고체 전해질 전지 document_id 1020010012171

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 디엔화합물은 1, 4-사이클로헥사디엔인고체 전해질 전지. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 디엔화합물은 상기 고체 전해질 중함유되어 있는고체 전해질 전지. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 디엔화합물은 상기 양극 활성물질 1g에 대하여 0.0001mol 내지 0.0005mol의 양함유되어 있는고체 전해질 전지. [청구항 5] 제 4항에 있어서,상기 고체 전해질은 상기 양극 쪽에 형성된 제 1 고체 전해질층과, 상기 음극 쪽에 형성된 제 2 고체 전해질층의 적어도 2층으로 이루어지고,상기 제 1 고체 전해질층 중에 함유된 상기 디엔화합물의 양은, 전체 함유량 중 75%이상함유되어 있는고체 전해질 전지. [청구항 6] 제 1항에 있어서,상기 고체 전해질은 비수성 용매(non-aqueous solvent)를 함유하고, 겔 상태인고체 전해질 전지. [청구항 7] 제 1항에 있어서,상기 매트릭스 폴리머는 폴리에틸렌 산화물, 폴리프로필렌 산화물, 폴리테트라플루오르에틸렌, 폴리비닐리덴 플루오르화물, 폴리비닐리덴 염화물, 폴리메타아크릴산(polymethacrylic acid), 폴리아크릴 아미드, 폴리카보네이트, 폴리설폰 및 폴리에테르설폰으로 구성되는 그룹선택되는고체 전해질 전지. [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 전해질염은 lipf6, liclo4, licf3so3, liasf6, libf4, lin(cf3so3)2, c4f9so3li, lic(cf3so2)3, lif, libr으로 구성되는 그룹선택되는고체 전해질 전지. [청구항 9] 제 6항에 있어서,상기 비수성 용매는 탄산에틸렌, 탄산프로필렌, γ-부티로랙톤, 아세토니트릴(acetonitrile), 디에틸에테르, 탄산디에틸, 탄산디메틸, 1, 2-디메톡시에탄(1, 2-dimethoxyethane), 디메틸설포옥사이드(dimethyl sulfoxide), 1, 3-디옥솔란(1, 3-dioxolan), 메틸설포네이트, 2-메틸테트라하이드로퓨란(2-methyltetrahydrofuran), 테트라하이드로퓨란, 설포란(sulforan), 2, 4-디플루오르아니솔(2, 4-difluoroanisole) 또는 탄산비닐렌으로 이루어지는 그룹선택되는고체 전해질 전지. [청구항 10] 제 1항에 있어서,상기 양극 및 음극은 상기 전해질을 함께 개재하여적층 및 감기는(layered and coiled) 고체 전해질 전지. [청구항 11] 제 1항에 있어서,상기 양극 및 음극nan은상기전해질함께삽입하여적층되는(layered and stacked) 고체 전해질 전지. [청구항 12] 제 1항에 있어서,세퍼레이터(separator)가 상기 양극과 음극 사이배치되는고체 전해질 전지.