상기 화소전극의 하부에는 무기막인 상기 유전체층과 유기막인 상기 층간절연막의 2층 구조가 형성되어 있고, 상기 각 스위칭 소자의 상부 영역에서는, 상기 도전막과 상기 유전체층 사이에 상기 층간절연막은 존재하지 않고, 상기 도전막은 상기 유전체층 접촉하는 것
-
6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 상기 화소전극의 하부에는 무기막인 상기 유전체층과 유기막인 상기 층간절연막의 2층 구조가 형성되어 있고, 상기 각 스위칭 소자의 상부 영역에서는, 상기 도전막과 상기 유전체층 사이에 상기 층간절연막은 존재하지 않고, 상기 도전막은 상기 유전체층 접촉하는 것
최종 답변 (final_answer)
화소전극의 하부에는 무기막인 유전체층과 유기막인 층간절연막의 2층 구조가 형성되어 있으며, 스위칭 소자의 상부 영역에서는 도전막과 유전체층 사이에 층간절연막이 존재하지 않고 도전막이 유전체층에 직접 접촉한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
이미지 센서의 화소전극 하부에는 무기/유기 혼합 2층 구조를 형성하고, 스위칭 소자 상부에서는 도전막과 유전체층을 직접 접촉시켜 층간절연막을 배제하는 구조적 특징을 가진다.